liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Temperature dependent effective mass in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures
University of Nebraska, USA .
University of Nebraska, USA .
University of Nebraska, USA .
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 101, nr 19Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The temperature-dependence of free-charge carrier mobility, sheet density, and effective mass of a two-dimensional electron gas in a AlGaN/GaN heterostructure deposited on SiC substrate is determined using the THz optical Hall effect in the spectral range from 0.22 to 0.32 THz for temperatures from 1.5 to 300 K. The THz optical Hall-effect measurements are combined with room temperature mid-infrared spectroscopic ellipsometry measurements to determine the layer thickness, phonon mode, and free-charge carrier parameters of the heterostructure constituents. An increase of the electron effective mass from (0.22 +/- 0.01)m(0) at 1.5 K to (0.36 +/- 0.03)m(0) at 300 K is observed, which is indicative for a reduction in spatial confinement of the two-dimensional electron gas at room temperature. The temperature-dependence of the mobility and the sheet density is in good agreement with electrical measurements reported in the literature.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics (AIP) , 2012. Vol. 101, nr 19
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-87216DOI: 10.1063/1.4765351ISI: 000311320100032OAI: oai:DiVA.org:liu-87216DiVA, id: diva2:587417
Tillgänglig från: 2013-01-14 Skapad: 2013-01-14 Senast uppdaterad: 2017-12-06

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Chen, Jr-TaiForsberg, UrbanJanzén, ErikDarakchieva, Vanya

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Chen, Jr-TaiForsberg, UrbanJanzén, ErikDarakchieva, Vanya
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiHälsouniversitetet
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 134 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf