liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Radial Variation of Measured Carrier Lifetimes in Epitaxial Layers Grown with Wafer Rotation
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 289-292Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

In this report we present homoepitaxial growth of 4H-SiC on the Si-face of nominally on-axis substrates with diameter up to 100 mm in a hot-wall chemical vapor deposition reactor. A comparatively low carrier lifetime has been observed in these layers. Also, local variations in carrier lifetime are different from standard off-cut epilayers. The properties of layers were studied with more focus on charge carrier lifetime and its correlation with starting growth conditions, inhomogeneous surface morphology and different growth mechanisms.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2012. Vol. 717-720, s. 289-292
Nyckelord [en]
carrier lifetime; wafer rotation
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-87574DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.289ISI: 000309431000067OAI: oai:DiVA.org:liu-87574DiVA, id: diva2:589558
Konferens
14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), 11-16 September 2011, Cleveland, OH, USA
Tillgänglig från: 2013-01-18 Skapad: 2013-01-18 Senast uppdaterad: 2013-02-04

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Bergman, PederBooker, Ian DonLilja, LouiseHassan, JawadJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Bergman, PederBooker, Ian DonLilja, LouiseHassan, JawadJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 111 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf