liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-2597-3322
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
2013 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 366, s. 61-66Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We have studied growth and self-separation of bulk GaN on c-oriented Al2O3 using low temperature (LT) GaN buffer layers. By studying the X-ray diffraction (XRD) signature for the asymmetric and symmetric reflections versus the LT-GaN thickness and V/III precursor ratio, we observe that the peak width of the reflections is minimized using a LT buffer thickness of ∼100–300 nm. It was observed that the V/III precursor ratio has a strong influence on the morphology. In order to obtain a smooth morphology, the V/III precursor ratio has to be more than 17 during the growth of the buffer layer. By using an optimized LT buffer layer for growth of a 20 μm thick GaN layer, we obtain a XRD peak with a full width at half maximum of ∼400 and ∼250 arcs for (002) and (105) reflection planes, respectively, and with a dark pit density of ∼2.2×108 cm−2. For layers thicker than 1 mm, the GaN was spontaneously separated and by utilizing this process, thick free freestanding 2″ GaN substrates were manufactured.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier, 2013. Vol. 366, s. 61-66
Nyckelord [en]
Crystal morphology, Interfaces, Roughening, Growth from vapor, Hydride vapor phase epitaxy, Nitrides
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-90144DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.016ISI: 000314824800013OAI: oai:DiVA.org:liu-90144DiVA, id: diva2:612149
Anmärkning

Funding Agencies|Swedish Research Science Council||Swedish Energy Agency||

Tillgänglig från: 2013-03-20 Skapad: 2013-03-20 Senast uppdaterad: 2017-12-06

Open Access i DiVA

fulltext(1094 kB)1520 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 1094 kBChecksumma SHA-512
d3d5ca78b34e7440b63f9dfccca8bc3db69fb03d43c649392e80daa451ac5eab985fda3de6044fa58c1ff4094b15218d5f8efa285a50a8b702c77efcc816b379
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Hemmingsson, CarlPozina, Galia

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hemmingsson, CarlPozina, Galia
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanTunnfilmsfysik
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 1520 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 255 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf