liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Ti3SiC2-formation during Ti–C–Si multilayer deposition by magnetron sputtering at 650 °C
Manchester Metropolitan University, UK.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0003-1785-0864
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: Vacuum, ISSN 0042-207X, E-ISSN 1879-2715, Vol. 93, s. 56-59Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Titanium Silicon Carbide films were deposited from three separate magnetrons with elemental targets onto Si wafer substrates. The substrate was moved in a circular motion such that the substrate faces each magnetron in turn and only one atomic species (Ti, Si or C) is deposited at a time. This allows layer-by-layer film deposition. Material average composition was determined to Ti0.47Si0.14C0.39 by energy-dispersive X-ray spectroscopy. High-resolution transmission electron microscopy and Raman spectroscopy were used to gain insights into thin film atomic structure arrangements. Using this new deposition technique formation of Ti3SiC2 MAX phase was obtained at a deposition temperature of 650 °C, while at lower temperatures only silicides and carbides are formed. Significant sharpening of Raman E2g and Ag peaks associated with Ti3SiC2 formation was observed.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier , 2013. Vol. 93, s. 56-59
Nyckelord [en]
MAX phase, Titanium silicon carbide, Nano-laminate, Physical vapour deposition, Raman microscopy
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-91005DOI: 10.1016/j.vacuum.2013.01.003ISI: 000316092900010OAI: oai:DiVA.org:liu-91005DiVA, id: diva2:615673
Anmärkning

Funding Agencies|EPSRC|EP/G033471/1EP/F056117/1|ERC|227754|

Tillgänglig från: 2013-04-12 Skapad: 2013-04-11 Senast uppdaterad: 2017-12-06Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(969 kB)630 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 969 kBChecksumma SHA-512
0d890de3d2d6a202a76b2da229d7f55a377dcbe313d8082d5fa6919ad8b5811f91a233dceaada03cb2556e24e1317687846faadd8f385dffae56867e6db4d6c3
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Lu, JunEklund, PerHultman, Lars

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Lu, JunEklund, PerHultman, Lars
Av organisationen
TunnfilmsfysikTekniska högskolan
I samma tidskrift
Vacuum
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 630 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 381 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf