liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Large-area microfocal spectroscopic ellipsometry mapping of thickness and electronic properties of epitaxial graphene on Si- and C-face of 3C-SiC(111)
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Department of Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska, USA.
Lund University, Maxlab, Lund, Sweden.
Department of Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska, USA.
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 102, nr 21, s. 213116-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Microfocal spectroscopic ellipsometry mapping of the electronic properties and thickness of epitaxial graphene grown by high-temperature sublimation on 3C-SiC (111) substrates is reported. Growth of one monolayer graphene is demonstrated on both Si- and C-polarity of the 3C-SiC substrates and it is shown that large area homogeneous single monolayer graphene can be achieved on the Si-face substrates. Correlations between the number of graphene monolayers on one hand and the main transition associated with an exciton enhanced van Hove singularity at ∼4.5 eV and the free-charge carrier scattering time, on the other are established. It is shown that the interface structure on the Si- and C-polarity of the 3C-SiC(111) differs and has a determining role for the thickness and electronic properties homogeneity of the epitaxial graphene.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics (AIP) , 2013. Vol. 102, nr 21, s. 213116-
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-96134DOI: 10.1063/1.4808379ISI: 000320620400073OAI: oai:DiVA.org:liu-96134DiVA, id: diva2:640750
Tillgänglig från: 2013-08-14 Skapad: 2013-08-14 Senast uppdaterad: 2017-12-06

Open Access i DiVA

fulltext(1592 kB)292 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 1592 kBChecksumma SHA-512
5a715cd0cb799c1e5c0b5cb1c96095a272d51a483e66c89ea3b1223405c786b5a11e39c0949cd312baa9ab87d4ae1b55defe64f21edbd666dbef8ac42308589e
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaIakimov, TihomirVasiliauskas, RemigijusYakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Darakchieva, VanyaIakimov, TihomirVasiliauskas, RemigijusYakimova, Rositsa
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 292 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 234 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf