liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Structural investigation of heteroepitaxial 3C-SiC grown on 4H-SiC substrates
Linköpings universitet, Institutionen för samhälls- och välfärdsstudier, Lärande, Estetik, Naturvetenskap (LEN). Linköpings universitet, Utbildningsvetenskap.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
2013 (Engelska)Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012, Trans Tech Publications , 2013, Vol. 740-742, s. 319-322Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

3C-SiC epilayers grown on Si-face nominally on-axis 4H-SiC substrate are characterized with X-ray diffraction techniques. The aim was to investigate if these 3C-SiC epilayers were grown by single domain growth. The results show that all samples start by having several nucleation centers all over the substrate surface and the growth continues with two domain formations. As the growth proceeds one domain overtakes the growth and single domain crystal growth occurs. This single domain was further investigated and the results show that it seems to contain many sub-domains with same lattice constant but slightly tilted.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications , 2013. Vol. 740-742, s. 319-322
Nyckelord [en]
heteropepitaxy; 3C-SiC; XRD
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-96512DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.319ISI: 000319785500075OAI: oai:DiVA.org:liu-96512DiVA, id: diva2:642374
Konferens
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012)
Tillgänglig från: 2013-08-21 Skapad: 2013-08-20 Senast uppdaterad: 2014-10-08

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Jacobson, HenrikLi, XunJanzén, ErikHenry, Anne

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Jacobson, HenrikLi, XunJanzén, ErikHenry, Anne
Av organisationen
Lärande, Estetik, Naturvetenskap (LEN)UtbildningsvetenskapHalvledarmaterialTekniska högskolan
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 72 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf