liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Simulation of Gas-Phase Chemistry for Selected Carbon Precursors in Epitaxial Growth of SiC
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-8116-9980
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-6175-1815
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Vise andre og tillknytning
2013 (engelsk)Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 740-742, s. 213-216Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

Numerical simulations are one way to obtain a better and more detailed understanding of the chemical vapor deposition process of silicon carbide. Although several attempts have been made in this area during the past ten years, there is still no general model valid for any range of process parameters and choice of precursors, that can be used to control the growth process, and to optimize growth equipment design. In this paper a first step towards such a model is taken. Here, mainly the hydrocarbon chemistry is studied by a detailed gas-phase reaction model, and comparison is made between C3H8 and CH4 as carbon precursor. The results indicate that experimental differences, which previous models have been unable to predict, may be explained by the new model.

sted, utgiver, år, opplag, sider
Trans Tech Publications , 2013. Vol. 740-742, s. 213-216
Emneord [en]
Epitaxial growth; Chemical Vapor Deposition; Modeling; Simulation; Gas-phase chemistry; Hydrocarbons
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-96506DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.213ISI: 000319785500051OAI: oai:DiVA.org:liu-96506DiVA, id: diva2:642801
Konferanse
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012)
Tilgjengelig fra: 2013-08-23 Laget: 2013-08-20 Sist oppdatert: 2017-12-06

Open Access i DiVA

fulltext(286 kB)395 nedlastinger
Filinformasjon
Fil FULLTEXT01.pdfFilstørrelse 286 kBChecksum SHA-512
b0ea231ff8478eeafb3558b3c9513b5d871ece42cea2af8ad4276a14f03fe6cbcfc29d637ce302a034996de2d9a032eb3aadd02882bd51cfaaaab383bdc9ee9f
Type fulltextMimetype application/pdf

Andre lenker

Forlagets fulltekst

Personposter BETA

Danielsson, ÖrjanSukkaew, PitsiriYazdanfar, MilanKordina, OlleJanzén, Erik

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Danielsson, ÖrjanSukkaew, PitsiriYazdanfar, MilanKordina, OlleJanzén, Erik
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Materials Science Forum

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 395 nedlastinger
Antall nedlastinger er summen av alle nedlastinger av alle fulltekster. Det kan for eksempel være tidligere versjoner som er ikke lenger tilgjengelige

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 238 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf