liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electronic transport properties in aluminum indium nitride nanorods grown by magnetron sputter epitaxy
National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan.
Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-7192-0670
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: Applied Surface Science, ISSN 0169-4332, E-ISSN 1873-5584, Vol. 285, s. 625-628Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The electronic transport properties of the wide-bandgap aluminum indium nitride (AlInN) nanorods (NRs) grown by ultrahigh-vacuum magnetron sputter epitaxy (MSE) have been studied. The conductivities of the ternary compound nanostructure locates at the value of 15 Q-1 cm -1, which is respectively one and two orders of magnitude lower than the binary GaN and InN counterparts grown by chemical vapor deposition (CVD). The very shallow donor level/band with the activation energy at 11 + 2 meV was obtained by the temperature-dependent measurement. In addition, the photoconductivity has also been investigated. The photoconductive (PC) gain of the NRs device can reach near 2400 under a low bias at 0.1 V and the light intensity at 100W m-2 for ultraviolet response in vacuum. The power-insensitive gain and ambience-dependent photocurrent are also observed, which is attributed to the probable surfacecontrolled PC mechanism in this ternary nitride nanostructure.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier, 2013. Vol. 285, s. 625-628
Nyckelord [en]
Aluminum indium nitride, Nanorod, Photoconductivity, Magnetron sputter epitaxy
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-98047DOI: 10.1016/j.apsusc.2013.08.102ISI: 000326579400072OAI: oai:DiVA.org:liu-98047DiVA, id: diva2:651567
Tillgänglig från: 2013-09-26 Skapad: 2013-09-26 Senast uppdaterad: 2021-12-29

Open Access i DiVA

fulltext(438 kB)1444 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 438 kBChecksumma SHA-512
57e3b0cabeecdd477fcee744930f9ba6af1249220bc9f0e6ad1e51aa08ee24131da6e209d100c6556adbb65e549d83e6c5afd85df6d5511b378e1b56e4bb1a9f
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Person

Hsiao, Ching-LienHoltz, Per OlofBirch, Jens

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hsiao, Ching-LienHoltz, Per OlofBirch, Jens
Av organisationen
TunnfilmsfysikTekniska högskolanHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Applied Surface Science
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 1444 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 504 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf