liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Epitaxial growth of gamma-Al2O3 on Ti2AlC(0001) by reactive high-power impulse magnetron sputtering
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0003-1785-0864
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2014 (Engelska)Ingår i: AIP Advances, ISSN 2158-3226, E-ISSN 2158-3226, Vol. 4, nr 1, s. 017138-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Al2O3 was deposited by reactive high-power impulse magnetron sputtering at 600 degrees C onto pre-deposited Ti2AlC(0001) thin films on alpha-Al2O3(0001) substrates. The Al2O3 was deposited to a thickness of 65 nm and formed an adherent layer of epitaxial gamma-Al2O3(111) as shown by transmission electron microscopy. The demonstration of epitaxial growth of gamma-Al2O3 on Ti2AlC (0001) open prospects for growth of crystalline alumina as protective coatings on Ti2AlC and related nanolaminated materials. The crystallographic orientation relationships are gamma-Al2O3(111)//Ti2AlC(0001) (out-of-plane) and gamma-Al2O3(2 (2) over bar0)//Ti2AlC(11 (2) over bar0) (in-plane) as determined by electron diffraction. Annealing in vacuum at 900 degrees C resulted in partial decomposition of the Ti2AlC by depletion of Al and diffusion into and through the gamma-Al2O3 layer.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics (AIP) , 2014. Vol. 4, nr 1, s. 017138-
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-105419DOI: 10.1063/1.4863560ISI: 000331209400038OAI: oai:DiVA.org:liu-105419DiVA, id: diva2:706646
Tillgänglig från: 2014-03-21 Skapad: 2014-03-21 Senast uppdaterad: 2017-12-05

Open Access i DiVA

fulltext(717 kB)445 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 717 kBChecksumma SHA-512
57a7a4a276961cc5eecc1d5f29495060be797df4aa297e12ccda87fe8426a4f20b224643c92dd9d107c000ed78386389b5e53df927eb0cfc32c305c986a340fb
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Eklund, PerFrodelius, JennyHultman, LarsLu, JunMagnfält, Daniel

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Eklund, PerFrodelius, JennyHultman, LarsLu, JunMagnfält, Daniel
Av organisationen
TunnfilmsfysikTekniska högskolanPlasma och beläggningsfysik
I samma tidskrift
AIP Advances
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 445 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 421 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf