liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Boron nitride: A new photonic material
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-7171-5383
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2014 (Engelska)Ingår i: Physica. B, Condensed matter, ISSN 0921-4526, E-ISSN 1873-2135, Vol. 439, s. 29-34Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Rhombohedral boron nitride (r-BN) layers were grown on sapphire substrate in a hot-wall chemical vapor deposition reactor. Characterization of these layers is reported in details. X-ray diffraction (XRD) is used as a routine characterization tool to investigate the crystalline quality of the films and the identification of the phases is revealed using detailed pole figure measurements. Transmission electron microscopy reveals stacking of more than 40 atomic layers. Results from Fourier Transform InfraRed (FTIR) spectroscopy measurements are compared with XRD data showing that FTIR is not phase sensitive when various phases of sp(2)-BN are investigated. XRD measurements show a significant improvement of the crystalline quality when adding silicon to the gas mixture during the growth; this is further confirmed by cathodoluminescence which shows a decrease of the defects related luminescence intensity.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier , 2014. Vol. 439, s. 29-34
Nyckelord [en]
Boron nitride; Epitaxy; XRD; TEM; FTIR; Cathodoluminescence
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-105563DOI: 10.1016/j.physb.2013.10.068ISI: 000331620700007OAI: oai:DiVA.org:liu-105563DiVA, id: diva2:708875
Tillgänglig från: 2014-03-31 Skapad: 2014-03-27 Senast uppdaterad: 2017-12-05

Open Access i DiVA

fulltext(819 kB)1657 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 819 kBChecksumma SHA-512
833f81a0096b651b668f7ff45c1fae99fe689a249f883de7b29d78fbde6368b19a32b20ce5842fa58f0e3a1601973e22be3484419ff14e735899e7cd253e689c
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Pedersen, HenrikHögberg, HansFilippov, StanislavHenry, Anne

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Pedersen, HenrikHögberg, HansFilippov, StanislavHenry, Anne
Av organisationen
Institutionen för fysik, kemi och biologiTekniska högskolanKemiTunnfilmsfysikFunktionella elektroniska material
I samma tidskrift
Physica. B, Condensed matter
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 1657 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 258 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf