liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Exploring graphene formation on the C-terminated face of SiC by structural, chemical and electrical methods
National Phys Lab, England .
National Phys Lab, England .
National Phys Lab, England .
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2014 (Engelska)Ingår i: Carbon, ISSN 0008-6223, E-ISSN 1873-3891, Vol. 69, s. 221-229Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The properties of epitaxial graphene on the C-face of SiC are investigated using comprehensive structural, chemical and electrical analyses. By matching similar nanoscale features on the surface potential and Raman spectroscopy maps, individual domains have been assigned to graphene patches of 1-5 monolayers thick, as well as bare SiC substrate. Furthermore, these studies revealed that the growth proceeds in an island-like fashion, consistent with the Volmer-Weber growth mode, illustrating also the presence of nucleation sites for graphene domain growth. Raman spectroscopy data shows evidence of large area crystallites (up to 620 nm) and high quality graphene on the C-face of SiC. A comprehensive chemical analysis of the sample has been provided by X-ray photoelectron spectroscopy investigations, further supporting surface potential mapping observations on the thickness of graphene layers. It is shown that for the growth conditions used in this study, 5 monolayer thick graphene does not form a continuous layer, so such thickness is not sufficient to completely cover the substrate.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier , 2014. Vol. 69, s. 221-229
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-105896DOI: 10.1016/j.carbon.2013.12.018ISI: 000331917900023OAI: oai:DiVA.org:liu-105896DiVA, id: diva2:712112
Tillgänglig från: 2014-04-14 Skapad: 2014-04-12 Senast uppdaterad: 2017-12-05

Open Access i DiVA

fulltext(1047 kB)863 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 1047 kBChecksumma SHA-512
c760f4170394888c337086fbc5fc11a70959d1dfa9cc5c896e1b39a4861ecbfb3a40c181c461c788aae01a0858b8fbce35f62cc458eed5397f70ac9b8553cbd9
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Yakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Yakimova, Rositsa
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
I samma tidskrift
Carbon
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 863 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 149 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf