liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Low-temperature deposition of cubic BN: C films by unbalanced direct current magnetron sputtering of a B4C target
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
1996 (Engelska)Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films, ISSN 0734-2101, E-ISSN 1520-8559, Vol. 14, nr 6, s. 3100-3107Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Controllable-unbalanced de magnetron sputtering of a B4C target in mixed Ar-N-2 discharges has been used to deposit BN:C thin films with carbon concentrations in the range of 5-21 at, % on Si(001) substrates. The variation of the nitrogen gas consumption with nitrogen partial pressure was used to determine the sorption capacity of the sputtering source and was then correlated to the film discharge plasma density near the substrate in a wide range. Hence, the ion flux J(i) of primary Ar+ and N-2(+) ions accelerated to the substrate by an applied negative substrate bias could be varied while keeping the deposition flux J(n) (the sum of film building species, B, C, and N atoms) near constant. BN:C films were grown at large ion-to-neutral flux ratios 3 less than or equal to J(i)/J(n) less than or equal to 24, ion energies E(i) less than or equal to 500 eV, and substrate temperatures 150 less than or equal to T-s less than or equal to 350 degrees C. The phase and elemental composition of as-deposited BN:C films were characterized by Fourier transform infrared spectroscopy and wavelength dispersive x-ray spectroscopy, respectively. Deposition of cubic phase c-BN:C containing 5-7 at. % of C is demonstrated under conditions of low energy (110 eV) ion bombardment, a high ion-to-atom arrival rate ration (J(i)/J(n) similar to 24), and low growth temperatures (similar to 150 degrees C). (C) 1996 American Vacuum Society.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics (AIP), 1996. Vol. 14, nr 6, s. 3100-3107
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-105980DOI: 10.1116/1.580178OAI: oai:DiVA.org:liu-105980DiVA, id: diva2:712781
Tillgänglig från: 2014-04-16 Skapad: 2014-04-15 Senast uppdaterad: 2017-12-05Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Ivanov, IvanHultman, LarsMünger, Peter

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Ivanov, IvanHultman, LarsMünger, Peter
Av organisationen
TunnfilmsfysikTekniska högskolanTeoretisk Fysik
I samma tidskrift
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 151 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf