liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Oxidation induced ON1, ON2a/b defects in 4H-SiC characterized by DLTS
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Komplexa material och system. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2014 (Engelska)Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2, Trans Tech Publications , 2014, Vol. 778-780, s. 281-284Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The deep levels ON1 and ON2a/b introduced by oxidation into 4H-SiC are characterized via standard DLTS and via filling pulse dependent DLTS measurements. Separation of the closely spaced ON2a/b defect is achieved by using a higher resolution correlation function (Gaver-Stehfest 4) and apparent energy level, apparent electron capture cross section and filling pulse measurement derived capture cross sections are given.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications , 2014. Vol. 778-780, s. 281-284
Serie
Materials Science Forum, ISSN 1662-9752 ; 778-780
Nyckelord [en]
4H-SiC; DLTS; oxidation; carrier lifetime; defect; deep level; trap; capture cross section
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-108196DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.281ISI: 000336634100066OAI: oai:DiVA.org:liu-108196DiVA, id: diva2:729500
Konferens
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013
Tillgänglig från: 2014-06-26 Skapad: 2014-06-26 Senast uppdaterad: 2015-04-01

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Booker, Ian DonAbdalla, Hassanul-Hassan, JawadBergman, PederSveinbjörnsson, EinarJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Booker, Ian DonAbdalla, Hassanul-Hassan, JawadBergman, PederSveinbjörnsson, EinarJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanKomplexa material och system
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 214 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf