liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Controlling the carrier concentration of epitaxial graphene by ultraviolet illumination
National Physical Laboratory, Teddington, United Kingdom, Royal Holloway, University of London, United Kingdom.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
National Physical Laboratory, Teddington, United Kingdom.
2014 (Engelska)Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 / [ed] Okumura, H; Harima, H; Kimoto, T; Yoshimoto, M; Watanabe, H; Hatayama, T; Matsuura, H; Funaki, T; Sano, Y, Switzerland: Trans Tech Publications , 2014, Vol. 778-780, s. 1137-1141Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Silicon carbide (SiC) is a well-known material for UV detection however the effect of UV illumination on the electron donation between the substrate, interfacial (or buffer layer) and graphene is not well understood. The effect of ultraviolet (UV) illumination on the carrier concentration of an epitaxial graphene hall bar device is investigated by scanning Kelvin probe microscopy (SKPM) and transport measurements in ambient and vacuum conditions. Modulation of the carrier concentration is demonstrated and shown to be due to both substrate and environmental effects.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Switzerland: Trans Tech Publications , 2014. Vol. 778-780, s. 1137-1141
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476
Nyckelord [en]
Carrier concentration modulation; Epitaxial graphene; Scanning kelvin probe microscopy; Ultraviolet illumination
Nationell ämneskategori
Kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-110535DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1137ISI: 000336634100268Scopus ID: 2-s2.0-84896086051ISBN: 9783038350101 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-110535DiVA, id: diva2:748103
Konferens
15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2013
Tillgänglig från: 2014-09-18 Skapad: 2014-09-12 Senast uppdaterad: 2014-09-18

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Yakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Yakimova, Rositsa
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 57 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf