liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Improved GaN-on-SiC transistor thermal resistance by systematic nucleation layer growth optimization
University of Bristol, UK.
Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden .
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2013 IEEE, IEEE , 2013, s. 1-4Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Impressive power densities have been demonstrated for GaN-on-SiC based high-power high-frequency transistors, although further gains can be achieved by further minimizing the device thermal resistance. A significant 10-30% contribution to the total device thermal resistance originates from the high defect density AlN nucleation layer at the GaN/SiC interface. This thermal resistance contribution was successfully reduced by performing systematic growth optimization, investigating growth parameters including: Substrate pretreatment temperature, growth temperature and deposition time. Interfacial thermal resistance, characterized by time resolved Raman thermography measurements AlGaN/GaN HEMT structures, were minimized by using a substrate pretreatment and growth temperature of 1200 °C. Reducing the AlN thickness from 105 nm (3.3×10-8W/m2K) to 35 nm (3.3×10-8 W/m2K), led to a ~2.5× interfacial thermal resistance reduction and the lowest value reported for a standard AlGaN/GaN HEMT structure.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE , 2013. s. 1-4
Nyckelord [en]
Gallium nitride, HEMTs, optical microscopy, Raman scattering, semiconductor growth, temperature measurement, thermal analysis, thermal resistance
Nationell ämneskategori
Kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-111501DOI: 10.1109/CSICS.2013.6659233ISBN: 978-147990583-6 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-111501DiVA, id: diva2:756850
Konferens
35th IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS 2013), Monterey, CA, USA, 13-16 October 2013
Tillgänglig från: 2014-10-20 Skapad: 2014-10-20 Senast uppdaterad: 2015-04-17Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Chen, Jr-TaiForsberg, UrbanJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Chen, Jr-TaiForsberg, UrbanJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 100 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf