liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Dual-wavelength excited photoluminescence spectroscopy of deep-level hole traps in Ga(In)NP
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, California, USA .
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan .
Visa övriga samt affilieringar
2015 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 117, s. 015701-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

By employing photoluminescence(PL) spectroscopy under dual-wavelength optical excitation, we uncover the presence of deep-level hole traps in Ga(In)NP alloys grown by molecular beam epitaxy(MBE). The energy level positions of the traps are determined to be at 0.56 eV and 0.78 eV above the top of the valance band. We show that photo-excitation of the holes from the traps, by a secondary light source with a photonenergy below the bandgapenergy, can lead to a strong enhancement (up to 25%) of the PL emissions from the alloys under a primary optical excitation above the bandgapenergy. We further demonstrate that the same hole traps can be found in various MBE-grown Ga(In)NP alloys, regardless of their growth temperatures, chemical compositions, and strain. The extent of the PL enhancement induced by the hole de-trapping is shown to vary between different alloys, however, likely reflecting their different trap concentrations. The absence of theses traps in the GaNP alloy grown by vapor phase epitaxy suggests that their incorporation could be associated with a contaminant accompanied by the N plasma source employed in the MBEgrowth, possibly a Cu impurity.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2015. Vol. 117, s. 015701-
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-113961DOI: 10.1063/1.4905274ISI: 000347958600065OAI: oai:DiVA.org:liu-113961DiVA, id: diva2:785901
Tillgänglig från: 2015-02-04 Skapad: 2015-02-04 Senast uppdaterad: 2017-12-05

Open Access i DiVA

fulltext(1321 kB)301 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 1321 kBChecksumma SHA-512
001e2376223c6a9e1ccb01605511f960fb656251892487fd8fa3bf5fbc7e188e84f8dc6b86eab4d700466983e0a87ff48e18fc4eb407917eafa08be0942650e9
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Dagnelund, DanielHuang, YuqingBuyanova, IrinaChen, Weimin

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Dagnelund, DanielHuang, YuqingBuyanova, IrinaChen, Weimin
Av organisationen
Funktionella elektroniska materialTekniska högskolan
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 301 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 230 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf