liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Room-Temperature mobility above 2200 cm2/V.s of two-dimensional electron gas in a sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2015 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 106, nr 25, artikel-id 251601Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A high mobility of 2250 cm2/V·s of a two-dimensional electron gas (2DEG) in a metalorganic chemical vapor deposition-grown AlGaN/GaN heterostructure was demonstrated. The mobility enhancement was a result of better electron confinement due to a sharp AlGaN/GaN interface, as confirmed by scanning transmission electron microscopy analysis, not owing to the formation of a traditional thin AlN exclusion layer. Moreover, we found that the electron mobility in the sharp-interface heterostructures can sustain above 2000 cm2/V·s for a wide range of 2DEG densities. Finally, it is promising that the sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure would enable low contact resistance fabrication, less impurity-related scattering, and trapping than the AlGaN/AlN/GaN heterostructure, as the high-impurity-contained AlN is removed.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics (AIP), 2015. Vol. 106, nr 25, artikel-id 251601
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-117133DOI: 10.1063/1.4922877ISI: 000357036600005OAI: oai:DiVA.org:liu-117133DiVA, id: diva2:805915
Tillgänglig från: 2015-04-17 Skapad: 2015-04-17 Senast uppdaterad: 2017-12-04Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures
2015 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

The present work was to improve the overall quality of GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial structures grown on semi-insulating (SI) SiC and native GaN substrates, using an approach called bottom-to-top optimization. The bottom-to-top optimization means an entire growth process optimization, from in-situ substrate pretreatment to the epitaxial growth and then the cooling process. Great effort was put to gain the understanding of the influence of growth parameters on material properties and consequently to establish an advanced and reproducible growth process. Many state-of-the-art material properties of GaN-based HEMT structures were achieved in this work, including superior structural integrity of AlN nucleation layers for ultra-low thermal boundary resistance, excellent control of residual impurities, outstanding and nearly-perfect crystalline quality of GaN epilayers grown on SiC and native GaN substrates, respectively, and record-high room temperature 2DEG mobility obtained in simple AlGaN/GaN heterostructures.

The epitaxial growth of the wide bandgap III-nitride epilayers like GaN, AlN,  AlGaN, and InAlN, as well as various GaN-based HEMT structures was all carried out in a hot-wall metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system. A variety of structural and electrical characterizations were routinely used to provide fast feedback for adjusting growth parameters and developing improved growth processes.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Linköping: Linköping University Electronic Press, 2015. s. 59
Serie
Linköping Studies in Science and Technology. Dissertations, ISSN 0345-7524 ; 1662
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
urn:nbn:se:liu:diva-117138 (URN)10.3384/diss.diva-117138 (DOI)978-91-7519-073-0 (ISBN)
Disputation
2015-05-12, Planck, Fysikhuset, Campus Valla, Linköping, 10:15 (Engelska)
Opponent
Handledare
Tillgänglig från: 2015-04-17 Skapad: 2015-04-17 Senast uppdaterad: 2019-11-15Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(2302 kB)368 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 2302 kBChecksumma SHA-512
3f6f53fcc6156ef9c2f2842edc01ec186d3c62d08637f741f46bc3d2c27696938091912e0d12bf5ef5a61be628545a71f4697c220df69d5a5a291268aaac8166
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Chen, Jr-TaiPersson, IngemarNilsson, DanielHsu, Chih-WeiPalisaitis, JustinasForsberg, UrbanPersson, PerJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Chen, Jr-TaiPersson, IngemarNilsson, DanielHsu, Chih-WeiPalisaitis, JustinasForsberg, UrbanPersson, PerJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanTunnfilmsfysikTekniska fakulteten
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 368 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 618 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf