liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Role of Thick-Lithium Fluoride Layer in Energy Level Alignment at Organic/Metal Interface: Unifying Effect on High Metallic Work Functions
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Ytors Fysik och Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Ytors Fysik och Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Ytors Fysik och Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Ytors Fysik och Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2015 (Engelska)Ingår i: ADVANCED MATERIALS INTERFACES, ISSN 2196-7350, Vol. 2, nr 4, s. 1400527-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The function of approximate to 3-nm thick lithium fluoride (LiF) buffer layers in combination with high work function metal contacts such as coinage metals and ferromagnetic metals for use in organic electronics and spintronics is investigated. The energy level alignment at the organic/LiF/metal interface is systematically studied using photoelectron spectroscopy and the integer charge transfer model. The thick-LiF buffer layer is found to pin the Fermi level to approximate to 3.8 eV, regardless of the work function of the initial metal due to energy level bending in the LiF layer caused by depletion of defect states. At 3-nm thickness, the LiF buffer layer provides full coverage, and the organic semiconductor adlayers are found to physisorb with the consequence that the energy level alignment at the organic/LiF interface follows the integer charge transfer models predictions.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Wiley: 12 months , 2015. Vol. 2, nr 4, s. 1400527-
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-117235DOI: 10.1002/admi.201400527ISI: 000350756300005OAI: oai:DiVA.org:liu-117235DiVA, id: diva2:807097
Anmärkning

Funding Agencies|European Commission [NMP3-SL-2011-263104]; SUNFLOWER (FP7-ICT-7) [287594]; Swedish Research Council [2013-4022]; Goran Gustafsson Foundation for Research in Natural Sciences and Medicine

Tillgänglig från: 2015-04-22 Skapad: 2015-04-21 Senast uppdaterad: 2015-06-03

Open Access i DiVA

fulltext(767 kB)1056 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 767 kBChecksumma SHA-512
7ecf8d2dc3747753845253b6af935409dd09a9903d97b18ef59d58c02c52fc37a9891f04b5a818d330fe54ff51981f8e45d9359547272c80b9cb9731827419d9
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Person

Sun, ZhengyiShi, ShengweiBao, QinyeLiu, XianjieFahlman, Mats

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Sun, ZhengyiShi, ShengweiBao, QinyeLiu, XianjieFahlman, Mats
Av organisationen
Ytors Fysik och KemiTekniska högskolan
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 1060 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 291 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf