liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Chloride-based SiC growth on a-axis 4H-€“SiC substrates
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0003-1000-0437
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: Physica. B, Condensed matter, ISSN 0921-4526, E-ISSN 1873-2135, Vol. 480, s. 23-25Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Resurstyp
Text
Abstract [en]

Abstract SiC has, during the last few years, become increasingly important as a power-device material for high voltage applications. The thick, low-doped voltage-supporting epitaxial layer is normally grown by CVD on 4° off-cut 4H–SiC substrates at a growth rate of 5 – 10 ÎŒ m / h using silane (SiH4) and propane (C3H8) or ethylene (C2H4) as precursors. The concentrations of epitaxial defects and dislocations depend to a large extent on the underlying substrate but can also be influenced by the actual epitaxial growth process. Here we will present a study on the properties of the epitaxial layers grown by a Cl-based technique on an a-axis (90° off-cut from c-direction) 4H–SiC substrate.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier, 2016. Vol. 480, s. 23-25
Nyckelord [en]
4H–SiC; a-face; DLTS; Photoluminescence; Raman; Epitaxy
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-123948DOI: 10.1016/j.physb.2015.08.038ISI: 000365600300005OAI: oai:DiVA.org:liu-123948DiVA, id: diva2:894285
Konferens
6th South African Conference on Photonic Materials (SACPM 2015), Mabula Game Lodge, South Africa, 4 – 8 May 2015
Tillgänglig från: 2016-01-14 Skapad: 2016-01-14 Senast uppdaterad: 2017-11-30Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Booker, Ian D.Farkas, IldikoIvanov, Ivan G.Ul Hassan, JawadJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Booker, Ian D.Farkas, IldikoIvanov, Ivan G.Ul Hassan, JawadJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska fakulteten
I samma tidskrift
Physica. B, Condensed matter
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 116 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf