liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Carbon doped GaN buffer layer using propane for high electron mobility transistor applications: Growth and device results
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Chalmers, Sweden.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0001-8116-9980
Visa övriga samt affilieringar
2015 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 107, nr 26, s. 262105-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Resurstyp
Text
Abstract [en]

The creation of a semi insulating (SI) buffer layer in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) devices is crucial for preventing a current path beneath the two-dimensional electron gas (2DEG). In this investigation, we evaluate the use of a gaseous carbon gas precursor, propane, for creating a SI GaN buffer layer in a HEMT structure. The carbon doped profile, using propane gas, is a two stepped profile with a high carbon doping (1.5 x 10(18) cm(-3)) epitaxial layer closest to the substrate and a lower doped layer (3 x 10(16) cm(-3)) closest to the 2DEG channel. Secondary Ion Mass Spectrometry measurement shows a uniform incorporation versus depth, and no memory effect from carbon doping can be seen. The high carbon doping (1.5 x 10(18) cm(-3)) does not influence the surface morphology, and a roughness root-mean-square value of 0.43 nm is obtained from Atomic Force Microscopy. High resolution X-ray diffraction measurements show very sharp peaks and no structural degradation can be seen related to the heavy carbon doped layer. HEMTs are fabricated and show an extremely low drain induced barrier lowering value of 0.1 mV/V, demonstrating an excellent buffer isolation. The carbon doped GaN buffer layer using propane gas is compared to samples using carbon from the trimethylgallium molecule, showing equally low leakage currents, demonstrating the capability of growing highly resistive buffer layers using a gaseous carbon source. (C) 2015 AIP Publishing LLC.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
AMER INST PHYSICS , 2015. Vol. 107, nr 26, s. 262105-
Nationell ämneskategori
Kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-125161DOI: 10.1063/1.4937575ISI: 000368442300020OAI: oai:DiVA.org:liu-125161DiVA, id: diva2:903398
Anmärkning

Funding Agencies|Swedish Defense Materiel Administration (FMV); Swedish Foundation for Strategic Research (SSF)

Tillgänglig från: 2016-02-15 Skapad: 2016-02-15 Senast uppdaterad: 2017-11-30

Open Access i DiVA

fulltext(1043 kB)236 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 1043 kBChecksumma SHA-512
0acc9359b8e1800f8602979bb52bce715ccd5edf3225c799ac51169bfa63931f621de368b05532b545a55c25529027d59c5fea51a33733884b7ec900e4baa487
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Li, XunNilsson, DanielDanielsson, ÖrjanPedersen, HenrikJanzén, ErikForsberg, Urban

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Li, XunNilsson, DanielDanielsson, ÖrjanPedersen, HenrikJanzén, ErikForsberg, Urban
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska fakultetenKemi
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 236 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 301 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf