liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
AlGaN/GaN high electron mobility transistors with intentionally doped GaN buffer using propane as carbon precursor
Chalmers, Gothenburg, Sweden.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0001-8116-9980
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: Japanese Journal of Applied Physics, ISSN 0021-4922, E-ISSN 1347-4065, Vol. 55, s. 05FK02-1-05FK02-4, artikel-id 05FK02Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on a heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition using analternative method of carbon (C) doping the buffer are characterized. C-doping is achieved by using propane as precursor, as compared to tuningthe growth process parameters to control C-incorporation from the gallium precursor. This approach allows for optimization of the GaN growthconditions without compromising material quality to achieve semi-insulating properties. The HEMTs are evaluated in terms of isolation anddispersion. Good isolation with OFF-state currents of 2 ' 10%6A/mm, breakdown fields of 70V/μm, and low drain induced barrier lowering of0.13mV/V are found. Dispersive effects are examined using pulsed current–voltage measurements. Current collapse and knee walkout effectslimit the maximum output power to 1.3W/mm. With further optimization of the C-doping profile and GaN material quality this method should offer aversatile approach to decrease dispersive effects in GaN HEMTs.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Institute of Physics Publishing (IOPP), 2016. Vol. 55, s. 05FK02-1-05FK02-4, artikel-id 05FK02
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-128077DOI: 10.7567/JJAP.55.05FK02ISI: 000374697600081OAI: oai:DiVA.org:liu-128077DiVA, id: diva2:928844
Forskningsfinansiär
Stiftelsen för strategisk forskning (SSF)VetenskapsrådetTillgänglig från: 2016-05-16 Skapad: 2016-05-16 Senast uppdaterad: 2017-11-30

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Li, XunNilsson, DanielDanielsson, ÖrjanPedersen, HenrikJanzén, ErikForsberg, Urban

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Li, XunNilsson, DanielDanielsson, ÖrjanPedersen, HenrikJanzén, ErikForsberg, Urban
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska fakultetenKemi
I samma tidskrift
Japanese Journal of Applied Physics
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 215 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf