liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Early stages of growth and crystal structure evolution of boron nitride thin films
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. Grenoble INP, France.
Hungarian Academic Science, Hungary.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: Japanese Journal of Applied Physics, ISSN 0021-4922, E-ISSN 1347-4065, Vol. 55, nr 5, s. 05FD06-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Resurstyp
Text
Abstract [en]

A study of the nucleation and crystal structure evolution at the early stages of the growth of sp(2)-BN thin films on 6H-SiC and alpha-Al2O3 substrates is presented. The growth is performed at low pressure and high temperature in a hot wall CVD reactor, using ammonia and triethylboron as precursors, and H-2 as carrier gas. From high-resolution transmission electron microscopy and X-ray thin film diffraction measurements we observe that polytype pure rhombohedral BN (r-BN) is obtained on 6H-SiC substrates. On alpha-Al2O3 an AlN buffer obtained by nitridation is needed to promote the growth of hexagonal BN (h-BN) to a thickness of around 4 nm followed by a transition to r-BN growth. In addition, when r-BN is obtained, triangular features show up in plan-view scanning electron microscopy which are not seen on thin h-BN layers. The formation of BN after already one minute of growth is confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IOP PUBLISHING LTD , 2016. Vol. 55, nr 5, s. 05FD06-
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-128949DOI: 10.7567/JJAP.55.05FD06ISI: 000374697600030OAI: oai:DiVA.org:liu-128949DiVA, id: diva2:934909
Konferens
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN)
Tillgänglig från: 2016-06-09 Skapad: 2016-06-07 Senast uppdaterad: 2018-03-23

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Henry, AnneGarbrecht, MagnusHögberg, Hans

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Henry, AnneGarbrecht, MagnusHögberg, Hans
Av organisationen
TunnfilmsfysikTekniska fakultetenInstitutionen för fysik, kemi och biologi
I samma tidskrift
Japanese Journal of Applied Physics
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 136 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf