liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1 - 48 av 48
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1. Bishop, S.M.
    et al.
    Preble, E.A.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Sarney, W.
    Chang, H.-R.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Jacobson, Henrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Reitmeier, Z.J.
    Wagner, B.P.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Davis, R.F.
    Characterization and comparison of 4H-SiC(112 over-bar 0) and 4H-SiC(0001) 8° off-axis substrates and homoepitaxial films2004Ingår i: Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol. 815 Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices,2004, 2004, s. 53-58Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 2. Bishop, S.M.
    et al.
    Preble, E.A.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Jacobson, Henrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Wagner, B.P.
    Reitmeier, Z.J.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Davis, R.F.
    Growth of Homoepitaxial Films on 4H-SiC(11-20)and 8° Off-Axis 4H-SiC(0001) Substrates and their Characterization2004Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 457-460, Mater. Sci. Forum, Vol. 457-460: Trans Tech Publications Inc. , 2004, s. 221-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 3. Danielsson, E
    et al.
    Domeij, M
    Lee, HS
    Zetterling, CM
    Ostling, M
    Schoner, A
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    A 4H-SiC BJT with an epitaxially regrown extrinsic base layer2005Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 483, s. 905-908Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    4H-SiC BJTs were fabricated using epitaxial regrowth instead of ion implantation to form a highly doped extrinsic base layer necessary for a good base ohmic contact. A remaining p(+) regrowth spacer at the edge of the base-emitter junction is proposed to explain a low current gain of 6 for the BJTs. A breakdown voltage of 1000 V was obtained for devices with Al implanted JTE.

  • 4.
    Danielsson, Örjan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Reducing stress in silicon carbide epitaxial layers2003Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 252, nr 1-3, s. 289-296Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A susceptor for the epitaxial growth of silicon carbide, with an up-lifted substrate holder, is investigated and compared to other susceptor designs both experimentally and by the use of computational fluid dynamics simulations. It is shown that the wafer bending due to temperature gradients is diminished in a hot-wall reactor compared to growth in a cold-wall reactor. The substrate backside growth is diminished using the up-lifted substrate holder, limiting the substrate bending due to the backside growth. Thereby the stress built into the epitaxial layers during growth is significantly reduced. Simulations indicate a lower effective C/Si ratio over the wafer, and a lower preferable growth temperature, as compared to the original susceptor design. In addition a slightly higher growth rate is achieved

  • 5.
    Hallin, Christer
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Joelsson, Torbjörn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    The effect of thermal gradients on SiC wafers2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 193-196Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    An in-situ curvature measurement equipment has been used to measure the curvature change of 4H-SiC 8degrees off-axis wafers, both with and without a CVD grown epitaxial layer, under beat treatments. The curvature of the wafer was found to increase while heating on the back-side and measuring on the front-side. This was independent whether Si- or C-face was towards the heater. The change in curvature was similar to0.05 m(-1) when ramping the temperature from R.T. up to 1300 degreesC, and was slightly more pronounced in the <11 (2) over bar0> direction compared with the <1 (1) over bar 00> direction.

  • 6.
    Hallin, Christer
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    High quality 6H-SiC (0001) homoepitaxial layers as substrate surface for growth of AlN epitaxial layers2005Ingår i: physica status solidi C, Vol. 2, 2005, Vol. 2, s. 2109-2112Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 7.
    Hallin, Christer
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Wahab, Qamar Ul
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Homoepitaxial On-Axis Growth of 4H- and 6H-SiC by CVD2004Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 457-460, Trans Tech Publications Inc. , 2004, s. 193-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 8.
    Hallin, Christer
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pecz, B.
    Research Institute for Technical Physics, Budapest.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Sofia University.
    Marinova, Ts.
    Bulgarian Academy of Sciences, Sofia.
    Kassamakova, L.
    Bulgarian Academy of Sciences, Plovdiv.
    Kakanakov, R.
    Bulgarian Academy of Sciences, Plovdiv.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Improved Ni ohmic contact on n-type 4H-SiC1997Ingår i: Journal of Electronic Materials, ISSN 0361-5235, Vol. 26, nr 3, s. 119-122Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This paper presents the structural, chemical and electronic properties of Al/Ni/ Al-layers evaporated on 4H silicon carbide and then annealed at 1000°C for 5 min. The structure was investigated before and after annealing by transmission electron spectroscopy from cross-sectional specimens. With x-ray photoelectron spectroscopy, both element distribution and bonding energies were followed during sputtering through the alloyed metal-semiconductor contact. Voids are found in both annealed Ni/4H-SiC and Al/Ni/Al/4H-SiC contact layers, though closer to the metal-semiconductor interface in the former case. The first aluminum-layer is believed to prevent voids to be formed at the interface and also to reduce the oxide on the semiconductor surface. The contact was found to be ohmic with a specific contact resistance ρc - 1.8 × 10−5 Ωcm2 which is more than three times lower ρc than for the ordinary Ni/4H-SiC contact prepared in the same way.

  • 9.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Thick Silicon Carbide Homoepitaxial Layers Grown by CVD Techniques2006Ingår i: Chemical Vapor Deposition, ISSN 0948-1907, E-ISSN 1521-3862, Vol. 12, nr 8-9, s. 475-482Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 10. Jacobson, H.
    et al.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Tuomi, T
    Lendenmann, H
    Properties and origins of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes2004Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 95, nr 3, s. 1485-1488Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Different properties of the reported stacking faults (SFs) and that both these types of SF are present in the material after electrical degradation of pin diodes are shown. One is caused by perfect dislocations, deflected or misfit dislocation that had dissociated into two partial dislocations. The partials are assumed to be close to each other with a separation below the detection limit of the SWBT measurements. Thus, enough energy is provided and the leading partial moves away from the other partial and forms the extended SF.

  • 11.
    Jacobson, H.
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Tuomi, T.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lindefelt, Ulf
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Doping-induced strain in N-doped 4H-SiC crystals2003Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 82, nr 21, s. 3689-3691Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Stress in epitaxial layers due to crystal lattice mismatch directly influences the growth, structure, and basic electrophysical parameters of epitaxial films and also to a large extent the degradation processes in semiconductor devices. In this letter, we present a theoretical model for calculating the induced lattice compression due to N doping and the critical thickness concerning formation of misfit dislocations in homoepitaxial 4H–SiC layers with different N-doping levels. For example: The model predicts that substrates with a N concentration of 3×1019 cm-3 induce misfit dislocations when the epilayer thickness reaches ∼10 μm. Also, the N-doping concentration in the 1×1018–1×1019 cm-3 range yields a strain that not will cause misfit dislocactions at the substrate and epilayer interface until an epilayer thickness of 200–300 μm is reached. Supporting evidence of the induced lattice compression due to N doping have been done by synchrotron white-beam x-ray topography on samples with different N-doping levels and are compared with the predicted results from the model

  • 12. Jacobson, H
    et al.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Lindefelt, Ulf
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Doping-related strain in n-doped 4H-SiC crystals2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 269-272Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Stress in epitaxial layers due to crystal lattice mismatch directly influences growth, structure, and basic electro-physical parameters of epitaxial films and also to a large extent the degradation processes in semiconductor devices. In this paper we present a theoretical model for calculating the induced lattice compression due to N doping and the critical thickness concerning formation of misfit dislocations in homoepitaxial 4H-SiC layers with different N doping levels. For example: The model predicts that substrates with N concentration of 3E19 induce misfit dislocations when the epilayer thickness reaches similar to10 mum. Also, N doping concentration in the 1E18-1E19 range yields a strain that not will cause misfit dislocactions at the substrate and epilayer interface until an epilayer thickness of 200-300 mum is reached. Supporting evidence of the induced lattice compression due to N doping have been done by synchrotron white-beam x-ray topography on samples with different N doping level and are compared with the predicted results from the model.

  • 13.
    Jacobson, Herbert
    et al.
    Linköpings universitet, Filosofiska fakulteten. Linköpings universitet, Ekonomiska institutionen.
    Bergman, JP
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Tuomi, T
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Properties of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 913-916Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The electrical degradation of 4H-SiC PiN diodes has recently attracted a large interest and is a critical material problem for high power applications. The degradation is observed as an increased forward voltage drop after forward injection operation. In this paper we present the identity, properties and origin of stacking faults with different nature that cause degradation of 4H-SiC PiN diodes.

  • 14.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kakanakova-Gueorguie, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Wahab, Qamar Ul
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    SiC and III-nitride Growth in a Hot-wall CVD Reactor2005Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, volume 483-485, Trans Tech Publications , 2005, Vol. 483-485, s. 61-66Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 15.
    Ji, W
    et al.
    ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, Faxen Lab, SE-10044 Stockholm, Sweden Linkoping Univ, IFM, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Lofgren, PM
    ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, Faxen Lab, SE-10044 Stockholm, Sweden Linkoping Univ, IFM, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Gu, CY
    ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, Faxen Lab, SE-10044 Stockholm, Sweden Linkoping Univ, IFM, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    3-D computational modeling of SiC epitaxial growth in a hot wall reactor2000Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 338-3, s. 149-152Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A three-dimensional computational model for chemical vapor deposition (CVD) of silicon carbide (SiC) in a hot wall reactor is developed, where the susceptor is tapered with a rectangular cross-section. The present work focuses on the advection-diffusion-reaction process in the susceptor. The precursors are propane and silane, and the carrier gas is hydrogen with mass fraction higher than 98%. Computed growth rates under different system pressures and precursor concentrations are compared with the experimental data measured on samples grown in the Linkoping CVD reactor. The gas composition distribution and the growth rate profile are shown. Dependence of the growth rate on precursor concentrations is investigated.

  • 16.
    Ji, W.
    et al.
    ABB Corporate Research, S-721 78 Västerås, Sweden.
    Lofgren, P.M.
    ABB Corporate Research, S-721 78 Västerås, Sweden, Faxén Laboratory, Royal Institute of Technology, S-100 44 Stockholm, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Gu, C.-Y.
    ABB Corporate Research, S-721 78 Västerås, Sweden.
    Zhou, G.
    ABB Corporate Research, S-721 78 Västerås, Sweden.
    Computational modeling of SiC epitaxial growth in a hot wall reactor2000Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 220, nr 4, s. 560-571Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A computational model for chemical vapor deposition (CVD) of silicon carbide (SiC) in a hot-wall reactor is developed, where the susceptor is tapered with a rectangular cross-section. The present work focuses on the advection-diffusion-reaction process in the susceptor. The precursors are propane and silane, and the carrier gas is hydrogen with mass fraction higher than 99%. Computed growth rates under different system pressures and precursor concentrations are compared to the experimental data measured on samples grown in the Linkoping CVD reactor. The gas composition distribution in the susceptor and the growth rate profile on the susceptor floor are shown and analyzed. Dependence of the growth rate on precursor concentrations is investigated. It is demonstrated that the growth rate of SiC may either be carbon transport limited or silicon controlled, depending on the input carbon-to-silicon ratio.

  • 17. Kakanakova-Georgieva, A
    et al.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Pozina, Galia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Implementation of hot-wall MOCVD in the growth of high-quality GaN on SiC2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, Trans Tech Publications , 2003, Vol. 433-4, s. 991-994Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This paper reports on the growth of high-quality GaN layers on SiC substrates by hotwall MOCVD. Use of AlN buffer with a thickness exceeding 50 nm is employed for the GaN deposition and it is found to encompass most of the misfit defects. A narrower X-ray rocking curve over asymmetric than over symmetric reflection is measured - full width at a half maximum (FWHM) of 350 arcsec vs. FWHM of 490 arcsec for 10.4 and 00.2 peaks, respectively, indicating high overall quality of the film. The free exciton photoluminescence emission peak has rather narrow FWHM of 5 meV. The typical thickness of the GaN layers is about 2 mum and they are completely depleted according to the capacitance-voltage profiling, which corresponds to estimated residual doping of less than 5x10(14) cm(-3). Only in some cases when the GaN layer is not depleted, deep level transient spectroscopy is performed and two deep traps with activation energies of 0.26 and 0.59 eV below the conduction band are measured.

  • 18.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    AlGaN/GaN epitaxial growth on SiC in a hot-wall MOCVD system2004Ingår i: European Microwave Week,2004, 2004, s. 11-19Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

      

  • 19.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hot-wall MOCVD grown homoepitaxial GaN layers with intense intrinsic excitonic structure2005Ingår i: Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 202, 2005, Vol. 202, nr 5, s. 739-743Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on a new approach to MOCVD growth of GaN, i.e. hot-wall MOCVD, and its application to homoepitaxy on GaN substrates. The quality of the epilayers is examined by photoluminescence (PL). Homoepitaxially hot-wall MOCVD grown GaN layers show (1) intense PL free-exciton emissions relative to the intensity of the principal bound-exciton emission and (2) homogeneous cathodoluminescence emission within the terraces developed during the step-flow growth. Impurity concentrations in the material are measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS). (c) 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

  • 20.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kasic, A.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Performance of III-nitride epitaxy in a low V-to-III gas-flow ratio range under nitrogen ambient in a hot-wall MOCVD system2005Ingår i: Phys. Stat. Sol. (c), Vol. 2, 2005, Vol. 2, s. 960-963Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 21.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Sofia University.
    Paskova, T.
    Sofia University.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Trifonova, E.P.
    Sofia University.
    Surtchev, M.
    Sofia University.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Structural properties of 6H-SiC epilayers grown by two different techniques1997Ingår i: Materials Science and Engineering B, ISSN 0921-5107, Vol. 46, nr 1-3, s. 345-348Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In the present work we investigated the structural properties of 6H-SiC homoepitaxial layers utilizing microhardness and X-ray characterization techniques. The growth was performed by chemical vapour deposition (CVD) and liquid phase epitaxy (LPE) under various growth conditions. The depth Knoop hardness profiles represent decreasing curves due to the indentation size effect. With load increasing the curves saturate reaching microhardness values comparable with the known Vickers ones. At about 0.4 μm beneath the layer surfaces the curves show small plateaus which may be attributed to structural inhomogeneity. This is suggested by X-ray diffraction spectra taken from the same samples, which contain additional peaks besides the typical ones for 6H-SiC.

  • 22.
    Kordina, Olle
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ellison, A.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Growth of SiC by "Hot-Wall" CVD and HTCVD1997Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 202, nr 1, s. 321-334Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A reactor concept for the growth of high-quality epitaxial SiC films has been investigated. The reactor concept is based on a hot-wall type susceptor which, due to the unique design, is very power efficient. Four different susceptors are discussed in terms of quality and uniformity of the grown material. The films are grown using the silane–propane–hydrogen system on off-axis (0001) 6H- and 4H-SiC substrates. Layers with doping levels in the low 1014 cm—3 showing strong free exciton emission in the photoluminescence spectra may readily be grown reproducibly in this system. The quality of the grown layers is also confirmed by the room temperature minority carrier lifetimes in the microsecond range and the optically detected cyclotron resonance data which give mobilities in excess of 100000 cm2/Vs at 6 K. Finally, a brief description will be given of the HTCVD technique which shows promising results in terms of high quality material grown at high growth rates.

  • 23.
    Lofgren, PM
    et al.
    ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, Faxen Lab, SE-10044 Stockholm, Sweden Linkoping Univ, IFM, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Gu, CY
    ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, Faxen Lab, SE-10044 Stockholm, Sweden Linkoping Univ, IFM, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Ji, W
    ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, Faxen Lab, SE-10044 Stockholm, Sweden Linkoping Univ, IFM, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    3-d thermal and flow modeling of hot wall epitaxial chemical vapor deposition reactors, heated by induction2000Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 338-3, s. 153-156Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A three dimensional computational model for temperature and flow predictions in hot wall chemical vapor deposition (CVD) reactors, heated by induction, is presented. It includes heating by a Radio Frequency (RF) coil, flow and heat transfer. Thermal radiation is modeled by a modified Monte Carlo method. Model predictions are compared to full scale experiments at Linkoping CVD reactor for epitaxial growth of silicon carbide (SIC). Both streamwise and spanwise temperature gradients are well predicted, with the temperature maximum location shifted slightly upstream compared to the measured. Additionally, the model succeeds in predicting a recirculation zone just downstream of the susceptor. It is demonstrated how thermal gradients can be greatly reduced by simple geometrical changes.

  • 24.
    Nguyen, Son Tien
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hai, P. N.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hole effective masses in 4H SiC2000Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 61, nr 16Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Optically detected cyclotron resonance (ODCR) at X-band frequency (~9.23 GHz) was used to study hole effective masses in 4H SiC. In addition to the known ODCR signal related to the cyclotron resonance (CR) of electrons we have observed an ODCR peak at a higher magnetic field, which is attributed to the CR of holes. In the vicinity of the maximum of the uppermost valence band, the constant energy surface can be considered as an ellipsoid with the principal axis along the c axis and the effective masses of the holes were determined as mh? = (0.66▒0.02)m0 and mh?=(1.75▒0.02)m0. The influence of the polaron coupling effect on the effective mass values in 4H SiC is discussed. ⌐ 2000 The American Physical Society.

  • 25.
    Nguyen, Son Tien
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hai, P. N.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hole Effective Masses in 4H SiC Determined by Optically Detected Cyclotron Resonance2000Ingår i: Materials Science Forum, Vol. 338 - 342, Trans Tech Publications , 2000, s. 563-566Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 26.
    Nguyen, Son Tien
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Hai, P. N.
    Wagner, Matthias
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Ellison, A.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Optically detected magnetic resonance studies of intrinsic defects in 6H-SiC1999Ingår i: Semiconductor Science and Technology, ISSN 0268-1242, E-ISSN 1361-6641, Vol. 14, nr 12, s. 1141-1146Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

     Optically detected magnetic resonance (ODMR) was used for study of defects in n-type 6H-SiC. Four ODMR spectra related to spin S = 1 centres were observed. Two of these centres, labelled a and b, have a trigonal symmetry with the symmetry axis along the c-axis of the hexagonal crystal. For the other two centres, labelled c and d, the symmetry is lower (C1h) and the principal axis z of the g- and D-tensor is about 71 degrees off the c-axis. Based on the symmetry axes, the annealing behaviour and the intensity, these spectra are suggested to originate from different configurations of the paired centre between a silicon vacancy and a nearest-neighbour point defect (either a carbon vacancy or a silicon antisite), occupying different inequivalent sites in the 6H-SiC. These defects are non-radiative and act as efficient recombination channels in the material.

  • 27.
    Nguyen, Tien Son
    et al.
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hole and electron effective masses in 6H-SiC studied by optically detected cyclotron resonance2002Ingår i: Materials Science Forum(ISSN 0255-5476), Vols. 389-393, Trans Tech Publications , 2002, Vol. 389-3, s. 525-528Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We used optically detected cyclotron resonance (ODCR) at X-band frequency (similar to9.23 GHz) to study the hole effective masses in 6H-SiC. In high-purity 6H-SiC layers, two well-resolved cyclotron resonance (CR) peaks have been observed and attributed to the CR of electrons and holes. In 6H-SiC, the uppermost valence band near its maximum is found to be parabolic with the hole transverse effective mass m(hperpendicular to)=(0.66 +/- 0.02) m(0) and the longitudinal effective mass component M-hparallel to =(1.85 +/- 0.03) m(0). The average of the electron effective mass components in the basal plane-the transversal mass-is determined as m(eperpendicular to)=(0.48 0.02) m(0). With the obtained OJDCR data we can estimate the longitudinal electron effective mass to be in the range 3-6 m(0) depending on the anisotropy of the effective mass in the basal plane.

  • 28. Nguyen, Tien Son
    et al.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Hole effective masses in 6H-SiC from optically detected cyclotron resonance2002Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 66, nr 4Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We used optically detected cyclotron resonance (ODCR) at X-band frequency (similar to9.23 GHz) to study the hole effective masses in 6H-SiC. In high-purity 6H-SiC layers, two well-resolved cyclotron resonance (CR) peaks have been observed and attributed to the CR of electrons and holes. Similar to 4H-SiC, the hole effective mass in 6H polytype is also found to be isotropic in the basal plane with the transverse mass m(hperpendicular to)=(0.66+/-0.02) m(0). The hole effective mass component along the c-axis is determined as m(hparallel to)=(1.85+/-0.03) m(0). From the obtained data we can estimate the electron effective mass component along the c-axis to be in the range 3-6 m(0) depending on the anisotropy of the electron effective mass in the basal plane.

  • 29. Olafsson, HO
    et al.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Sveinbjornsson, EO
    A comparison between SiO2/4H-SiC interface traps on (0001) and (1120) faces2004Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 457-460, s. 1305-1308Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We present thermally stimulated current (TSC) measurements made on metal-oxide-semiconductor (MOS) structures fabricated on off-axis (0001) or on-axis (1120) face n-type 4H-SiC with wet or dry oxides. The TSC measurements show the interface trap spectra of traps with activation energies in the range from 0.1 to 0.6 eV. Varying the charging and discharging conditions, we are able to distinguish between two types of traps which are both present on (0001) and (1120) face samples. One type is sensitive to the electric field during discharging but is insensitive to the charging temperature, while the other type is insensitive to the electric field during discharging but can not capture electrons at low temperatures. We find that, compared to the (0001) face, the traps at the (1120) face are shifted in energy about 0.1 eV towards higher activation energies. In all cases, For wet or dry oxides made on the (0001) or the (1120) face, the number density of traps is above 7x10(12) cm(-2).

  • 30.
    Osterman, J.
    et al.
    Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden.
    Abtin, L.
    Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden.
    Zimmermann, U.
    Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden.
    Janson, M.S.
    Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden.
    Anand, S.
    Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallen, A.
    Hallén, A., Department of Microelectronics, Royal Institute of Technology, PO Box Electrum 229, S 164 40 Kista, Sweden.
    Scanning spreading resistance microscopy of aluminum implanted 4H-SiC2003Ingår i: Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology, ISSN 0921-5107, E-ISSN 1873-4944, Vol. 102, nr 1-3, s. 128-131Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    Results from the application of scanning spreading resistance microscopy (SSRM) for characterization of aluminum implanted 4H-SiC are presented. The implanted profiles are investigated electrically and morphologically as a function of post-implantation anneal conditions. The method is shown to be advantageous for measuring and optimizing the activation in many aspects with respect to existing alternative techniques: it provides information of the entire depth and Al concentration range, it is unaffected by annealing induced re-growth and/or surface roughening, and requires little sample preparation. The results indicate that the apparent activation and surface roughness do not saturate in the investigated temperature range of 1500-1650 °C. Finally, an apparent activation energy for the process of 3 eV is estimated. © 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 31.
    Robbie, K
    et al.
    Linkoping Univ, Dept Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Jemander, ST
    Linkoping Univ, Dept Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Lin, N
    Linkoping Univ, Dept Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Erlandsson, Ragnar
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
    Hansson, Göran
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Yt- och Halvledarfysik.
    Madsen, LD
    Linkoping Univ, Dept Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Study of contact formation by high temperature deposition of Ni on SiC2000Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 338-3, s. 981-984Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report the observation, by scanning tunneling microscopy (STM), scanning electron microscopy (SEM), Auger electron spectroscopy (AES), and atomic force microscopy (AFM), of island formation on SIC during high temperature deposition and annealing of thin Ni films. Ni films with a nominal thickness of 2.5 monolayers were sputter deposited onto H-2-etched single crystal 6H-SiC (0001) substrates heated to 600 degreesC in an ultrahigh vacuum STM system. After the substrates were annealed to 800-1000 degreesC, island formation was observed by STM. The islands were 0.1-0.5 mum in diameter, similar to 30 nm high, and separated by similar to2 mum from each other, with an exceptionally flat top with a peculiar 'stitched' surface structure. A second type of island, similar to1.5 mum in diameter, similar to 10 nm high, and separated by similar to 10 mum from each other, was observed by ex situ AFM and SEM. Microspot AES showed that the first islands are composed of Ni and C, while the second islands are composed of Ni, C, and Si. AES lineshape studies showed that the carbon in both types of islands is graphitically bound as opposed to the carbon in the substrate which is carbidically bound. From comparisons to literature, we believe that the first islands are a new type of graphite intercalation compound. An indexing of Ni on the top graphite sheets is presented for each anneal temperature.

  • 32.
    Storasta, Liutauras
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, JP
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Electrical activity of residual boron in silicon carbide2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 549-552Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Defects in high quality 4H silicon carbide epilayers have been studied using Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) and Minority Carrier Transient Spectroscopy (MCTS). Both intrinsic defect related centers HS1, Z(1/2). EH6/EH7 and shallow and deep boron centers were found. Electrical properties of the boron related traps are analyzed. Comparison with the optical decay measurements shows that boron is related to the observed lateral variations of the minority carrier lifetime in low doped 4H-SiC epilayers.

  • 33. Sumakeris, J.J.
    et al.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Das, M.K.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hull, B.A.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Lendenmann, H.
    OLoughlin, M.J.
    Paisley, M.J.
    Ha, S.
    Skowronski, M.
    Palmour, J.W.
    Carter, Jr, C.H.
    Techniques for Minimizing the Basal Plane Dislocation Density in SiC Epilayers to Reduce Vf Drift in SiC Bipolar Power Devices2006Ingår i: Mater. Sci. Forum, Vol. 527-529, Trans Tech Publications , 2006, s. 141-Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

      

  • 34. Sveinbjornsson, EO
    et al.
    Olafsson, HO
    Gudjonsson, G
    Allerstam, F
    Nilsson, Patrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Rodle, T
    Jos, R
    High Field Effect Mobility in Si Face 4H-SiC MOSFET Made on Sublimation Grown Epitaxial Material2005Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 483-485, 2005, Vol. 483, s. 841-844Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on fabrication and characterization of n-channel Si face 4H-SiC MOSFETs made using sublimation grown epitaxial material. Transistors made on this material exhibit record-high peak field effect mobility of 208 cm(2)/Vs while reference transistors made on a commercial epitaxial material grown by chemical vapor deposition (CVD) show field effect mobility of 125 cm(2)/VS. The mobility enhancement is attributed to better surface morphology of the sublimation grown epitaxial layer.

  • 35. Syrkin, A.
    et al.
    Dmitriev, V.
    Soukhoveev, V.
    Mynbaeva, M.
    Kakanakov, R.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    4H-SiC Power Schottky Diodes. On the Way to Solve the Size Limiting Issues2004Ingår i: Mater. Sci. Forum, Vol. 457-460, Trans Tech Publications Inc. , 2004Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

       

  • 36. Sörman, E.
    et al.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Kordina, O.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Silicon vacancy related defect in 4H and 6H SiC2000Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 61, nr 4, s. 2613-2620Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on an irradiation-induced photoluminescence (PL) band in 4H and 6H SiC and the corresponding optically detected magnetic resonance (ODMR) signals from this band. The deep PL band has the same number of no-phonon lines as there are inequivalent sites in the respective polytype. These lines are at 1352 and 1438 meV in the case of 4H and at 1366, 1398, and 1433 meV in the case of 6H. The intensity of the PL lines is reduced after a short anneal at 750░C. ODMR measurements with above-band-gap excitation show that two spin-triplet (S=1) states with a weak axial character are detected via each PL line in these bands. One of these two triplet states can be selectively excited with the excitation energy of the corresponding PL line. These triplet signals can therefore be detected separately and only then can the well documented and characteristic hyperfine interaction of the silicon vacancy in SiC be resolved. Considering the correlation between the irradiation dose and the signal strength, the well established annealing temperature and the characteristic hyperfine pattern, we suggest that this PL band is related to the isolated silicon vacancy in 4H and 6H SiC. The spin state (S=1) implies a charge state of the vacancy with an even number of electrons. By combining the knowledge from complementary electron-spin resonance measurements and theoretical calculations we hold the neutral charge state for the strongest candidate. ⌐2000 The American Physical Society.

  • 37.
    ul-Hassan, Jawad
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, J. Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Properties of Thick n- and p-type Epitaxial Layers of 4H-SiC Grown by Hot-Wall CVD on off- and on-axis Substrates2006Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 527-529, 2006, Vol. 527-529, s. 183-186Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Thick epitaxial layers of 4H-SiC both n- and p-type were grown using horizontal Hot- Wall CVD (HWCVD). No large difference in the carrier lifetime was observed for the layers grown on n- and p-type substrates. The carrier lifetime usually increases with the increasing thickness of the epilayer. To investigate if the growth conditions and material properties are changing during the longer growth time a sample was prepared with uniformly varying epilayer thickness from 20μm on one side to 110μm on other side. Results of optical and electrical measurements, the variation in background impurities and other deep levels are discussed. Furthermore, the properties of thick layers grown on on-axis substrates are presented.

  • 38.
    Vetter, W.M.
    et al.
    Department of Materials Science, Stt. Univ. New York at Stony Brook, Stony Brook, NY 11794-2275, United States.
    Liu, J.Q.
    Department of Materials Science, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA 15213-3890, United States.
    Dudley, M.
    Department of Materials Science, Stt. Univ. New York at Stony Brook, Stony Brook, NY 11794-2275, United States.
    Skowronski, M.
    Department of Materials Science, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA 15213-3890, United States.
    Lendenmann, H.
    ABB Group Services Center, SE-721 78 Västerås, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Dislocation loops formed during the degradation of forward-biased 4H-SiC p-n junctions2003Ingår i: Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology, ISSN 0921-5107, E-ISSN 1873-4944, Vol. 98, nr 3, s. 220-224Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The partial dislocations that border triangle or parallelogram-shaped stacking faults formed during the degradation of p-n diodes fabricated on 4H-SiC wafers were determined by transmission X-ray topography to be dislocation loops of Burgers vector 1/3<101¯0>, the Shockley partial type, consistent with previously reported TEM results. Some were separated from axial screw dislocations also present in the sample, indicating that the axial dislocations were not involved in the loops' nucleation, while others were seen to have interacted during their growth with the axial screw dislocations, distorting their shapes from those of ideal parallelograms. © 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  • 39.
    Wagner, Matthias
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Sörman, E.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Lindström, J. L.
    Electronic structure of the neutral silicon vacancy in 4H and 6H SiC2000Ingår i: Physical review. B, Condensed matter and materials physics, ISSN 2469-9950, Vol. 62, nr 24, s. 16555-16560Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

     Detailed information about the electronic structure of the lowest-lying excited states and the ground state of the neutral silicon vacancy in 4H and 6H SiC has been obtained by high-resolution photoluminescence (PL), PL excitation (PLE), and Zeeman spectroscopy of both PL and PLE. The excited states and the ground states involved in the characteristic luminescence of the defect with no-phonon (NP) lines at 1.438 and 1.352 eV in 4H SiC and 1.433, 1.398, and 1.368 eV in 6H SiC are shown to be singlets. The orbital degeneracy of the excited states is lifted by the crystal field for the highest-lying NP lines corresponding to one of the inequivalent lattice sites in both polytypes, leading to the appearance of hot lines at slightly higher energies. Polarization studies of the NP lines show a different behavior for the inequivalent sites. A comparison of this behavior in the two polytypes together with parameters from spin resonance studies provides useful hints for the assignment of the no-phonon lines to the inequivalent sites. In strained samples an additional fine structure of the NP lines can be resolved. This splitting may be due to strain variations in the samples.

  • 40.
    Wagner, Matthias
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Sörman, E.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Lindström, J. L.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Zeeman spectroscopy of the neutral silicon vacancy in 6H and 4H SiC1999Ingår i: Physica B. Vol. 273-274, Elsevier , 1999, s. 663-Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    High-resolution photoluminescence (PL) and PL excitation (PLE) spectroscopy has been employed to reveal the electronic structure of the neutral silicon vacancy in 6H and 4H SiC. The defect gives rise to characteristic PL emissions with three no-phonon lines in 6H SiC and two in 4H SiC at around 1.4 eV. All of the no-phonon lines are shown to arise from transitions between singlet (S=0) excited states and singlet ground states. Nevertheless, optically detected magnetic resonance (ODMR) signals typical for a spin triplet (S=1) configuration can be obtained when monitoring the emission under resonant excitation. This observation can be explained by non-radiative recombination via a lower lying excited triplet state. In strained samples all no-phonon PL lines are split into a series of lines. For the highest energy lines the main splitting can be attributed to lifting of the orbital degeneracy of the excited states, the additional broadening or splitting is probably due to a strain distribution in the samples.

  • 41.
    Wagner, Matthias
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Sörman, E.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Lindström, J. L.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Properties of the neutral silicon vacancy in 6H SiC1999Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

      

  • 42.
    Wagner, Matthias
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Thinh, NQ
    Nguyen, Tien Son
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Baranov, PG
    Mokhov, EN
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Lindstrom, JL
    Ligand hyperfine interaction at the neutral silicon vacancy in 4H- and 6H-SiC2002Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 66, nr 15Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The silicon vacancy in its neutral charge state (V-Si) has been unambiguously identified in 4H- and 6H-SiC. This was achieved by observation of ligand hyperfine interaction with the four carbon atoms in the nearest-neighbor shell and the twelve silicon atoms in the next-nearest-neighbor shell surrounding the vacancy. The complete hyperfine tensors have been determined for the V-Si(0) center residing at all inequivalent lattice sites in the two polytypes. These are compared with the parameters previously obtained for the negatively charged silicon vacancy.

  • 43.
    Wagner, Matthias
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Thinh, NQ
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Baranov, PG
    Mokhov, EN
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    The neutral silicon vacancy in SiC: Ligand hyperfine interaction2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 501-504Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The isolated silicon vacancy in its neutral charge state has unambiguously been confirmed in electron irradiated 4H and 6H SiC. This was achieved by the observation of the ligand hyperfine lines arising from interaction with C-13 atoms in the nearest-neighbor (NN) shell and With Si-29 atoms in the next-nearest-neighbor (NNN) shell in optically detected magnetic resonance (ODMR) experiments. The complete hyperfine tensors for all inequivalent lattice sites have been deduced and are compared to the known hyperfine parameters for the negatively charged silicon vacancy in the two polytypes.

  • 44.
    Wahab, Qamar Ul
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, IFM, ABB Corp Res, SE-58183 Linkoping, Sweden Univ Sci & Technol Lille, FR-59655 Villeneuve Dascq, France.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Di Persio, J
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, IFM, ABB Corp Res, SE-58183 Linkoping, Sweden Univ Sci & Technol Lille, FR-59655 Villeneuve Dascq, France.
    Martinez, R
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, IFM, ABB Corp Res, SE-58183 Linkoping, Sweden Univ Sci & Technol Lille, FR-59655 Villeneuve Dascq, France.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Influence of epitaxial growth and substrate induced defects on the breakdown of high-voltage 4H-SiC Schottky diodes2000Ingår i: Materials Science Forum(ISSN 0255-5476), Volume 338-3, Scientific.Net , 2000, Vol. 338-3, s. 1175-1178Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The influence of morphological and structural defects on high-voltage 4H-SiC Schottky diodes was studied. Micropipes were found as severely limiting the breakdown voltage of 4H-SiC power devices, where as carrot-like defects did not influence the value of breakdown voltage. The screw dislocation density as determined by X-ray topography analysis under the active area of the diode was also found to directly affect the breakdown voltage value. Only diodes with low density of screw dislocations and free from micropipes could block 2 kV or higher.

  • 45.
    Wahab, Qamar Ul
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, S-72178 Vasteras, Sweden Univ Sci & Tech Lille Flandres Artois, F-59665 Villeneuve Dascq, France.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Di Persio, J
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, S-72178 Vasteras, Sweden Univ Sci & Tech Lille Flandres Artois, F-59665 Villeneuve Dascq, France.
    Martinez, R
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, S-72178 Vasteras, Sweden Univ Sci & Tech Lille Flandres Artois, F-59665 Villeneuve Dascq, France.
    Influence of epitaxial growth and substrate-induced defects on the breakdown of 4H-SiC Schottky diodes2000Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 76, nr 19, s. 2725-2727Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Morphological defects and elementary screw dislocations in 4H-SiC were studied by high voltage Ni Schottky diodes. Micropipes were found to severely limit the performance of 4H-SiC power devices, whereas carrot-like defects did not influence the value of breakdown voltage. The screw dislocation density as determined by x-ray topography analysis under the active area of the diode was also found to directly affect the breakdown voltage. Only diodes with low density of screw dislocations and free from micropipes could block 2 kV or higher. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)01119-0].

  • 46.
    Wahab, Qamar Ul
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kosugi, H
    Kyoto Univ, Dept Electron Sci & Engn, Kyoto, Japan Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden.
    Yano, H
    Kyoto Univ, Dept Electron Sci & Engn, Kyoto, Japan Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Kimoto, T
    Kyoto Univ, Dept Electron Sci & Engn, Kyoto, Japan Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden.
    Matsunami, H
    Kyoto Univ, Dept Electron Sci & Engn, Kyoto, Japan Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden.
    4H-and 6H-SiC MOSFETs fabricated on sloped sidewalls formed by molten KOH etching2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 1215-1218Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Vertical 4H- and 6H-SiC MOSFETs have been fabricated on sloped sidewalls formed by molten KOH etching, which is expected to be free from the damage onto a channel region caused by a dry etching process. The slope angle could be controlled by adjusting etching temperature, and the anisotropy of inversion channel mobility was investigated. A higher inversion channel mobility and a lower threshold voltage were observed with increasing slope angle of channel region toward (1 (1) over bar 00) or (11 (2) over bar0). The highest mobility was 32 cm(2)/Vs for 6H-SiC, which is relatively high as an inversion channel mobility of UMOSFETs compared to previous works. The dependence of device performance on the slope angle and crystal orientation is discussed.

  • 47. Zolnai, Z
    et al.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Annealing behavior of the carbon vacancy in electron-irradiated 4H-SiC2004Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 96, nr 4, s. 2406-2408Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The annealing behavior of the positively charged carbon vacancy in electron-irradiated 4H-SiC was studied. Electron paramagnetic resonance was used for the purpose of analysis. It was found that around 1000 °C, the EPR signal of the defect starts decreasing. Clear ligand hyperfine structure was also observed after annealing at 1350 °C. Results show that the EI6 center may be the positively charged carbon vacancy at the hexagonal lattice site of 4H-SiC.

  • 48. Zolnai, Z.
    et al.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Annealing behaviour of vacancy- and antisite-related defects in electron-irradiated 4H-SiC2004Ingår i: Mater. Sci. Forum, Vol. 457-460, Trans Tech Publications Inc. , 2004, s. 473-Konferensbidrag (Refereegranskat)
1 - 48 av 48
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf