liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
Begrens søket
1 - 15 of 15
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Darakchieva, Vanya
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Paskov, Plamen
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Paskova, Tanja
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Strain evolution in high temperature AlN buffer layers for HVPE-GaN growth2002Inngår i: Physica status solidi. A, Applied research, ISSN 0031-8965, E-ISSN 1521-396X, Vol. 190, nr 1, s. 59-64Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    High temperature AlN buffer layers are deposited on a-plane sapphire by reactive magnetron sputtering. The effect of the buffer thickness on the AlN structural properties and surface morphology are studied in correlation with the subsequent hydride vapour phase epitaxy of GaN. A minimum degree of mosaicity and screw dislocation density is determined for a 50 nm thick AlN buffer. With increasing the AlN thickness, a strain relaxation occurs as a result of misfit dislocation generation and higher degree of mosaicity. A blue shift of the E-1(TO) frequency evaluated by means of infrared reflection spectroscopy is linearly correlated with an increase in biaxial compressive stress in the films through the IR stress factor k(E1)(b) = 2.57 +/- 0.26 cm(-1) GPa(-1).

  • 2.
    Darakchieva, Vanya
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Paskov, Plamen
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Paskova, Tanja
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Deformation potentials of the E-1(TO) mode in AlN2002Inngår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 80, nr 13, s. 2302-2304Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The deformation potentials of the E-1(TO) mode in AlN are experimentally determined by combining infrared reflection spectroscopy and x-ray diffraction measurements and using a reported value of the Raman-stress factor for hydrostatically stressed bulk AlN. The deformation potentials are found to strongly depend on published stiffness constants of AlN. A comparison with earlier theoretically calculated values of the deformation potentials is made. (C) 2002 American Institute of Physics.

  • 3.
    Darakchieva, Vanya
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Schubert, M.
    Fak. für Phys./Geowiss., Iniversität Leipzig, 04103 Leipzig, Germany.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Kasic, A.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Paskova, Tanja
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Generalized infrared ellipsometry study of thin epitaxial AlN layers with complex strain behavior2003Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The effect of film thickness on the strain and structural properties of thin epitaxial AlN films has been investigated, and a sub-layer model of the degree of strain and related defects for all films is suggested. The vibrational properties of the films have been studied by generalized infrared spectroscopic ellipsometry. The proposed sub-layer model has been successfully applied to the analysis of the ellipsometry data trough model calculations of the infrared dielectric function. © 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 4.
    Paskova, Tanja
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Paskov, Plamen
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Darakchieva, Vanya
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Defect reduction in HVPE growth of GaN and related optical spectra2001Inngår i: Physica status solidi. A, Applied research, ISSN 0031-8965, E-ISSN 1521-396X, Vol. 183, nr 1, s. 197-203Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    GaN technology is still based on highly mismatched heteroepitaxial growth on foreign substrates, and therefore needs to overcome a high defect density and a high level of stress in the epitaxial layers. Various attempts have been made to reduce the defects and stress in thick GaN layers. We here report a reduction of the defect density in thick GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy, using regrowth on free-standing GaN films, as well as introducing an AlN buffer and AlN interlayer in the growth sequence. Special focus is put on the optical properties of the material.

  • 5.
    Paskova, Tanja
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Paskov, Plamen
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Valcheva, E
    Darakchieva, Vanya
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Kasic, A
    Arnaudov, B
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Polar and nonpolar GaN grown by HVPE: Preferable substrates for nitride-based emitting devices2004Inngår i: Physica status solidi. A, Applied research, ISSN 0031-8965, E-ISSN 1521-396X, Vol. 201, nr 10, s. 2265-2270Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    We report on hydride vapor phase epitaxial growth of thick nonpolar GaN films on r-plane sapphire in comparison with polar GaN films on c-plane sapphire substrates with AlN buffer layers, aiming at developing of their quasi-substrate application. Both the thick films and the buffers were identified to have single crystalline structures. The microstructure of the films was studied by transmission electron microscopy. High resolution X-ray diffraction mapping and photoluminescence measurements were employed to characterize the strain present in both polar and nonpolar GaN films. In contrast to c-plane GaN, which is always characterised by isotropic in-plane properties, the a-plane GaN shows a strong in-plane anisotropy of the growth rate, morphology and strain distribution. Different defect, impurity and free carrier concentrations were observed in the polar and nonpolar material.

  • 6.
    Paskova, Tanja
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Valcheva, E
    Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
    Svedberg, EB
    Arnaudov, B
    Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
    Evtimova, S
    Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Beccard, R
    Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
    Heuken, M
    Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hydride vapour phase homoepitaxial growth of GaN on MOCVD-grown 'templates'2000Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    We report on an improved quality of thick HVPE-GaN grown on MOCVD-GaN 'template' layers compared to the material grown directly on sapphire. The film-substrate interface revealed by cathodoluminescence measurements shows an absence of highly doped columnar structures which are typically present in thick HVPE-GaN films grown directly on sapphire. This improved structure results in a reduction of two orders of magnitude of the free carrier concentration from Hall measurements. It was found that the structure, morphology, electrical and optical properties of homoepitaxial thick GaN layers grown by HVPE were strongly influenced by the properties of the MOCVD-GaN 'template'. Additionally the effect of Si doping of the GaN buffer layers on the HVPE-GaN properties was analysed.

  • 7.
    Paskova, Tanja
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Valcheva, E
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Beccard, R
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
    Heuken, M
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Effect of Si doping of metalorganic chemical vapor deposition-GaN templates on the defect arrangement in hydride vapor phase epitaxy-GaN overgrown layers2000Inngår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 88, nr 10, s. 5729-5732Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Two different types of dislocation arrangements have been observed in hydride vapor-phase epitaxial GaN films grown on sapphire substrates using both undoped and Si-doped GaN templates grown by metalorganic chemical vapor deposition: (i) predominantly straight threading dislocations parallel to the [0001] direction in the layer grown on an undoped template, and (ii) a network of interacting dislocations of edge, screw, and mixed character in the layer grown on a Si-doped template. The two types of defect distribution result in essentially different surface morphologies, respectively: (i) low-angle grain boundaries formed by pure edge dislocations around spiral grown hillocks, and (ii) smooth surface intersected by randomly distributed dislocations. The Si doping of the GaN templates was found to enhance defect interaction in the templates and to enable a reduction of the dislocation density in the overgrown thick GaN films, although it does not lead to an improvement of the overall structural properties of the material. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)08422-X].

  • 8.
    Paskova, Tanja
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Valcheva, E.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Paskov, Plamen
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Evtimova, S.
    Faculty of Physics, Sofia University, 5, J. Bourchier blvd., 1164 Sofia, Bulgaria.
    Abrashev, M.
    Faculty of Physics, Sofia University, 5, J. Bourchier blvd., 1164 Sofia, Bulgaria.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Defect and stress relaxation in HVPE-GaN films using high temperature reactively sputtered AlN buffer2001Inngår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 230, nr 3-4, s. 381-386Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The influence of high temperature buffer layers on the structural characteristics of GaN grown by hydride vapour phase epitaxy on sapphire was investigated. Strain relaxation as well as mismatch-induced defect reduction in thick GaN layers grown on AlN buffer was microscopically identified using cathodoluminescence and micro-Raman spectroscopy in cross-section of the films. The results were correlated with photoluminescence and Hall-effect data of layers with different thicknesses. These relaxation processes were suggested to account for the specific defect distribution in the buffers revealed by high-resolution X-ray diffraction and transmission electron microscopy. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  • 9.
    Seppänen, Timo
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Radnoczi, GZ
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Growth and characterization of epitaxial wurtzite Al1-xInxN thin films deposited by UHV reactive dual DC magnetron sputtering2002Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 433-4, s. 987-990Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Ternary Al1-xInxN thin films were grown by dual target direct current (DC) reactive magnetron sputtering under UHV conditions. The film compositions were determined to range from 0.30

  • 10.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik och mätteknik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Epitaxial aluminum nitride thin films on 6H-silicon carbide, grown by magnetron sputter deposition2000Licentiatavhandling, med artikler (Annet vitenskapelig)
    Abstract [en]

    The research presented in this thesis is focused on epitaxial wurtzite-structure Aluminum Nitride (AlN) thin film synthesis, by ultra-high-vacuum (UHV) de magnetron sputter deposition, on Silicon Carbide (6H-SiC) substrates. The emphasis of the work has been put on controlling the growth and quality of the films to be able to use this material in electronic device applications.

    The quality of epitaxial AlN films is significantly improved by using low­ energy ion assistance (Ei = 17-27 eV), during growth. The ion-assisted growth results in an increased surface mobility, which promotes domain boundary annihilation and epitaxial growth. This results in lateral expansion of column width (100 nm-wide at film thickness above 100 nm). The film characterization results show a very good crystal quality as well as high purity material. The measured concentrations of O, C, and Si in the film are at 3.5x1018, l. 3x1018 and 3.5xl 018 cm-3, respectively, which are among the purest AlN material as has been reported. The appearance of near band­ edge CL emission (6.02 eV at 4K) is also an evidence ofa high quality material.

  • 11.
    Tungasmita, Sukkaneste
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Järrendahl, Kenneth
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Enhanced quality of epitaxial AlN thin films on 6H-SiC by ultra-high-vacuum ion-assisted reactive dc magnetron sputter deposition2000Inngår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 76, nr 2, s. 170-172Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Epitaxial AlN thin films have been grown on 6H-SiC substrates by ultra-high-vacuum (UHV) ion-assisted reactive dc magnetron sputtering. The low-energy ion-assisted growth (E-i = 17-27 eV) results in an increasing surface mobility, promoting domain-boundary annihilation and epitaxial growth. Domain widths increased from 42 to 135 nm and strained-layer epitaxy was observed in this energy range. For E-i> 52 eV, an amorphous interfacial layer of AlN was formed on the SiC, which inhibited epitaxial growth. Using UHV condition and very pure nitrogen sputtering gas yielded reduced impurity levels in the films (O: 3.5 x 10(18) cm(-3)). Analysis techniques used in this study are in situ reflection high-energy electron diffraction, secondary-ion-mass spectroscopy, atomic-force microscopy, x-ray diffraction, and cross-section high-resolution electron microscopy. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)01802-7].

  • 12.
    Tungasmita, Sukkaneste
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Pulsed low-energy ion-assisted growth of epitaxial aluminum nitride layer on 6H-silicon carbide by reactive magnetron sputtering2002Inngår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 91, nr 6, s. 3551-3555Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Epitaxial aluminum nitride thin films have been grown on silicon carbide (6H-SiC) substrates by pulsed low-energy ion-assisted reactive magnetron sputter deposition (+5/-20 V of bias pulses), with ion-assisted energy (Ei)?22eV, under ultrahigh-vacuum conditions. Surface ion interactions during the negative bias pulse gave rise to enhanced surface mobility of adatoms with beneficial effects, which extended over the limit of ion repelling in the positive pulse as the film thickness increased. High-resolution electron microscopy shows that a large (>90 nm) AlN domain width can form on the substrate. Domain-boundary annihilation and domain suppression during film growth have been observed. The growth rate also increased by a factor of ~4 compared to growth conditions with no ion assistance (Ei=2eV) and by a factor of 2 from dc ion-assisted growth. This indicates that the supply of nitrogen is a limiting factor for AlN formation and that the reactivity of nitrogen is increased on the growing AlN film surface for pulse ion-assisted deposition. High-resolution x-ray diffraction shows a reduction in the full width at half maximum of the rocking curve from 1490 to 1180 arcsec when pulsed ions are used. The cathodoluminescence shows high intensity of near-band edge emissions at wavelengths of 206 (6.02 eV) and 212 nm (5.84 eV) at a measured temperature of 5 K, with relatively low defect and oxygen and carbon impurity related emission, which is indicative of a high quality electronic material. © 2002 American Institute of Physics.

  • 13.
    Tungasmita, Sukkaneste
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Järrendahl, Kenneth
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Low-energy-ion-assisted reactive sputter deposition of epitaxial AlN thin films on 6H-SiC2000Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 338-3, s. 1519-1522Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Epitaxial wurzite-structure AIN thin films have been grown on 6H-SiC substrates by ultra-high-vacuum (UHV) low-energy-ion-assisted reactive de magnetron sputtering. The quality of epitaxial AIN films is significantly improved by low-energy ion assistance (E-i = 17-27 eV), during reactive magnetron sputter growth on vicinal (3.5 degrees) 6H-SiC. The ion-assisted growth results in an increased surface mobility, which promotes domain boundary annihilation and epitaxial growth. This results in lateral expansion of column width. Thus, AIN films with domains as large as 40 nm at the interface to 6H-SiC can be realized. At film thickness above 100 nm, the column width expands to 100 nm. The crystal quality of the films is very good with low background impurities (O: 3.5x10 (18)cm(-3)).

  • 14.
    Tungasmita, Sukkaneste
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Seppänen, Timo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Growth of epitaxial (SiC)(x)(AlN)(1-x) thin films on 6H-SiC by ion-assisted dual magnetron sputter deposition2002Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 389-3, s. 1481-1484Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    (SiC)(X)(AIN)(1-X) thin films have been grown epitaxially on vicinal 6H-SiC (0001) by low-energy ion assisted dual magnetron sputtering in UHV conditions. AES showed a decreasing Si and C content for an increasing magnetron power ratio, (P-Al/P-SiC). The epitaxial quality of the films was improved as the SiC fraction increased. Films containing less than 5% of Si and C show an evolution of domain width similar to the growth of pure AIN. HRXRD show a decreased c-axis lattice parameter for a film with composition of AINC(X) (0less than or equal toxless than or equal to0.1), indicating carbon substitution in AIN. CL spectra show defect-related peaks of similar to3.87 and similar to4.70 eV, corresponding to O and C impurities respectively as well as on un-identified peak at similar to3.40 eV.

  • 15.
    Valcheva, E
    et al.
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden.
    Paskova, Tanja
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Tungasmita, Sukkaneste
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Svedberg, EB
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Interface structure of hydride vapor phase epitaxial GaN grown with high-temperature reactively sputtered AlN buffer2000Inngår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 76, nr 14, s. 1860-1862Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Thick hydride vapor phase epitaxy GaN layers have been grown on a-plane sapphire using high-temperature ion-assisted reactively sputtered AlN as a buffer layer. Transmission electron microscopy and atomic force microscopy were carried out to study the formation of the two interfaces sapphire/AlN and AlN/GaN, and their influence on the microstructure of both the buffer layer and the main GaN layer. It was demonstrated that the high-temperature reactively sputtered buffer layer provides a good alternative for hydride vapor phase epitaxy growth of GaN layers. In particular, the buffer promotes a specific interface ordering mechanism different from that observed on low-temperature buffers. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)00314-4].

1 - 15 of 15
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf