liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1 - 2 av 2
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Samii, Rouzbeh
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Fransson, Anton
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Mpofu, Pamburayi
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Niiranen, Pentti
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Kessler, Vadim
    Swedish Univ Agr Sci, Sweden.
    O´brien, Nathan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Synthesis, Structure, and Thermal Properties of Volatile Group 11 Triazenides as Potential Precursors for Vapor Deposition2022Ingår i: Inorganic Chemistry, ISSN 0020-1669, E-ISSN 1520-510X, Vol. 61, nr 51, s. 20804-20813Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Group 11 thin films are desirable as interconnects in microelectronics. Although many M-N-bonded Cu precursors have been explored for vapor deposition, there is currently a lack of suitable Ag and Au derivatives. Herein, we present monovalent Cu, Ag, and Au 1,3-di-tert-butyltriazenides that have potential for use in vapor deposition. Their thermal stability and volatility rival that of current state-of-the-art group 11 precursors with bidentate M-N-bonded ligands. Solution-state thermolysis of these triazenides yielded polycrystalline films of elemental Cu, Ag, and Au. The compounds are therefore highly promising as single-source precursors for vapor deposition of coinage metal films.

    Ladda ner fulltext (pdf)
    fulltext
  • 2.
    Mpofu, Pamburayi
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Rouf, Polla
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    O´brien, Nathan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Thermal atomic layer deposition of In2O3 thin films using a homoleptic indium triazenide precursor and water2022Ingår i: Dalton Transactions, ISSN 1477-9226, E-ISSN 1477-9234, Vol. 51, nr 12, s. 4712-4719Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Indium oxide (In2O3) is an important transparent conducting material widely used in optoelectronic applications. Herein, we study the deposition of In2O3 by thermal atomic layer deposition (ALD) using our recently reported indium(iii) triazenide precursor and H2O. A temperature interval with self-limiting growth was found between similar to 270 and 385 degrees C with a growth per cycle of similar to 1.0 angstrom. The deposited films were polycrystalline cubic In2O3 with In : O ratios of 1 : 1.2, and low levels of C and no detectable N impurities. The transmittance of the films was found to be >70% in visible light and the resistivity was found to be 0.2 m omega cm. The high growth rates, low impurities, high optical transmittance, and low resistivity of these films give promise to this process being used for ALD of In2O3 films for future microelectronic displays.

    Ladda ner fulltext (pdf)
    fulltext
1 - 2 av 2
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf