liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
123 101 - 106 av 106
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 101.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Stenberg, Pontus
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Don Booker, Ian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gueorguiev Ivanov, Ivan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Process stability and morphology optimization of very thick 4H-SiC epitaxial layers grown by chloride-based CVD2013Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 380, s. 55-60Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The development of a chemical vapor deposition (CVD) process for very thick silicon carbide (SiC) epitaxial layers suitable for high power devices is demonstrated by epitaxial growth of 200 nm thick, low doped 4H-SiC layers with excellent morphology at growth rates exceeding 100 nm/h. The process development was done in a hot wall CVD reactor without rotation using both SiCl4 and SiH4+HCl precursor approaches to chloride based growth chemistry. A C/Si ratio andlt;1 and an optimized in-situ etch are shown to be the key parameters to achieve 200 nm thick, low doped epitaxial layers with excellent morphology.

  • 102.
    Yazdi, Gholamreza
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Formation of needle-like and columnar structures of AlN2007Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 300, nr 1, s. 130-135 Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The present study focused on understanding the formation of needle-like and columnar structures by investigating the initial nucleation of aluminium nitride (AlN) on SiC substrates with SEM, AFM, and XRD. The grown AlN consisted of high concentration (8×104 cm−2) hexagonal hillocks (HHs) that originate from threading dislocations in the substrate. The KOH etching technique has been used to examine the origin and formation process of HHs and defect reduction in the grown AlN crystals. A model is introduced to explain the AlN HH formation. The SEM result shows that the AlN columnar structure was formed by merging of needles, which are grown exactly on completed AlN HHs, followed by a lateral growth.

  • 103.
    Yazdi, Gholamreza
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Vasiliauskas, Remigijus
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Fabrication of free-standing AlN crystals by controlled microrod growth2008Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 300, nr 5, s. 935-939 Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The aim of this study was to propose a growth procedure for preparation of crack-free thick aluminum nitride (AlN) layers that can be easily separated from the substrate. The overall process is based on the physical vapor transport method employing a seed and a source material. In this case, the substrate is an epitaxial 4H-SiC layer and the growth of AlN is initiated at etch pits formed during the ramp up time prior to establishing growth temperature. Development of hexagonal pyramids on which arrays of microrods are formed is the core of the growth procedure. Free-standing wafers having 10 mm diameter and about 120 μm thick have been fabricated.

  • 104. Zhang, J.
    et al.
    Ellison, A.
    Henry, A.
    Henry, A..
    Linnarsson, M.K.
    Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, P.O. Box E229, S-164 40 Stockholm, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Nitrogen incorporation during 4H-SiC epitaxy in a chimney CVD reactor2001Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 226, nr 2-3, s. 267-276Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Nitrogen incorporation is studied during epitaxial chemical vapour deposition (CVD) of 4H-SiC in a vertical, hot-wall CVD reactor. The nitrogen doping dependencies on input C/Si ratio, growth temperature and process pressure are investigated under the process conditions leading to growth rates in the range of 15-30µm/h. The nitrogen incorporation is observed to be a thermally activated process with a higher apparent activation energy for the Si-face than for the C-face. The site-competition principle is well followed at C/Si ratios higher than 0.3, whereas the nitrogen doping becomes less sensitive to the C/Si ratio on both the Si- and the C-faces at C/Si ratios below 0.3. The pressure has a strong effect on the nitrogen incorporation efficiency, allowing lower doping at the lower pressure. The influence of the growth parameters on the nitrogen incorporation is closely related both to the epitaxial growth mechanisms and to the surface kinetics on the different polarity SiC faces. The doping mechanisms are analysed taking into account the gas-phase chemistry and the surface kinetics. © 2001 Elsevier Science B.V.

  • 105. Zhang, J.
    et al.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Isacson, M.
    Ellison, A.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Kordina, O.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Growth characteristics of SiC in a hot-wall CVD reactor with rotation2002Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 241, nr 4, s. 431-438Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A version of the hot-wall reactor, where rotation has been added is investigated for the growth of SiC. The capacity of the reactor is 2 in wafers. The rotation is realized by gas foil levitation of a single plate carrying all three wafers. Uniformities of thickness and doping below 1% and 5%, respectively have been obtained. The run to run reproducibility of n-type doping is within ±10%. The morphology is studied and greatly improved through a modification of the hot-zone, which however made the thickness uniformity marginally worse. © 2002 Published by Elsevier Science B.V.

  • 106.
    Zhang, Jie
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ellison, Alexandre
    Okmetic AB, Linköping, Sweden.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Linnarsson, M. K.
    Royal Institute of Technology ( KTH), Stockholm, Sweden.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Epitaxial growth of 4H SiC in a vertical hot-wall CVD reactor: Comparison between up- and down-flow orientations2002Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 241, nr 4, s. 421-430Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The CVD growth of 4H SiC is investigated in a vertical hot-wall reactor in both up-flow (the chimney reactor) and down-flow (the inverted chimney) orientations. The growth rate and the nitrogen doping are studied for comparison. Under the investigated process conditions the growth mechanism is shown to be similar in these two reactor orientations. Only slight difference is observed in the temperature effect depending on the flow direction. Both reactor types have produced epilayers with high growth rates (10–35 μm/h) and low residual n-type doping (low 1016 down to mid 1013 cm−3) with comparable morphology. Dimensionless flow numbers are used to provide a qualitative analysis of the flow and heat transfer mechanisms in the vertical hot-wall system. Two-dimensional numerical simulation in a cylindrical geometry is conducted to demonstrate the flow and temperature profile with selected process parameters. Comparison of the experimental results in the chimney and the inverted chimney is performed to give insight into the fast epitaxial hot-wall growth.

123 101 - 106 av 106
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf