liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1234567 151 - 200 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 151.
    Hallin, Christer
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Joelsson, Torbjörn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    The effect of thermal gradients on SiC wafers2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 193-196Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    An in-situ curvature measurement equipment has been used to measure the curvature change of 4H-SiC 8degrees off-axis wafers, both with and without a CVD grown epitaxial layer, under beat treatments. The curvature of the wafer was found to increase while heating on the back-side and measuring on the front-side. This was independent whether Si- or C-face was towards the heater. The change in curvature was similar to0.05 m(-1) when ramping the temperature from R.T. up to 1300 degreesC, and was slightly more pronounced in the <11 (2) over bar0> direction compared with the <1 (1) over bar 00> direction.

  • 152.
    Hallin, Christer
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    High quality 6H-SiC (0001) homoepitaxial layers as substrate surface for growth of AlN epitaxial layers2005Ingår i: physica status solidi C, Vol. 2, 2005, Vol. 2, s. 2109-2112Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 153.
    Hallin, Christer
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Wahab, Qamar Ul
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Homoepitaxial On-Axis Growth of 4H- and 6H-SiC by CVD2004Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 457-460, Trans Tech Publications Inc. , 2004, s. 193-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 154.
    Hallin, Christer
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pecz, B.
    Research Institute for Technical Physics, Budapest.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Sofia University.
    Marinova, Ts.
    Bulgarian Academy of Sciences, Sofia.
    Kassamakova, L.
    Bulgarian Academy of Sciences, Plovdiv.
    Kakanakov, R.
    Bulgarian Academy of Sciences, Plovdiv.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Improved Ni ohmic contact on n-type 4H-SiC1997Ingår i: Journal of Electronic Materials, ISSN 0361-5235, Vol. 26, nr 3, s. 119-122Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This paper presents the structural, chemical and electronic properties of Al/Ni/ Al-layers evaporated on 4H silicon carbide and then annealed at 1000°C for 5 min. The structure was investigated before and after annealing by transmission electron spectroscopy from cross-sectional specimens. With x-ray photoelectron spectroscopy, both element distribution and bonding energies were followed during sputtering through the alloyed metal-semiconductor contact. Voids are found in both annealed Ni/4H-SiC and Al/Ni/Al/4H-SiC contact layers, though closer to the metal-semiconductor interface in the former case. The first aluminum-layer is believed to prevent voids to be formed at the interface and also to reduce the oxide on the semiconductor surface. The contact was found to be ohmic with a specific contact resistance ρc - 1.8 × 10−5 Ωcm2 which is more than three times lower ρc than for the ordinary Ni/4H-SiC contact prepared in the same way.

  • 155.
    Hassan, Jawad
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lilja, Louise
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Booker, Ian Don
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Influence of Growth Mechanism on Carrier Lifetime in on-axis Homoepitaxial Layers of 4H-SiC2012Ingår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 157-160Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this report we present homoepitaxial growth of 4H-SiC on Si-face, nominally on-axis substrates with diameters up to 76 mm in a hot-wall chemical vapor deposition reactor. A comparatively low carrier lifetime has been observed in these layers; local variations in carrier lifetime are different from standard epilayers on off-cut substrates. The properties of the layers were studied with focus on charge carrier lifetime and its correlation with starting growth conditions, inhomogeneities of surface morphology and different growth mechanisms.

  • 156.
    Hemmingsson, Carl
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nguyen, Tien Son
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Metastable defects in 6H-SiC: Experiments and modeling2002Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 91, nr 3, s. 1324-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    [No abstract available]

  • 157.
    Hemmingsson, Carl
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lindström, J.L.
    National Defense Research Institute.
    Savage, S.
    Industrial Microelectronics Center.
    Nordell, N.
    Industrial Microelectronics Center.
    Deep-Level Defects in Electron-irradiated 4H SiC Epitaxial Layers1997Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 81, nr 9, s. 6155-6159Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Deep level defects in electron-irradiated 4H SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition were studied using deep level transient spectroscopy. The measurements performed on electron-irradiated p+n junctions in the temperature range 100–750 K revealed several electron traps and one hole trap with thermal ionization energies ranging from 0.35 to 1.65 eV. Most of these defects were already observed at a dose of irradiation as low as ≈5×1013 cm-2. Dose dependence and annealing behavior of the defects were investigated. For two of these electron traps, the electron capture cross section was measured. From the temperature dependence studies, the capture cross section of these two defects are shown to be temperature independent. © 1997 American Institute of Physics.

  • 158.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Titanium Related Luminescence in SiC2009Ingår i: ICSCRM2007,2007, Materials Science Forum, Vols. 600-603: Trans Tech Publications , 2009, s. 461-464Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on the luminescence spectra related to Ti impurity in both 4H- and 6H-SiC polytypes. The spectrum depends strongly on the polarization. They are two families of lines in 4H and three in 6H. The main no-phonon line of each family is shown as a triplet and its phonon structure contains both sharp and broad replicas. The higher energy family has also extra lines at high energy appearing when the temperature increases. The spectra can be detected with excitation energy below the excitonic bandgap and even with excitation energy below the spectrum itself. Time-resolved photoluminescence reveals 0.1 ms long lifetime at low temperature.

  • 159.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Egilsson, T
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Metastability of a hydrogen-related defect in 6H-SiC2000Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 338-342, Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications Inc., 2000, Vol. 338-3, s. 651-654Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on the metastability behavior of a hydrogen related defect in 6H-SiC. This defect gives rise to a low temperature photoluminescence spectrum and several excited states have been observed using photoluminescence excitation. A quenching of the luminescence intensity is observed when using prolonged optical excitation either with energy higher than the threshold for phonon assisted free-exciton formation or when the excitation energy is resonant with an excited state of the hydrogen related bound exciton. Depending on the initial conditions different types of behavior can be observed.

  • 160.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Okmet AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Pozina, Galia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Characterization of bulk and epitaxial SiC material using photoluminescence spectroscopy2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 593-596Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We are using low temperature photoluminescence (LTPL) to evaluate the quality of SiC wafers and are able to characterize up to 2 inch diameter wafers (with or without epilayers) at low temperature (2K). Polytype maps for bulk material can be drawn, as well as nitrogen concentration maps for both bulk and epilayer wafers in the very large doping range available today (from low 10(14) cm(-3) to 10(19) cm(-3)).

  • 161.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Forsberg, U.
    Okmetic AB, Hans Meijers väg 2, SE-583 30 Link¨ping, Sweden.
    Janson, M.S.
    Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, P.O. Box E229, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    The 3838 Å photoluminescence line in 4H-SiC2003Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 94, nr 5, s. 2901-2906Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The results of a study of the origins of the peak near 3838 Å observed in the photoluminescence (PL) spectrum of 4H-SiC was reported. A band was observed for 6H material, displaced in energy position by the band-gap difference between the two polytypes. The recombination leading to the PL line was associated with an isoelectronic complex defect.

  • 162.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Linnarsson, M. K.
    Solid State Electronics, Royal Institute of Technology, SE-164 40 Kista, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Determination of nitrogen doping concentration in doped 4H-SiC epilayers by low temperature photoluminescence2005Ingår i: Physica Scripta, ISSN 0031-8949, E-ISSN 1402-4896, Vol. 72, nr 2-3, s. 254-257Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A complete calibration of nitrogen concentration in doped 4H-SiC material is presented. This is done in the very large range of doping available today, i.e. from low 1014 to 1019 cm-3. The samples are 4H-SiC films fabricated by hot-wall chemical vapour deposition. Low temperature photoluminescence is used as the experimental tool. For doping concentrations less than 8 × 1017 cm-3 comparison between the intensity of various luminescence lines is used, whereas for doping higher than 3 × 1018 cm-3 the energy position of an observed broad band allows the determination of the doping level.

  • 163.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gueorguiev Ivanov, Ivan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hatayama, Tomoaki
    Nara Institute of Science and Technology, Japan.
    Yano, Hiroshi
    Nara Institute of Science and Technology, Japan.
    Fuyuki, Takashi
    Nara Institute of Science and Technology, Japan.
    Photoluminescence of 8H-SiC2013Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2012 / [ed] Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein, Trans Tech Publications , 2013, Vol. 740-742, s. 347-350Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    8H-SiC epilayers grown on small 8H-SiC Lely platelets are investigated optically using photoluminescence spectroscopy. At low temperature the near band gap emission detected in the 2.78 to 2.67 eV range contains sharp lines associated to nitrogen-bound-exciton recombination. Three different no-phonon lines are detected accompanied by their phonon replicas. Free-exciton replicas are also observed which allows the determination of the excitonic band gap. The binding energy of the bound excitons can thus be determined and the ionization energies of the three nitrogen levels in 8H-SiC are estimated and found to be rather shallow compared to the values for other hexagonal polytypes. Additional bound-exciton lines are observed when the experimental photoluminescence temperature is increased.

  • 164.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janson, M.S.
    Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, Kista-Stockholm, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Boron-related luminescence in SiC2003Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report a photoluminescence (PL) study for both 4H and 6H-SiC epilayers on boron-related recombination. The PL is not observed from as-grown epilayers, but after secondary ion mass spectrometry. In 4H the no-phonon (NP) line spectrum is near 3838Å, whereas it is located close to 4182 Å in the 6H. The two spectra have almost the same phonon structure with localized modes. The luminescence is predominantly polarized perpendicular to the c-axis. The temperature dependence shows that the NP lines have at least three excited states higher in energy with energy separation depending on the polytype. The luminescence is quenched at T > 70K with a thermalization energy of about 40meV. The absence of splitting or shift of the lines originating from excited states under applied magnetic field shows that the excited states have singlet character, whereas splitting is observed for the low-temperature NP lines. The luminescence of the NP lines in these samples is shown to increase with excitation time. © 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 165.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janson, M.S.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Properties of the bound excitons associated to the 3838Å line in 4H-SiC and the 4182Å line in 6H-SiC2004Ingår i: Mater. Sci. Forum, Vol. 457-460, Trans Tech Publications Inc. , 2004, s. 549-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 166.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Epitaxial growth and characterisation of 4H-SiC layers2013Ingår i: Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, ISSN 0385-6275, Vol. 40, nr 1, s. 42-48Artikel, forskningsöversikt (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The growth of thick 4H-SiC epilayers needed for high power applications is described using horizontal hot-wall chemical vapor deposition with both the standard and the chloride based chemistry. The use of various kinds of substrates (various off-axis and nominally on-axis substrates) is compared and advantages and drawbacks are discussed for each case. Low angle off-cut substrates are proposed for further development of the SiC activities. Using the chloride based approach the Cl/Si ratio is a new important parameter and chlorinated precursor as methyl-trichlorosilane is shown more efficient than the simple addition of chlorine to the gas mixture

  • 167.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Epitaxial Growth and Characterisation of Phosphorus Doped SiC Using TBP as Precursor.2005Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 483-485, 2005, Vol. 483-485, s. 101-104Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 168.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Growth and characterisation of SiC epilayers2012Ingår i: JSPS Si Symp, 2012, s. 337-340Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 169.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Phosphorus-related luminescence in SiC2006Ingår i: Physica Scripta, Vol. T126, 2006, Vol. T126, s. 45-49Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report a photoluminescence (PL) study from n-type phosphorus-doped SiC epilayers, which reveals a PL spectrum constituted by a set of sharp lines and interpreted as excitons bound to the P donor. Depending on the polytype, the PL spectrum consists of one or several zero-phonon lines, which have photon energies very close to the nitrogen-bound excitons and they are followed by their phonon assisted replicas. The intensity of the PL spectrum depends on the P concentration introduced during the growth of the epilayers but can be reduced by the presence of the nitrogen donor.

  • 170.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Photoluminescence of Phosphorus doped SiC2006Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 527-529, 2006, s. 589-592Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 171.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Titanium related luminescence in SiC2006Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on the luminescence spectra related to Ti impurity in 6H-SiC. The spectra depend strongly on the polarization. There are three families of PL lines. Phonon structure is observed containing both broad and sharp replicas. When the temperature increases extra lines appear at high energy. Time-resolved PL reveals a 0.1 ms long lifetime at 2 K.

  • 172.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Mastropaolo, E.
    Cheung, R.
    Single Crystal and Polycrystalline 3C-SiC for MEMS Applications2009Ingår i: Materials Science Forum Vols. 615-617, Trans Tech Publications , 2009, s. 625-628Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Cantilever resonators have been fabricated from two types of materials, single crystal and polycrystalline 3C-SiC films. The films have been grown in a hot-wall chemical vapor deposition reactor on 100 mm diameter p-type boron-doped (100) Si wafer without rotation of the wafer. The crystal structure of the films have been accessed with X-ray diffraction. The cantilever devices have been fabricated using a one-step etch and release process; the beam length has been varied between 50 and 200 µm. Resonant frequencies in the range 110 KHz – 1.5 MHz and 50 – 750 KHz have been obtained for single crystal and polycrystalline SiC devices, respectively. Furthermore, the experimental resonance frequencies have been used to calculate the Young’s Modulus E for the two different types of SiC. The single crystal SiC, possessing a very high Young’s Modulus (446 GPa), should be an optimal material for RF-MEMS applications.

  • 173.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Leone, Stefano
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska C.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chloride based CVD of 3C-SiC on (0001) α-SiC substrates2011Ingår i: Materials Science Forum Vols. 679-680 (2011) pp 75-78, Trans Tech Publications Inc., 2011, s. 75-78Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A chloride-based chemical-vapor-deposition (CVD) process has been successfully used to grow very high quality 3C-SiC epitaxial layers on on-axis α-SiC substrates. An accurate process parameters study was performed testing the effect of temperature, surface preparation, precursor ratios, nitrogen addition, and substrate polytype and polarity. The 3C layers deposited showed to be largely single-domain material of very high purity and of excellent electrical characteristics. A growth rate of up to 10 μm/h and a low background doping enable deposition of epitaxial layers suitable for MOSFET devices.

  • 174.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Leone, Stefano
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    SiC epitaxy growth using chloride-based CVD2012Ingår i: Physica. B, Condensed matter, ISSN 0921-4526, E-ISSN 1873-2135, Vol. 407, nr 10, s. 1467-1471Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The growth of thick epitaxial SiC layers needed for high-voltage, high-power devices is investigated with the chloride-based chemical vapor deposition. High growth rates exceeding 100 mu m/h can be obtained, however to obtain device quality epilayers adjustments of the process parameters should be carried out appropriately for the chemistry used. Two different chemistry approaches are compared: addition of hydrogen chloride to the standard precursors or using methyltrichlorosilane, a molecule that contains silicon, carbon and chlorine. Optical and electrical techniques are used to characterize the layers.

  • 175.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Leone, Stefano
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Liu, Xianjie
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Ytors Fysik och Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, J. Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Epitaxial growth on on-axis substrates2012Ingår i: Silicon Carbide Epitaxy / [ed] Francesco La Via, Kerala, India: Research Signpost, 2012, s. 97-119Kapitel i bok, del av antologi (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    SiC epitaxial growth using the Chemical Vapour Deposition (CVD) technique on nominally on-axis substrate is presented. Both standard and chloride-based chemistry have been used with the aim to obtain high quality layers suitable for device fabrication. Both homoepitaxy (4H on 4H) and heteroepitaxy (3C on hexag onal substrate) are addressed.

  • 176.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Leone, Stefano
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Growth of 4H-SiC Epitaxial Layers on 4° Off-axis Si-face substrates2009Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 615-617, Trans Tech Publications , 2009, s. 81-84Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    CVD growth of epitaxial layers with a mirror like surface grown on 75 mm diameter 4° off-axis 4H SiC substrates is demonstrated. The effect of the C/Si ratio, temperature and temperature ramp up conditions is studied in detail. A low C/Si ratio of 0.4 and a temperature of 1530 °C is the best combination to avoid step bunching and triangular defects on the epitaxial layers. Using a low growth rate (about 3 µm/h) 6 μm thick, n-type doped epilayers were grown on 75 mm diameter wafers resulting in an RMS value of 0.7 nm and good reproducibility. 20 μm thick epitaxial layers with a background doping in the low 1014 cm-3 were grown with a mirror-like, defect-free surface. Preliminary results when using higher Si/H2 ratio (up to 0.4 %) and HCl addition are also presented: growth rate of 28 μm/h is achieved while keeping a smooth morphology.

  • 177.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Leone, Steffano
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, S.
    n/a.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Concentrated chloride-based epitaxial growth of 4H-SiC2010Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 645-648, Transtec Publications; 1999 , 2010, Vol. 645-648, s. 95-98Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A chloride-based CVD process has been studied in concentrated growth conditions. A systematic study of different carrier flows and pressures has been done in order to get good quality epilayers on 8 degrees off and on-axis substrates while using very low carrier flows. Hydrogen chloride (HCl) was added to the standard gas mixture to keep a high growth rate and to get homo-polytypic growth on on-axis substrates. The carrier flow was reduced down to one order of magnitude less than under typical growth condition. By lowering the process pressure it was possible to reduce precursor depletion along the susceptor which improved the thickness uniformity to below 2% variation (sigma/mean) over a 2 diameter wafer.

  • 178.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Li, Xun
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Jacobson, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Boulle, Alexandre
    CNRS UMR 7315, Centre Européen de la Céramique, Limoges Cedex, France.
    Chaussende, Didier
    LMGP, CNRS UMR 5628, Grenoble, France.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    3C-SiC Heteroepitaxy on Hexagonal SiC Substrates2013Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2012 / [ed] Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein, Trans Tech Publications , 2013, Vol. 740-742, s. 257-262Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The growth of 3C-SiC on hexagonal polytype is addressed and a brief review is given for various growth techniques. The Chemical Vapor Deposition is shown as a suitable technique to grow single domain 3C epilayers on 4H-SiC substrate and a 12.5 µm thick layer is demonstrated; even thicker layers have been obtained. Various characterization techniques including optical microscopy, X-ray techniques and photoluminescence are compared for the evaluation of the crystal quality and purity of the layers.

  • 179.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Li, Xun
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Leone, Stefano
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    CVD growth of 3C-SiC on 4H-SiC substrate2012Ingår i: Materials Science Forum Vol 711, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 711, s. 16-21Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The hetero epitaxial growth of 3C-SiC on nominally on-axis 4H-SiC is reported. A horizontal hot-wall CVD reactor working at low pressure is used to perform the growth experiments in a temperature range of 1200-1500 °C with the standard chemistry using silane and propane as precursors carried by a mix of hydrogen and argon. The optimal temperature for single-domain growth is found to be about 1350 °C. The ramp up-conditions and the gas-ambient atmosphere when the temperature increases are key factors for the quality of the obtained 3C layers. The best pre-growth ambient found is carbon rich environment; however time of this pre-treatment is crucial. A too high C/Si ratio during growth led to polycrystalline material whereas for too low C/Si ratios Si cluster formation is observed on the surface. The addition of nitrogen gas is also explored.

  • 180.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Large area mapping of the alloy composition of AlxGa1-xN using infrared reflectivity2009Ingår i: PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, ISSN 1862-6254, Vol. 3, nr 5, s. 145-147Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The energy position of a dip observed in the IR-reflectance spectra recorded from wurtzite c-plane AlxGa1-xN epitaxial films grown on SiC substrate reflects the composition of the alloy. A calibration procedure is presented with the possibility of mapping for large area wafer. The technique is non-destructive, scalable and fast. The limitations are discussed and comparisons with other techniques are made.

  • 181.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Palisaitis, Justinas
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    AlGaN Multiple Quantum Wells and AlN Grown in a Hot-wall MOCVD for Deep UV Applications2009Ingår i: ECS Transactions, Vol. 25, Iss. 8, ECS , 2009, s. 837-844Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    AlxGa1-xN multiple quantum wells (MQW) were grown on AlN epilayer grown on 4H-SiC substrate. The growth was performed without interruption in a horizontal hot-wall MOCVD reactor using a mixture of hydrogen and nitrogen as carrier gases. The precursors were ammonia, trimethylaluminum and trimethylgallium. Results obtained from X-ray diffraction and infra-red reflectance were used to obtain the composition of the films when growing simple AlxGa1 xN layer. Visible reflectance was used to evaluate the thickness of the films. Finally the MQW parameters as thicknesses and composition variation were obtained by scanning transmission electron microscopy and demonstrated an agreement with the growth parameters used

  • 182.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Linnarsson, MK
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, Solid State Elect, SE-16440 Kista, Sweden Okmet AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, Solid State Elect, SE-16440 Kista, Sweden Okmet AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Presence of hydrogen in SiC2001Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356, 2001, Vol. 353-3, s. 373-376Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    An unexpected presence of hydrogen in 4H-SiC was revealed by the observation of hydrogen related lines in the low-temperature photoluminescence (LTPL) spectrum after secondary ion mass spectrometry (SIMS) measurements. The lines were not observed before SIMS. The high-energy ions during SIMS are proposed to break the boron-hydrogen bonds. This phenomenon is observable only for a certain impurity concentration in the material due to the competition of various recombination channels during the LTPL experiment.

  • 183.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nitrogen delta doping in 4H-SiC epilayers2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 153-156Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Buried nitrogen delta-doped SiC 4H epitaxial layers have been grown in a horizontal hotwall chemical vapor deposition reactor. The history of the growth parameters was recorded. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) and Capacitance-Voltage (CV) were carried out to investigate the nitrogen doping distribution. Evaluation of the growth rate as a function of the time is determined with emphasis on the beginning of the growth when a transient of the growth rate is observed.

  • 184.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Thick Silicon Carbide Homoepitaxial Layers Grown by CVD Techniques2006Ingår i: Chemical Vapor Deposition, ISSN 0948-1907, E-ISSN 1521-3862, Vol. 12, nr 8-9, s. 475-482Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 185.
    Henry, Anne
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Godignon, P.
    Thick epilayers for power devices2007Ingår i: Materials Science Forum, vol. 556-557, Trans Tech Publications , 2007, s. 47-Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Growth of thick epitaxial SiC layers needed for high power devices is presented for horizontal hot-wall CVD (HWCVD) reactors. We demonstrate thickness of epilayer of 100 μm and more with good morphology, low-doping with no doping variation through the whole thick layer and reasonable carrier lifetime which mainly depends on the substrate quality. Typical epidefects are described and their density can dramatically be reduced when choosing correctly the growth conditions as well as the polishing of the surface prior to the growth. The control of the doping and thickness uniformities as well as the run-to-run reproducibility is also presented. Various characterization techniques such as optical microscopy, AFM, reflectance, CV, PL and minority carrier lifetime have been used. Results of high-voltage SiC Schottky power devices are presented.

  • 186.
    Hitova, L.
    et al.
    Inst. Semiconduct. Phys. Technol., St. Kliment Ohridski Univ. of Sofia, 1164 Sofia, Bulgaria.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Trifonova, E.P.
    Faculty of Physics, St. Kliment Ohridski Univ. of Sofia, 1164 Sofia, Bulgaria.
    Lenchev, A.
    Faculty of Chemistry, St. Kliment Ohridski Univ. of Sofia, 1164 Sofia, Bulgaria.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Heat capacity of 4H-SiC determined by differential scanning calorimetry2000Ingår i: Journal of the Electrochemical Society, ISSN 0013-4651, E-ISSN 1945-7111, Vol. 147, nr 9, s. 3546-3547Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The thermochemical properties of monocrystalline 4H-SiC was studied. Differential scanning calorimetry was used to measure the heat capacity. The powders used were nitrogen doped. The powder is synthesized from pure Si and C. The heat capacity measurements were performed using a DSC-4 Perkin Elmer device. The data obtained were analyzed statistically using the computer program. The experimental data fitted the curves. The measured data and the extrapolated data for monocrystalline 4H-SiC are lower than those of monocrystalline 6H-SiC.

  • 187.
    Hofmann, T.
    et al.
    University of Nebraska, USA .
    Kuehne, P.
    University of Nebraska, USA .
    Schöche, S.
    University of Nebraska, USA .
    Chen, Jr-Tai
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ben Sedrine, N.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Hälsouniversitetet.
    Herzinger, C. M
    JA Woollam Co Inc, USA .
    Woollam, J. A
    JA Woollam Co Inc, USA .
    Schubert, M.
    University of Nebraska, USA .
    Darakchieva, Vanya
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Temperature dependent effective mass in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures2012Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 101, nr 19Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The temperature-dependence of free-charge carrier mobility, sheet density, and effective mass of a two-dimensional electron gas in a AlGaN/GaN heterostructure deposited on SiC substrate is determined using the THz optical Hall effect in the spectral range from 0.22 to 0.32 THz for temperatures from 1.5 to 300 K. The THz optical Hall-effect measurements are combined with room temperature mid-infrared spectroscopic ellipsometry measurements to determine the layer thickness, phonon mode, and free-charge carrier parameters of the heterostructure constituents. An increase of the electron effective mass from (0.22 +/- 0.01)m(0) at 1.5 K to (0.36 +/- 0.03)m(0) at 300 K is observed, which is indicative for a reduction in spatial confinement of the two-dimensional electron gas at room temperature. The temperature-dependence of the mobility and the sheet density is in good agreement with electrical measurements reported in the literature.

  • 188.
    Holtz, Per Olof
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hsu, Chi-Wei
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, K. Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Deterministic Single InGaN Quantum Dots grown on GaN Micro-Pyramid Arrays2013Ingår i: Advanced Materials Research, ISSN 1022-6680, E-ISSN 1662-8985, Vol. 646, s. 34-37Artikel i tidskrift (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    InGaN quantum dots (QDs) formed on top of GaN pyramids have been fabricated by means of selective area growth employing hot wall MOCVD. Upon regrowth of a patterned substrate, the growth will solely occur in the holes, which evolve into epitaxially grown wurtzite based pyramids. These pyramids are subsequently overgrown by a thin optically active InGaN well. The QDs are preferably nucleating at the apices of the pyramids as evidenced by the transmission electron microscopy (TEM). The emission from these QDs have been monitored by means of microphotoluminescence (µPL), in which single emission lines have been detected with a sub-meV line width. The µPL measurements undoubtedly reveal that the QDs are located in the apexes of the pyramids, since the sharp emission peaks can only be monitored as the excitation laser is focused on the apices in the µPL. It is also demonstrated that the emission energy can be changed in a controlled way by altering the growth conditions, like the growth temperature and/or composition, for the InGaN layers. The tip of the GaN pyramid is on the nm scale and can be made sharp or slightly truncated. TEM analysis combined with µPL results strongly indicate that the Stranski-Krastanow growth modepreferably is taking place at the microscopic c-plane truncation of the GaN pyramid. Single emission lines with a high degree of polarization is a common feature observed for individual QDs. This emission remains unchanged with increasing the excitation power and sample temperature. An in-plane elongated QD forming a shallow potential with an equal number of electrons and holes is proposed to explain the observed characteristics of merely a single exciton emission with a high degree of polarization.

  • 189.
    Holtz, Per-Olof
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hsu, Chih-Wei
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Larsson, L A
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, K Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Dufåker, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Moskalenko, Evgenii
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Dimastrodonato, V
    National University of Ireland University of Coll Cork.
    Mereni, L
    National University of Ireland University of Coll Cork.
    Pelucchi, E
    National University of Ireland University of Coll Cork.
    Optical characterization of individual quantum dots2012Ingår i: Physica. B, Condensed matter, ISSN 0921-4526, E-ISSN 1873-2135, Vol. 407, nr 10, s. 1472-1475Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Optical characterization of single quantum dots (QDs) by means of micro-photoluminescence (mu PL) will be reviewed. Both QDs formed in the Stranski-Krastanov mode as well as dots in the apex of pyramidal structures will be presented. For InGaAs/GaAs dots, several excitonic features with different charge states will be demonstrated. By varying the magnitude of an external electric or magnetic field and/or the temperature, it has been demonstrated that the transportation of carriers is affected and accordingly the charge state of a single QD can be tuned. In addition, we have shown that the charge state of the QD can be controlled also by pure optical means, i.e. by altering the photo excitation conditions. Based on the experience of the developed InAs/GaAs QD system, similar methods have been applied on the InGaN/GaN QD system. less thanbrgreater than less thanbrgreater thanThe coupling of LO phonons to the QD emission is experimentally examined for both charged and neutral excitons in single InGaAs/GaAs QDs in the apex of pyramidal structures. It is shown that the positively charged exciton exhibits a significantly weaker LO phonon coupling in the mu PL spectra than the neutral and negatively charged species, a fact, which is in consistency with model simulations performed.

  • 190. Hornos, T.
    et al.
    Gali, A.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    A Theoretical Study on Aluminium-Related Defects in SiC2007Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 556-557, Trans Tech Publications , 2007, s. 445-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 191. Hornos, T.
    et al.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Gali, A.
    Theoretical study of small silicon clusters in 4H-SiC2007Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We have studied the small clusters of silicon and carbon interstitials by ab initio supercell calculations in 4H-SiC. We found that silicon interstitials can form stable and electrically active complexes with each other or with a carbon interstitial. Local vibration modes and ionization energies were also calculated in order to help the identification of the defects. We propose that silicon interstitials can emit from these clusters at relatively high temperatures, which may play an important role in the formation of the DI center. © 2007 The American Physical Society.

  • 192.
    Hsu, Chih-Wei
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Optical characterization of InGaN quantum dots on GaN pyramids grown by MOCVD2010Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 193.
    Hsu, Chih-Wei
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Single Excitons in InGaN Quantum Dots on GaN Pyramid Arrays2011Ingår i: Nano letters (Print), ISSN 1530-6984, E-ISSN 1530-6992, Vol. 11, nr 6, s. 2415-2418Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Fabrication of single InGaN quantum dots (QDs) on top of GaN micropyramids is reported. The formation of single QDs is evidenced by showing single sub-millielectronvolt emission lines in microphotoluminescence (mu PL) spectra. Tunable QD emission energy by varying the growth temperature of the InGaN layers is also demonstrated. From mu PL, it is evident that the QDs are located in the apexes of the pyramids. The fact that the emission lines of the QDs are linear polarized in a preferred direction implies that the apexes induce unidirected anisotropic fields to the QDs. The single emission lines remain unchanged with increasing the excitation power and/or crystal temperature. An in-plane elongated QD forming a shallow potential with an equal number of trapped electrons and holes is proposed to explain the absence of other exciton complexes.

  • 194.
    Hsu, Chih-Wei
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Palisaitis, Justinas
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, K. Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Controlled Growth of GaN Pyramidal template hosting InGaN Quantum DotsManuskript (preprint) (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    The emission properties of InGaN grown on hexagonal GaN pyramids with various pitch distances (PD) are studied. Emissions associated with InGaN quantum wells (QWs) and InGaN quantum dots (QDs) can be identified. The emission energies of InGaN QWs and QDs shift toward opposite directions with increasing PD; red-shift for QWs and blue-shift for QDs. Based on the source supply mechanism in a selective area growth process, the formation of InGaN QDs on GaN pyramids is believed to be a combined effect of Stranski-Krastanow growth mode and spinodal decomposition taking place at the microscopic (0001) surfaces on GaN pyramids.

  • 195.
    Hsu, Chih-Wei
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Moskalenko, Evgenii
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Martin
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, Fredrik K.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    The charged exciton in an InGaN quantum dot on a GaN pyramid2013Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 103, nr 1Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The emission of a charged exciton in an InGaN quantum dot (QD) on top of a GaN pyramid is identified experimentally. The intensity of the charged exciton exhibits the expected competition with that of the single exciton, as observed in temperature-dependent micro-photoluminescence measurements, performed with different excitation energies. The non-zero charge state of this complex is further supported by time resolved micro-photoluminescence measurements, which excludes neutral alternatives of biexciton. The potential fluctuations in the vicinity of the QD that localizes the charge carriers are proposed to be responsible for the unequal supply of electrons and holes into the QD.

  • 196.
    Hsu, Hsu-Cheng
    et al.
    National Cheng Kung University, Taiwan National Cheng Kung University, Taiwan .
    Hsu, Geng-Ming
    National Taiwan University, Taiwan .
    Lai, Yu-shiung
    National Taiwan University, Taiwan .
    Chuan Feng, Zhe
    National Taiwan University, Taiwan .
    Tseng, Shuo-Yen
    National Cheng Kung University, Taiwan National Cheng Kung University, Taiwan .
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chen, Kuei-Hsien
    National Taiwan University, Taiwan Academic Sinica, Taiwan .
    Chen, Li-Chyong
    National Taiwan University, Taiwan .
    Polarized and diameter-dependent Raman scattering from individual aluminum nitride nanowires: The antenna and cavity effects2012Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 101, nr 12, s. 121902-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Raman scattering of individual aluminum nitride (AlN) nanowires is investigated systematically. The axial direction of single nanowire can be rapidly verified by polarized Raman scattering. The angular dependencies of E-2(high) mode show strongly anisotropic behavior in smaller nanowires, which results from optical antenna effect. Raman enhancement (RE) per unit volume of E-2(high) increases with decreasing diameter of nanowires. Compared to the thin film, similar to 200-fold increase of RE is observed in AlN nanowires having diameter less than 50 nm, which is far beyond the quantum confinement regime. Such a large RE can be attributed to the effects of resonant cavity and stimulated Raman scattering.

  • 197. Isoya, J
    et al.
    Katagiri, M
    Umeda, T
    Koizumi, S
    Kanda, H
    Nguyen, Tien Son
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gali, Adam
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Pulsed EPR studies of phosphorus shallow donors in diamond and SiC2006Ingår i: Physica B, Vols. 376-377, 2006, Vol. 376, s. 358-361Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Phosphorus shallow donors having the symmetry lower than T-d are studied by pulsed EPR. In diamond:P and 3C-SiC:P, the symmetry is lowered to D-2d and the density of the donor wave function on the phosphorus atom exhibits a predominant p-character. In 4H-SiC:P with the site symmetry of C-3v, the A(1) ground state of the phosphorus donors substituting at the quasi-cubic site of silicon shows an axial character of the distribution of the donor wave function in the vicinity of the phosphorus atom. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 198. Isoya, J.
    et al.
    Katagiri, M.
    Umeda, T.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gali, A.
    Morishita, N.
    Ohshima, T.
    Itoh, H.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Shallow P donors in 3C-, 4H- and 6H-SiC2006Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 527-529, 2006, s. 593-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 199. Isoya, J.
    et al.
    Umeda, T.
    Mizuochi, N.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ohshima, T.
    EPR Identification of Defects and Impurities in SiC: To Be Decisive2009Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 600-603, Trans Tech Publications , 2009, s. 279-284Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In EPR (electron paramagnetic resonance) identification of point defects, hyperfine (HF) interaction is decisive information not only for chemical identity but also for the local geometry and the electronic state. In some intrinsic defects in SiC, the wave function of the unpaired electron extends quite unevenly among major atoms comprising the defects. In such a case, the determination of the number of equivalent atoms and the chemical identity (Si or C) of those atoms even with weak HF splitting are useful to compare with HF parameters obtained theoretically. For vacancy-related defects of relatively deep levels, the sum of the spin densities on the nearest-neighbor shell is found to be 60-68%.

  • 200. Isoya, J.
    et al.
    Umeda, T.
    Mizuochi, N.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Ohshima, T.
    EPR identification of intrinsic defects in SiC2008Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 245, nr 7, s. 1298-1314Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The structure determination of intrinsic defects in 4H-SiC, 6H-SiC, and 3C-SiC by means of EPR is based on measuring the angular dependence of the 29Si/13C hyperfine (HF) satellite lines, from which spin densities, sp-hybrid ratio, and p-orbital direction can be determined over major atoms comprising a defect. In most cases, not only the assignment of the variety due to the inequivalent sites (h- and k-sites in 4H-SiC) but also the identification of the defect species is accomplished through the comparison of the obtained HF parameters with those obtained from first principles calculations. Our works of identifying vacancy-related defects such as the monovacancies, divacancies, and antisite-vacancy pairs in 4H-SiC are reviewed. In addition, it is demonstrated that the observation of the central line of the TV2a center of S = 3/2 has been achieved by pulsed-ELDOR. © 2008 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.

1234567 151 - 200 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf