liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
2345678 201 - 250 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 201.
    Isoya, J
    et al.
    University of Tsukuba, Japan .
    Umeda, T
    University of Tsukuba, Japan .
    Mizuochi, N
    University of Tsukuba, Japan .
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ohshima, T
    Japan Atomic Energy Agency, Takasaki, Japan .
    EPR Identification of Intrinsic Defects in SiC2011Ingår i: Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications, John Wiley & Sons, 2011, 1, s. 147-179Kapitel i bok, del av antologi (Övrigt vetenskapligt)
  • 202.
    Ivady, V.
    et al.
    Hungarian Academic Science, Hungary .
    Somogyi, B.
    Budapest University of Technology and Economics, Hungary .
    Zolyomi, V.
    Hungarian Academic Science, Hungary .
    Gällström, Andreas
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gali, Adam
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Transition Metal Defects in Cubic and Hexagonal Polytypes of SiC: Site Selection, Magnetic and Optical Properties from ab initio Calculations2012Ingår i: Materials Science Forum Vol 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 205-210Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Relatively little is known about the transition metal defects in silicon carbide (SiC). In this study we applied highly convergent and sophisticated density functional theory (DFT) based methods to investigate important transition metal impurities including titanium (Ti), vanadium (V), niobium (Nb), chromium (Cr), molybdenum (Mo) and tungsten (W) in cubic 3C and hexagonal 4H and 6H polytypes of SiC. We found two classes among the considered transition metal impurities: Ti, V and Cr clearly prefer the Si-substituting configuration while W, Nb, and Mo may form a complex with a carbon vacancy in hexagonal SiC even under thermal equilibrium with similar concentration. If the metal impurity is implanted into SiC or when many carbon impurities exist during the growth of SiC then complex formation between the Si-substituting metal impurity and the carbon vacancy should be considered. This complex pair configuration exclusively prefers the hexagonal-hexagonal sites in hexagonal polytypes and may be absent in the cubic polytype. We also studied transition metal doped nano 3C-SiC crystals in order to check the effect of the crystal field on the d-orbitals of the metal impurity.

  • 203.
    Ivady, Viktor
    et al.
    Hungarian Academy of Science.
    Gällström, Andreas
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son Tien, Nguyen
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gali, Adam
    Hungarian Academy of Science.
    Asymmetric Split-Vacancy Defects in SiC Polytypes: A Combined Theoretical and Electron Spin Resonance Study2011Ingår i: Physical Review Letters, ISSN 0031-9007, E-ISSN 1079-7114, Vol. 107, nr 19, s. 195501-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Transition metal defects were studied in different polytypes of silicon carbide (SiC) by ab initio supercell calculations. We found asymmetric split-vacancy (ASV) complexes for these defects that preferentially form at only one site in hexagonal polytypes, and they may not be detectable at all in cubic polytype. Electron spin resonance study demonstrates the existence of ASV complex in niobium doped 4H polytype of SiC.

  • 204.
    Ivanov, I. G.
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gällström, A
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Coble, R.
    University of Pittsburgh, USA.
    Devaty, R. P.
    University of Pittsburgh, USA.
    Choyke, W. J.
    University of Pittsburgh, USA.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Investigation of intrinsic carbon-related defects in 4H-SiC by selective-excitation photoluminescence spectroscopy2012Ingår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 259-262Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Emission of carbon-related defects is investigated by means of selectively-excited photoluminescence in high purity 4H-SiC electron-irradiated with very low dose. Two new centers with clearly associated phonon replicas are observed, one of which is tentatively assigned to the carbon split interstitial at the hexagonal site. The temperature dependence of the spectrum is also studied and indicates that at least some of the observed luminescence lines arise from recombination of excitons bound to isoelectronic centers.

  • 205.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Egilsson, T
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Resonant sharp hot free-exciton luminescence in 6H-and 4H-SiC due to inhibited exciton-phonon interaction2001Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 64, nr 8Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Experimentally observed sharp luminescence lines from hot free-exciton recombination in high-purity 6H- and 4H-SiC are presented. The phenomenon is explained in terms of inhibition of the exciton-phonon scattering, prohibited for excitons created resonantly near the bottom of the lowest exciton band at low temperatures. This gives rise to the hot, sharp luminescence. The model is in agreement with the observed quenching of the hot luminescence at higher temperatures (>5 K) and in more highly doped samples, as well as with the dispersion of the exciton band obtained from the measured electron and hole effective masses.

  • 206.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Egilsson, T
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Zhang, J
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Intrinsic photoconductivity of 6H-SiC and the free-exciton binding energy2001Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356, 2001, Vol. 353-3, s. 405-408Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The paper presents a study of the low-temperature photoconductivity of 6H-SiC. The photocurrent at the absorption edge is assigned to Auger recombination of excitons captured to impurities. This is shown to saturate and decrease with increasing the photon energy, so the further increase in the photocurrent, observed in the purest sample, can be attributed to free excitons created in non-bound states in the exciton continuum. Thus, the exciton binding energy can be estimated, E-bx approximate to 60 +/- 5 meV in 6H-SiC.

  • 207.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ellison, A
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Donor-acceptor pair luminescence in 4H-SiC doped with nitrogen and aluminum2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 321-324Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The paper presents a fit of the experimental spectrum resulting from donor-acceptor pair recombination in 4H-SiC with a theoretically modeled one. The features of this polytype of SiC arising from its uniaxial property and presence of non-equivalent lattice sites are considered. The nitrogen donor and aluminum acceptor binding energies are discussed.

  • 208.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Donor-acceptor Pair Luminescence of Phosphorus-Aluminum and Nitrogen-Aluminum Pairs in 4H SiC2006Ingår i: Materials Science forum, Vols. 527-529, 2006, s. 601-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 209.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Ionization energies of phosphorus and nitrogen donors and aluminum acceptors in 4H silicon carbide from the donor-acceptor pair emission2005Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 71, nr 24, s. 241201-241201-4Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This paper deals with fitting the donor-acceptor pair luminescence due to P-Al pairs in 4H-SiC. It was possible to identify P at the Si cubic site as the shallower donor with ionization energy of 60.7meV, as well as to distinguish the contribution in the spectrum from pairs involving this donor and Al acceptors from both the cubic and hexagonal lattice sites, leading to justification of their ionization energies. The case of N-Al pair luminescence was revisited and the ionization energy of the deeper Nc donor at the cubic site was determined, 125.5meV. © 2005 The American Physical Society.

  • 210.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yan, Fei
    University of Pittsburgh.
    Choyke, W J
    University of Pittsburgh.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ionization energy of the phosphorus donor in 3C-SiC from the donor-acceptor pair emission2010Ingår i: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ISSN 0021-8979, Vol. 108, nr 6, s. 063532-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Donor-acceptor pair luminescence of P-Al and N-Al pairs in 3C-SiC is analyzed. The structures in the spectra corresponding to recombination of pairs at intermediate distances are fitted with theoretical spectra of type I (P-Al pairs) and type II (N-Al pairs). It is shown that in the regions chosen for fitting the line positions obey the equation (h) over bar omega(R)=E-G-E-D-E-A+e(2)/epsilon R, where (h) over bar omega(R) is the energy of the photon emitted by recombination of a pair at a distance R, e is the electron charge, epsilon is the static dielectric constant, and E-G, E-D, and E-A are the electronic band gap and the donor and acceptor ionization energies, respectively. The fits yield the values E-G-E-D-E-A for the N-Al (2094 meV) and P-Al (2100.1 meV) cases. Using the known value of the nitrogen ionization energy, 54.2 meV, phosphorus ionization energy of 48.1 meV is obtained. Identification of the sharp lines corresponding to recombination of close pairs in the P-Al spectrum is suggested.

  • 211.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Photoluminescence Excitation Spectroscopy on the Donor-Acceptor Pair Luminescence in 4H and 6H SiC2004Ingår i: Mater. Sci. Forum, Vol. 457-460, Trans Tech Publications Inc. , 2004, s. 585-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 212.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Resonant ionization of shallow donors in electric field2014Ingår i: Physica Scripta, ISSN 0031-8949, E-ISSN 1402-4896, Vol. 89, nr 8, s. 085802-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this paper, we report on our experimental observations of the resonant ionization of a phosphorus donor in silicon in a homogeneous electric field, which is expressed in the sudden rise of the conductivity of the sample at a low temperature when the electric field approaches the critical value of ∼3.2 MV m-1. The effect is discussed in terms of the field-induced interaction of the states using a simplified model based on the effective-mass theory. The results from our model are qualitatively similar to the previously published advanced model base, which is based on the first principles; this predicts the ionization thresholds at approximate fields of 2.45 and 3.25 MV m-1, the latter being in very good agreement with our experiment. The possibility of observing more than one resonance is also discussed.

  • 213.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Theory of the Stark Effect on the Donor Levels in 4H Silicon Carbide2007Ingår i: Materials Science Forum, vol. 556-557, Trans Tech Publications , 2007, s. 435-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 214.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Analysis of the sharp donor-acceptor pair luminescence in 4H-SiC doped with nitrogen and aluminum2003Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 67, nr 16Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We analyze the sharp lines in the donor-acceptor (nitrogen-aluminum) emission spectrum in 4H-SiC by means of a fit with theoretically calculated spectra. The theory accounts for the anisotropy and the presence of inequivalent sites in this polytype of SiC, and it is shown that the predominant emission in the linear part of the spectrum is due to pairs involving nitrogen donor and aluminum acceptor at hexagonal sites. The fit allows determination of the ionization energy of the aluminum at hexagonal site, 199+/-2 meV, which is in excellent agreement with the results obtained using free-to-bound spectra.

  • 215.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Optical selection rules for shallow donors in 4H-SiC and ionization energy of the nitrogen donor at the hexagonal site2003Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 67, nr 16Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The selection rules for transitions between the electronic levels of shallow donors in 4H-SiC in the dipole approximation are derived. The ionization energy of the shallow nitrogen donor (at hexagonal site) is determined to be 61.4+/-0.5 meV by analyzing the photothermal ionization and infrared absorption spectra of nitrogen doped samples in the frame of model that approximates the effective-mass Hamiltonian in 4H-SiC with Hamiltonian of cylindric symmetry (Faulkner's model).

  • 216.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Persson, C.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Wave-Function Symmetry and the Properties of Shallow P Donors in 4H SiC2009Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 600-603, Trans Tech Publications , 2009, s. 445-448Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A new investigation on the optical properties of the phosphorus-bound excitons is presented. Arguments are given in favor of the possibility of degenerate donor state for phosphorus substituting Si atom on hexagonal site. On the base of a simple model, it is shown that the experimental spectra also provide evidence in favor of this possibility. The possibility for violation of the Haynes rule in the case of phosphorus donors on the two inequivalent sites is indicated.

  • 217.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Stelmach, A.
    Kleverman, M.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Effective-mass approximation for shallow donors in uniaxial indirect band-gap crystals and application to 4H-SiC2006Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The effective-mass theory is applied for description of the electronic states of shallow donors in indirect band-gap uniaxial crystals, which have three different components of the electron effective-mass tensor, and two different components of the tensor of the dielectric constant. The Hamiltonian in the resulting Schrödinger equation for the envelope function has D2h symmetry and, after proper parametrization, a nonvariational numerical method is used for its solution. Two particular cases of D∞h symmetry are identified and discussed separately. The comparison between theory and experiment for the 4H polytype of silicon carbide is revised using the least-squares method to determine the binding energies of the ground state of the most shallow nitrogen donor in this material, its valley-orbit split-off counterpart, and the mean value of the dielectric constant, and completed with calculation of the theoretical transition probabilities. In addition, the lowest-lying binding energies of the states, between which optical transitions are allowed, are calculated on a grid of values of the two parameters describing the anisotropy and the tabulated values can be used for interpolation to describe other materials. © 2006 The American Physical Society.

  • 218.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Stelmach, A
    Kleverman, M
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Effective-mass theory of shallow donors in 4H-SIC2005Ingår i: Materials Science Forum(ISSN 0255-5476), Vols. 483-485, Trans Tech Publications , 2005, Vol. 483, s. 511-514Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The one-valley effective-mass approximation is developed for the case of uniaxial crystals with indirect bandgap and applied to the donor states in 4H-SiC. Good agreement is found between the theory and experiments providing data on the electronic states of the shallowest nitrogen donor in 4H-SiC. The ionization energy of this donor is deduced to be 61.35 &PLUSMN, 0.2 meV.

  • 219.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ul Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Iakimov, Tihomir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Zakharov, Alexei A.
    Lund University, Sweden .
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Layer-number determination in graphene on SiC by reflectance mapping2014Ingår i: Carbon, ISSN 0008-6223, E-ISSN 1873-3891, Vol. 77, s. 492-500Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report a simple, handy and affordable optical approach for precise number-of-layers determination of graphene on SiC based on monitoring the power of the laser beam reflected from the sample (reflectance mapping) in a slightly modified micro-Raman setup. Reflectance mapping is compatible with simultaneous Raman mapping. We find experimentally that the reflectance of graphene on SiC normalized to the reflectivity of bare substrate (the contrast) increases linearly with similar to 1.7% per layer for up to 12 layers, in agreement with theory The wavelength dependence of the contrast in the visible is investigated using the concept of ideal fermions and compared with existing experimental data for the optical constants of graphene. We argue also that the observed contrast is insensitive to the doping condition of the sample, as well as to the type of sample (graphene on C- or Si-face of 4H or 6H SiC, hydrogen-intercalated graphene). The possibility to extend the precise layer counting to similar to 50 layers makes reflectivity mapping superior to low-energy electron microscopy (limited to similar to 10 layers) in quantitative evaluation of graphene on the C-face of SiC. The method is applicable for graphene on other insulating or semiconducting substrates.

  • 220.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Temperature Dependence and Selective Excitation of the Phosphorus Related Photoluminescence in 4H-SiC2009Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 615-617, Trans Tech Publications , 2009, s. 263-266Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The paper presents experimental data on the temperature dependence and the excitation properties of the phosphorus-related photoluminescence in 4H SiC. Two main sets of phonon replicas can be observed with selective excitation, which are attributed to two of the no-phonon lines observed in the spectrum. Some of the excited states are also attributed to one of the no-phonon lines on the ground of the selectively excited spectra. A tentative explanation of the observed features in terms of multiple bound excitons is proposed.

  • 221.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yazdanfar, Milan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundqvist, Björn
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chen, Jr-Tai
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Stenberg, Pontus
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Liljedahl, Rickard
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ager, Joel W. III
    Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California, USA.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    High-Resolution Raman and Luminescence Spectroscopy of Isotope-Pure (SiC)-Si-28-C-12, Natural and C-13 - Enriched 4H-SIC2014Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2013, PTS 1 AND 2, Trans Tech Publications Inc., 2014, Vol. 778-780, s. 471-474Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The optical properties of isotope-pure (SiC)-Si-28-C-12, natural SiC and enriched with C-13 isotope samples of the 4H polytype are studied by means of Raman and photoluminescence spectroscopies. The phonon energies of the Raman active phonons at the Gamma point and the phonons at the M point of the Brillouin zone are experimentally determined. The excitonic bandgaps of the samples are accurately derived using tunable laser excitation and the phonon energies obtained from the photoluminescence spectra. Qualitative comparison with previously reported results on isotope-controlled Si is presented.

  • 222.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Zhang, J
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Photoconductivity of lightly-doped and semi-insulating 4H-SiC and the free exciton binding energy2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 613-616Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The paper presents a study of the structure of the photoconductivity spectra of various 4H-SiC samples near the absorption edge. By means of comparison of the spectra of low doped (mid 10(14) cm(-3)), very low doped (in 10(13) cm(-3) range), and semi-insulating moderately doped samples, features in the photocurrent due to contribution from creation of free carriers (i.e., excitons in the continuum) can be recognised. This is used for determination of the free exciton binding energy, 20.5 +/- 1 meV, in agreement with a previous study. The second lowest conduction band and the spin-orbit split off valence band are also detected.

  • 223.
    Ivanov, Ivan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yan, Fei
    University of Pittsburg, USA.
    Choyke, Wolfgang J.
    University of Pittsburg, USA.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Donor-Acceptor Pair Luminescence of P-Al and N-Al Pairs in 3C-SiC and the Ionization Energy of the P Donor2011Ingår i: Materials Science Forum Vols. 679-680 (2011) pp 245-248, Trans Tech Publications Inc., 2011, s. 245-248Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The analysis of the donor-acceptor pair luminescence of P-Al and N-Al pairs obtained recently for the cubic 3C polytype of SiC is viewed in some detail. A detailed consideration is given to the fitting procedure applied to the P-Al and N-Al spectra. Fit with theoretical models of spectra of type I and type II are applied to both N-Al and P-Al experimental spectra, and it is demonstrated that only contribution from P on Si site is observable in the presented samples. The accuracy of the obtained phosphorus ionization energy of 48.1 meV is also discussed.

  • 224.
    Ivády, Viktor
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Abrikosov, Igor
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gali, A
    Hungarian Academic Science, Hungary.
    Role of screening in the density functional applied to transition-metal defects in semiconductors2013Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 87, nr 20Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We study selected transition-metal-related point defects in silicon and silicon carbide semiconductors by a range-separated hybrid density functional (HSE06). We find that HSE06 does not fulfill the generalized Koopmans' theorem for every defect, which is due to the self-interaction error in the functional in such cases. Restoring the so-called generalized Koopmans' condition with a simple correction in the functional can eliminate this error and brings the calculated charge transition levels remarkably close to the experimental data as well as to the calculated quasiparticle levels from many-body perturbation theory.

  • 225.
    Ivády, Viktor
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Abrikosov, Igor
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gali, Adam
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Theoretical investigation of the single photon emitter carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC2014Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2, Trans Tech Publications , 2014, Vol. 778-780, s. 495-498Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Well addressable and controllable point defects in device friendly semiconductors are desired for quantum computational and quantum informational processes. Recently, such defect, an ultra-bright single photon emitter, the carbon antisite - vacancy pair, was experimentally investigated in 4H-SiC. In our theoretical work, based on ab initio calculation and group theory analysis, we provide a deeper understanding of the features of the electronic structures and the luminescence process of this defect.

  • 226.
    Ivády, Viktor
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Armiento, Rickard
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Szasz, Krisztian
    Hungarian Academic Science, Hungary Eotvos Lorand University, Hungary .
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gali, Adam
    Hungarian Academic Science, Hungary Budapest University of Technology and Econ, Hungary .
    Abrikosov, Igor
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Theoretical unification of hybrid-DFT and DFT plus U methods for the treatment of localized orbitals2014Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 90, nr 3, s. 035146-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Hybrid functionals serve as a powerful practical tool in different fields of computational physics and quantum chemistry. On the other hand, their applicability for the case of correlated d and f orbitals is still questionable and needs more considerations. In this article we formulate the on-site occupation dependent exchange correlation energy and effective potential of hybrid functionals for localized states and connect them to the on-site correction term of the DFT+ U method. The resultant formula indicates that the screening of the onsite electron repulsion is governed by the ratio of the exact exchange in hybrid functionals. Our derivation provides a theoretical justification for adding a DFT+ U-like on-site potential in hybrid-DFT calculations to resolve issues caused by overscreening of localized states. The resulting scheme, hybrid DFT+ V-w, is tested for chromium impurity in wurtzite AlN and vanadium impurity in 4H-SiC, which are paradigm examples of systems with different degrees of localization between host and impurity orbitals.

  • 227.
    Ivády, Viktor
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. Hungarian Academic Science, Hungary.
    Szasz, Krisztian
    Hungarian Academic Science, Hungary.
    Falk, Abram L.
    University of Chicago, IL 60637 USA; IBM Corp, NY 10598 USA.
    Klimov, Paul V.
    University of Chicago, IL 60637 USA; University of Calif Santa Barbara, CA 93106 USA.
    Christle, David J.
    University of Chicago, IL 60637 USA; University of Calif Santa Barbara, CA 93106 USA.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Abrikosov, Igor
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten. National University of Science and Technology MISIS, Russia; Tomsk State University, Russia.
    Awschalom, David D.
    University of Chicago, IL 60637 USA.
    Gali, Adam
    Hungarian Academic Science, Hungary; Budapest University of Technology and Econ, Hungary.
    Theoretical model of dynamic spin polarization of nuclei coupled to paramagnetic point defects in diamond and silicon carbide2015Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 92, nr 11, s. 115206-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Dynamic nuclear spin polarization (DNP) mediated by paramagnetic point defects in semiconductors is a key resource for both initializing nuclear quantum memories and producing nuclear hyperpolarization. DNP is therefore an important process in the field of quantum-information processing, sensitivity-enhanced nuclear magnetic resonance, and nuclear-spin-based spintronics. DNP based on optical pumping of point defects has been demonstrated by using the electron spin of nitrogen-vacancy (NV) center in diamond, and more recently, by using divacancy and related defect spins in hexagonal silicon carbide (SiC). Here, we describe a general model for these optical DNP processes that allows the effects of many microscopic processes to be integrated. Applying this theory, we gain a deeper insight into dynamic nuclear spin polarization and the physics of diamond and SiC defects. Our results are in good agreement with experimental observations and provide a detailed and unified understanding. In particular, our findings show that the defect electron spin coherence times and excited state lifetimes are crucial factors in the entire DNP process.

  • 228.
    J T Simms, R J T
    et al.
    University of Bristol.
    Uren, M J
    QinetiQ Ltd.
    Martin, T
    QinetiQ Ltd.
    Powell, J
    QinetiQ Ltd.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kuball, M
    University of Bristol.
    Micro-Raman spectroscopy as a voltage probe in AlGaN/GaN heterostructure devices: Determination of buffer resistances2011Ingår i: SOLID-STATE ELECTRONICS, ISSN 0038-1101, Vol. 55, nr 1, s. 5-7Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A time-resolved micro-Raman technique was developed to probe the transient voltage in the GaN buffer layer of AlGaN/GaN heterostructure devices. The transient potential distribution under Ohmic contacts of devices behaved like a capacitance-resistance coupled network, with a decrease in amplitude and phase shift of the potential as a function of operating voltage frequency. This phenomenon was used to extract a value of 0.6 M Omega/square for sheet resistance of the AIN nucleation layer at the GaN/SiC interface from the characteristic RC value of the network. This demonstrates the effectiveness of this voltage probe technique as a non-invasive method of characterizing nucleation layers.

  • 229. Jacobson, H.
    et al.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Tuomi, T
    Lendenmann, H
    Properties and origins of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes2004Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 95, nr 3, s. 1485-1488Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Different properties of the reported stacking faults (SFs) and that both these types of SF are present in the material after electrical degradation of pin diodes are shown. One is caused by perfect dislocations, deflected or misfit dislocation that had dissociated into two partial dislocations. The partials are assumed to be close to each other with a separation below the detection limit of the SWBT measurements. Thus, enough energy is provided and the leading partial moves away from the other partial and forms the extended SF.

  • 230.
    Jacobson, H.
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Tuomi, T.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lindefelt, Ulf
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Doping-induced strain in N-doped 4H-SiC crystals2003Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 82, nr 21, s. 3689-3691Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Stress in epitaxial layers due to crystal lattice mismatch directly influences the growth, structure, and basic electrophysical parameters of epitaxial films and also to a large extent the degradation processes in semiconductor devices. In this letter, we present a theoretical model for calculating the induced lattice compression due to N doping and the critical thickness concerning formation of misfit dislocations in homoepitaxial 4H–SiC layers with different N-doping levels. For example: The model predicts that substrates with a N concentration of 3×1019 cm-3 induce misfit dislocations when the epilayer thickness reaches ∼10 μm. Also, the N-doping concentration in the 1×1018–1×1019 cm-3 range yields a strain that not will cause misfit dislocactions at the substrate and epilayer interface until an epilayer thickness of 200–300 μm is reached. Supporting evidence of the induced lattice compression due to N doping have been done by synchrotron white-beam x-ray topography on samples with different N-doping levels and are compared with the predicted results from the model

  • 231. Jacobson, H
    et al.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Lindefelt, Ulf
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Doping-related strain in n-doped 4H-SiC crystals2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 269-272Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Stress in epitaxial layers due to crystal lattice mismatch directly influences growth, structure, and basic electro-physical parameters of epitaxial films and also to a large extent the degradation processes in semiconductor devices. In this paper we present a theoretical model for calculating the induced lattice compression due to N doping and the critical thickness concerning formation of misfit dislocations in homoepitaxial 4H-SiC layers with different N doping levels. For example: The model predicts that substrates with N concentration of 3E19 induce misfit dislocations when the epilayer thickness reaches similar to10 mum. Also, N doping concentration in the 1E18-1E19 range yields a strain that not will cause misfit dislocactions at the substrate and epilayer interface until an epilayer thickness of 200-300 mum is reached. Supporting evidence of the induced lattice compression due to N doping have been done by synchrotron white-beam x-ray topography on samples with different N doping level and are compared with the predicted results from the model.

  • 232. Jacobson, H.
    et al.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Ellison, A.
    Tuomi, T.
    Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology, P.O. Box 3000, 02015 TKK, Finland.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Dislocation-evolution in 4H-SiC epitaxial layers2002Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 91, nr 10 I, s. 6354-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    [No abstract available]

  • 233. Jacobson, H
    et al.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Raback, P
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Helsinki Univ Technol, Optoelect Lab, FI-02015 Helsinki, Finland.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Lateral enlargement of silicon carbide crystals2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 39-42Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A new growth technique for lateral enlargement of silicon carbide crystals is presented. The technique is based on sublimation growth but modified with respect to temperature gradients and geometry as compared to conventional setup. Simulation of the temperature distribution for lateral growth as well as the growth mechanism is discussed. Synchrotron white beam x-ray topographs have been evaluated concerning threading defects along the 0001 direction. Finally, a comparison between laterally grown 4H, 6H-silicon carbide and a commercial 4H-silicon carbide wafer is demonstrated, and shows that this growth technique makes it possible to enlarge seed crystals without screw dislocations and micropipes along the 0001 direction.

  • 234. Jacobson, H.
    et al.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Raback, P.
    Råback, P., Center of Scientific Computing, Box 405, FIN-02101 Espoo, Finland.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Tuomi, T.
    Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology, P.O. Box 3000, 02015 TKK, Finland.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Lateral enlargement of silicon carbide crystals2004Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 270, nr 1-2Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A new growth technique for lateral enlargement of silicon carbide crystals is presented and evaluated. The technique is based on PVT growth but modified with respect to temperature gradients and geometry as compared to conventional setup. Simulation of the temperature distribution for lateral growth as well as the growth mechanism is discussed. High-resolution X-ray diffraction and synchrotron white beam X-ray topography have been evaluated concerning structural defects. The results show that this growth technique makes it possible to enlarge seed crystals without threading screw dislocations and micropipes along the 0001 direction, but stacking faults are introduced due to the crystal stacking sequence along the <11¯00> directions. © 2004 Elsevier B.V.

  • 235. Jacobson, H.
    et al.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Tuomi, T.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Structural impact of LPE buffer layer on sublimation grown 4H-SiC epilayers2003Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 256, nr 3-4, s. 276-282Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The objective of this work was to study the effect of a liquid phase epitaxy buffer layer on the development of defects in sublimation grown epitaxial layers of 4H-SiC. The results were analyzed with the aid of optical microscope, scanning electron microscope, high-resolution X-ray diffraction and synchrotron white beam X-ray topography. A pronounced effect of the liquid phase epitaxy buffer layer on formation of dislocations and micropipes is observed in the sublimation epitaxy layers. It has been shown that during sublimation growth of epilayer with a thin liquid phase epitaxy buffer layer (0.1µm) defects may undergo transformation and stacking faults can be formed. Sublimation grown epilayers grown on a thick liquid phase epitaxy buffer layer (1µm) also showed a symmetrical distribution of misfit dislocations along the <112¯0> and [11¯00] directions. © 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 236.
    Jacobson, Henrik
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för samhälls- och välfärdsstudier, Lärande, Estetik, Naturvetenskap (LEN). Linköpings universitet, Utbildningsvetenskap.
    Li, Xun
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Structural investigation of heteroepitaxial 3C-SiC grown on 4H-SiC substrates2013Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012, Trans Tech Publications , 2013, Vol. 740-742, s. 319-322Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    3C-SiC epilayers grown on Si-face nominally on-axis 4H-SiC substrate are characterized with X-ray diffraction techniques. The aim was to investigate if these 3C-SiC epilayers were grown by single domain growth. The results show that all samples start by having several nucleation centers all over the substrate surface and the growth continues with two domain formations. As the growth proceeds one domain overtakes the growth and single domain crystal growth occurs. This single domain was further investigated and the results show that it seems to contain many sub-domains with same lattice constant but slightly tilted.

  • 237.
    Jacobson, Herbert
    et al.
    Linköpings universitet, Filosofiska fakulteten. Linköpings universitet, Ekonomiska institutionen.
    Bergman, JP
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Tuomi, T
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Properties of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 913-916Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The electrical degradation of 4H-SiC PiN diodes has recently attracted a large interest and is a critical material problem for high power applications. The degradation is observed as an increased forward voltage drop after forward injection operation. In this paper we present the identity, properties and origin of stacking faults with different nature that cause degradation of 4H-SiC PiN diodes.

  • 238.
    Jacobsson, Henrik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Tuomi, T
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Helsinki Univ Technol, Optoelect Lab, FI-02015 Helsinki, Finland.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    High-resolution XRD evaluation of thick 4H-SiC epitaxial layers2001Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356, 2001, Vol. 353-3, s. 291-294Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    4H-SiC commercial wafers and sublimation grown epitaxial layers with a thickness of 100 mum have been studied concerning crystalline structure. The substrate wafers and the epitaxial layers have been separately investigated by high-resolution x-ray diffraction (HRXRD) and synchrotron white beam x-ray topography (SWBXT). The results show that the structural quality was improved in the epitaxial layers in the < 11 (2) over bar0 > and <(1) over bar 100 > directions, concerning domain distribution, lattice plane misorientation, mosaicity, and strain? compared with the substrates. Misoriented domains have merged together to form larger domains while the tilt between the domains was reduced, which resulted in non-splitting in diffraction curves. It is also clear that if the misorientation in the substrate gets too large, we can only see a slight decrease in the misorientation in the layer. At some positions on the substrates there were block structure (mosaicity). omega -rocking curves from epilayers at the same position showed smaller full width at half-maximum (FWHM) values and more uniform and narrow peaks. Curvature was almost the same in grown epilayers compared with the substrates. The shape of the grown epitaxial layers nas concave similarly to the substrates.

  • 239.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Materials aspects on SiC2004Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 240.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    SiC materials aspects2004Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 241.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kakanakova-Gueorguie, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Wahab, Qamar Ul
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    SiC and III-nitride Growth in a Hot-wall CVD Reactor2005Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, volume 483-485, Trans Tech Publications , 2005, Vol. 483-485, s. 61-66Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 242.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gali, Adam
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Carlsson, Patrick
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gällström, Andreas
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    The Silicon vacancy in SiC2009Ingår i: / [ed] Amador Pérez-Tomás, Philippe Godignon, Miquel Vellvehí and Pierre Brosselard, Trans Tech Publications Inc., 2009, Vol. 615-617, s. 347-352Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

     A model is presented for the silicon vacancy in SiC. The previously reported photoluminescence spectra in 4H and 6H SiC attributed to the silicon vacancy are in this model due to internal transitions in the negative charge state of the silicon vacancy. The magnetic resonance signals observed are due to the initial and final states of these transitions.

  • 243.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gali, Adam
    Budapest University Technology and Econ, Department Atom Phys, H-1111 Budapest, Hungary .
    Carlsson, Patrick
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gällström, Andreas
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    The silicon vacancy in SiC2009Ingår i: Physica. B, Condensed matter, ISSN 0921-4526, E-ISSN 1873-2135, Vol. 404, nr 22, s. 4354-4358Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The isolated silicon vacancy is one of the basic intrinsic defects in SiC. We present new experimental data as well as new calculations on the silicon vacancy defect levels and a new model that explains the optical transitions and the magnetic resonance signals observed as occurring in the singly negative charge state of the silicon vacancy in 4H and 6H SiC.

  • 244.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gali, Adam
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Defects in SiC2008Ingår i: Defects in Microelectronic Materials and Devices / [ed] Daniel M. Fleetwood, Sokrates T. Pantelides, Ronald D. Schrimpf., Taylor and Francis LLC , 2008, s. 770-Kapitel i bok, del av antologi (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    Uncover the Defects that Compromise Performance and Reliability As microelectronics features and devices become smaller and more complex, it is critical that engineers and technologists completely understand how components can be damaged during the increasingly complicated fabrication processes required to produce them.

    A comprehensive survey of defects that occur in silicon-based metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) technologies, this book also discusses flaws in linear bipolar technologies, silicon carbide-based devices, and gallium arsenide materials and devices. These defects can profoundly affect the yield, performance, long-term reliability, and radiation response of microelectronic devices and integrated circuits (ICs). Organizing the material to build understanding of the problems and provide a quick reference for scientists, engineers and technologists, this text reviews yield- and performance-limiting defects and impurities in the device silicon layer, in the gate insulator, and/or at the critical Si/SiO2 interface. It then examines defects that impact production yield and long-term reliability, including:

    • Vacancies, interstitials, and impurities (especially hydrogen)

    • Negative bias temperature instabilities

    • Defects in ultrathin oxides (SiO2 and silicon oxynitride)

    Take A Proactive Approach The authors condense decades of experience and perspectives of noted experimentalists and theorists to characterize defect properties and their impact on microelectronic devices. They identify the defects, offering solutions to avoid them and methods to detect them. These include the use of 3-D imaging, as well as electrical, analytical, computational, spectroscopic, and state-of-the-art microscopic methods. This book is a valuable look at challenges to come from emerging materials, such as high-K gate dielectrics and high-mobility substrates being developed to replace Si02 as the preferred gate dielectric material, and high-mobility substrates

  • 245.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ellison, A.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Material characterization need for SiC-based devices2001Ingår i: Sci. Eng. B, Vol. 4, 2001, Vol. 4, nr 1-3, s. 181-186Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The simultaneous development of suitable characterization techniques that provide fast feedback to the growth as well as basic material understanding have enabled the fast development of epitaxial and bulk growth of SiC. The characterization techniques can roughly be divided into two different categories, routine characterization that are made on most grown material and specialized characterization that are performed in order to study and understand specific material properties. The routine measurements described in this paper are all based on optical and non-destructive techniques. The main effort in this field is currently to study and understand the role of structural defects, often replicated from the substrate into the epilayer.

  • 246.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Material aspects on SiC2005Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 247.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Isoya, J.
    Defects in SiC2004Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 248.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Zolnai, Z
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Carlsson, Fredrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Defects in SiC2003Ingår i: Physica B: Condensed Matter, Vols. 340-342, 2003, Vol. 340, s. 15-24Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Recent results from studies of shallow donors, pseudodonors, and deep level defects in SiC are presented. The selection rules for transitions between the electronic levels of shallow donors in 4H-SiC in the dipole approximation are derived and the ionization energy for the N donor at hexagonal site is determined. Optical and electrical studies of the D-I center reveal the pseudodonor nature of this defect. Defects in high-purity semi-insulating (SI) SiC substrates including the carbon vacancy (V-C), silicon vacancy (V-Si), and (V-C-C-Si) pair are studied. The annealing behavior of these defects and their role in carrier compensation in SI 4H-SiC are discussed. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 249.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Silicon Carbide - The Power Device for the Future2012Ingår i: 2012 18TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON THERMAL INVESTIGATIONS OF ICS AND SYSTEMS (THERMINIC), IEEE , 2012, s. 119-124Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Silicon Carbide (SiC) is a wide bandgap semiconductor with highly appreciated properties making it ideal for high power, high frequency, and high temperature applications. One of these properties is the high thermal conductivity (lambda) which is mentioned in almost every single publication, yet very few measurements of lambda on SiC have been made and essentially no knowledge has been accumulated on the limiting factors on lambda or on what role lambda plays in a finished device. Improvement of lambda may be achieved if the material is isotope enriched i.e. the SiC is dominatingly (SiC)-Si-28-C-12. In this paper we will highlight the properties of SiC as a power device material with specific emphasis on lambda. The results from (SiC)-Si-28-C-12 show that the layers are very low doped and have an isotope purity of 99% or better.

  • 250.
    Janzén, Erik
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nguyen, Tien Son
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ellison, A
    Intrinsic defects in high-purity SiC2006Ingår i: Microelectronic Engineering, Vol. 83, 2006, Vol. 83, nr 1, s. 130-134Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Intrinsic defects are of importance for different applications of SiC such as: the semi-insulating (SI) properties of SI substrates, the carrier lifetime of high-voltage, bipolar power devices and the colour of gemstones (Moissanites). In order to tailor the properties of the material, we need to understand the properties of the intrinsic defects, their energy positions in the bandgap, their ability to capture carriers from the bands, their formation and annealing as well as their interplay with other defects. High-purity SiC materials (doping less than 10(16) cm(-3)) grown by high temperature chemical vapour deposition (HTCVD), physical vapour transport (PVT) and chemical vapour deposition (CVD) have been investigated by electron paramagnetic resonance (EPR), photoluminescence (PL), absorption and electrical techniques. Vacancies (V-C(+), V-Si(0)), divacancies and anti site-related defects are found to be common. The present knowledge of intrinsic defects in SiC based on both experiments and on calculations will be presented as well as their influence on mainly the semi-insulating properties. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

2345678 201 - 250 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf