liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
3456789 251 - 300 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 251. Jarasiunas, K.
    et al.
    Malinauskas, T.
    Kadys, A.
    Aleksiejunas, R.
    Sudzius, M.
    Miasojedovas, S.
    Jursenas, S.
    Zukauskas, A.
    Gogova, D
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Larsson, Henrik
    IFM .
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gibart, P.
    Beaumont, B.
    Application of picosecond four-wave mixing and photoluminescence techniques for investigation of carrier dynamics in bulk crystals and heterostructures of GaN2005Ingår i: phys. stat. sol. c, Vol. 2, 2005, Vol. 2, s. 1006-1009Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 252.
    Johansson, Leif
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Xia, Chao
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Iakimov, Tihomir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Zarharov, Alexei A.
    MAX-lab, Lund University, Lund 22100, Sweden.
    Watcharinyanon, Somsakul
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositza
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Virojanadara, Chariya
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Is the Registry Between Adjacent Graphene Layers Grown on C-Face SiC Different Compared to That on Si-Face SiC2013Ingår i: Crystals, ISSN 2073-4352, Vol. 3, nr 1, s. 1-13Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Graphene grown on C-face SiC substrates using two procedures, high and low growth temperature and different ambients, was investigated using Low Energy Electron Microscopy (LEEM), X-ray Photo Electron Electron Microscopy (XPEEM), selected area Low Energy Electron Diffraction (μ-LEED) and selected area Photo Electron Spectroscopy (μ-PES). Both types of samples showed formation of μm-sized grains of graphene. The sharp (1 × 1) μ-LEED pattern and six Dirac cones observed in constant energy photoelectron angular distribution patterns from a grain showed that adjacent layers are not rotated relative to each other, but that adjacent grains in general have different azimuthal orientations. Diffraction spots from the SiC substrate appeared in μ-LEED patterns collected at higher energies, showing that the rotation angle between graphene and SiC varied. C 1s spectra collected did not show any hint of a carbon interface layer. A hydrogen treatment applied was found to have a detrimental effect on the graphene quality for both types of samples, since the graphene domain/grain size was drastically reduced. From hydrogen treated samples, μ-LEED showed at first a clear (1 × 1) pattern, but within minutes, a pattern containing strong superstructure spots, indicating the presence of twisted graphene layers. The LEED electron beam was found to induce local desorption of hydrogen. Heating a hydrogenated C-face graphene sample did not restore the quality of the original as-grown sample.

  • 253. Kakanakova-Georgieva, A
    et al.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Pozina, Galia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Implementation of hot-wall MOCVD in the growth of high-quality GaN on SiC2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, Trans Tech Publications , 2003, Vol. 433-4, s. 991-994Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This paper reports on the growth of high-quality GaN layers on SiC substrates by hotwall MOCVD. Use of AlN buffer with a thickness exceeding 50 nm is employed for the GaN deposition and it is found to encompass most of the misfit defects. A narrower X-ray rocking curve over asymmetric than over symmetric reflection is measured - full width at a half maximum (FWHM) of 350 arcsec vs. FWHM of 490 arcsec for 10.4 and 00.2 peaks, respectively, indicating high overall quality of the film. The free exciton photoluminescence emission peak has rather narrow FWHM of 5 meV. The typical thickness of the GaN layers is about 2 mum and they are completely depleted according to the capacitance-voltage profiling, which corresponds to estimated residual doping of less than 5x10(14) cm(-3). Only in some cases when the GaN layer is not depleted, deep level transient spectroscopy is performed and two deep traps with activation energies of 0.26 and 0.59 eV below the conduction band are measured.

  • 254.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ciechonski, Rafal
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundskog, Anders
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hot-Wall MOCVD for Highly Efficient and Uniform Growth of AIN2009Ingår i: Crystal Growth & Design, ISSN 1528-7483, Vol. 9, nr 2, s. 880-884Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We demonstrated successful growth of AIN at a temperature of 1200 degrees C in a set of hot-wall MOCVD systems with the possibility of straightforward scaling up the process on larger wafer areas to meet the demand of device technologies. We outlined several aspects of the carefully optimized design and process parameters with relevance to achievement of a high overall growth rate (1 and up to 2 mu m/h), efficiency, and uniformity, which to a great extent depends on how consumption of growth-limiting species by gas-phase adduct formation can actively be prevented. Mixing of the precursors upstream from the deposition area facilitates uniform epitaxial growth, while the greater uniformity of substrate temperature inherent to the hot-wall reactor and rotation of the wafer are of fundamental importance for layer-growth uniformity. The AIN layer thickness can be controlled with an accuracy of +/- 1.3% on 2 in. wafers. The low-temperature cathodoluminescence spectrum of the AIN epitaxial material is strongly dominated by the intense near band-gap deep UV emission at about 208 nm.

  • 255.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hot-wall MOCVD developments towards 2 inch AlGaN/GaN epitaxial growth2006Ingår i: ICMOVPE2006,2006, 2006Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 256.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Uniform hot-wall MOCVD epitaxial growth of 2 inch AlGaN/GaN HEMT structures2007Ingår i: Journal of Crystal Growth, Vol. 300, 2007, Vol. 300, nr 1, s. 100-103Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The hot-wall metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) concept has been applied to the growth of AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) device heterostructures on 2 inch 4H-SiC wafers. Due to the small vertical and horizontal temperature gradients inherent to the hot-wall MOCVD concept the variations of all properties of a typical HEMT heterostructure are very small over the wafer: GaN buffer layer thickness of 1.83 μm±1%, Al content of the AlxGa1-xN barrier of 27.7±0.1%, AlxGa1-xN barrier thickness of 25 nm±4%, sheet carrier density of 1.05×1013 cm-2±4%, pinch-off voltage of -5.3 V±3%, and sheet resistance of 449 Ω±1%.

  • 257.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Carbon-tuned cathodoluminescence of semi-insulating GaN2011Ingår i: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, ISSN 1862-6300, Vol. 208, nr 9, s. 2182-2185Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on the cathodoluminescence (CL) of nominally undoped semi-insulating GaN layers grown by hot-wall metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) at a threefold increase of the growth rate limited by the TMGa flow. The growth kinetics is such, that C is the only background impurity in the layers with controllably increasing concentration from 5 x 10(16) to 6 x 10(17) cm(-3), while other background impurities, H. O and Si, are essentially at the SIMS detection levels. The hot-wall MOCVD is not an ordinary approach to GaN growth process and this study corroborates a more perceptive outlook on the C incorporation in GaN and any potential C-incorporation-mediated luminescence, including the observed here blue luminescence (BL) at similar to 417 nm, and the yellow luminescence (YL) with shifting peak position towards shorter wavelengths, similar to 555-543-525 nm.

  • 258.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Growth of AlN films by hot-wall CVD and sublimation techniques: Effect of growth cell pressure2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 1469-1472Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Aluminum nitride (AlN) films were grown on off-axis, Si-terminated 4H-SiC substrates by hot-wall CVD and sublimation techniques. The films were investigated by Infrared reflectance, Optical microscopy, Energy Dispersive X-ray analysis and Cathodoluminescence in a Scanning Electron Microscope with respect to their thickness, morphological, compositional and luminescence properties, in order to examine the influence of the growth cell pressure in either of the two deposition methods. Good quality thick AlN films were obtained by hot-wall CVD at temperature of 1200degreesC and reduced pressure of 100 mbar as reflected in the near stoichiometric N/Al ratio in these layers and in the appearance of the characteristic AlN near band edge emission. The AlN sublimation grown films at temperature of 2100degreesC suffered from island growth irrespective of the background pressure. The supersaturation conditions that affect strongly the growth mode became more favorable when the temperature was reduced to 1900degreesC.

  • 259.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gueorguiev, Gueorgui Kostov
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Stafström, Sven
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Beräkningsfysik.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    AlGaInN metal-organic-chemical-vapor-deposition gas-phase chemistry in hydrogen and nitrogen diluents: First-principles calculations2006Ingår i: Chemical Physics Letters, ISSN 0009-2614, E-ISSN 1873-4448, Vol. 431, nr 4-6, s. 346-351Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Direct impact of H2 and N2 diluents on the metal-organic-chemical-vapor-deposition gas-phase chemistry in M(CH3)3/NH3 (M = Al, Ga, In) systems is identified in the framework of Density Functional Theory in terms of cohesive energy differences. While both diluents destabilize model reaction species, i.e. adducts, transition states and chain complexes, the effect is particularly strong with respect to N2 in the Al(CH3)3/NH3 system, and can be a factor to restrain the expansion of chain complexes that deplete the gas-phase from precursors. Theoretical results are supported by experimental evidences of higher growth rate and superior optical properties of AlN grown in N2 vs. H2 diluent. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 260.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gueorguiev, Gueorgui Kostov
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Effect of impurity incorporation on crystallization in AlN sublimation epitaxy2004Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 96, nr 9, s. 5293-5297Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We have implemented graphite, graphite-tantalum (Ta), and Ta growth environment to the sublimation epitaxy of aluminum nitride (AlN) and have studied development, morphological, and cathodoluminescence emission properties of AlN crystallites. Three apparently different types of crystallites form in the three different types of growth environment, which presumably manifests the relationship between crystallite-habit-type and impurities. Comparison between the cathodoluminescence spectra reveals certain dynamics in the incorporation into AlN of the main residual dopants, oxygen and carbon, when the growth environment changes. At high temperatures, in addition to Al and N2, which constitute the vapor over AlN, vapor molecules of CN, NO, Al2C, and many more can be present in the vapor from which AlN grows and both oxygen and carbon can be incorporated into AlN in varying ratios. Involving calculations of the cohesive energy per atom of such vapor molecules and also of Ta containing molecules, we have considered possible mechanisms how oxygen and carbon get incorporated into AlN and how this kinetics interferes with the growth environment. The positive effect of Ta consists in the marked reduction of residual oxygen and carbon impurities in the vapor from which AlN is growing. However, on the account of this reduction, the overall composition of the vapor changes. We speculate that during AlN nucleation stage small impurity levels may be beneficial in order to provide a better balance between the AlN crystallites development and impurity incorporation issues. We have shown that some impurity containing vapor molecules are acting as essential transport agents and suppliers of nitrogen for the AlN growth. © 2004 American Institute of Physics.

  • 261.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    AlGaN/GaN epitaxial growth on SiC in a hot-wall MOCVD system2004Ingår i: European Microwave Week,2004, 2004, s. 11-19Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

      

  • 262.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Hot-wall MOCVD grown homoepitaxial GaN layers with intense intrinsic excitonic structure2005Ingår i: Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 202, 2005, Vol. 202, nr 5, s. 739-743Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on a new approach to MOCVD growth of GaN, i.e. hot-wall MOCVD, and its application to homoepitaxy on GaN substrates. The quality of the epilayers is examined by photoluminescence (PL). Homoepitaxially hot-wall MOCVD grown GaN layers show (1) intense PL free-exciton emissions relative to the intensity of the principal bound-exciton emission and (2) homogeneous cathodoluminescence emission within the terraces developed during the step-flow growth. Impurity concentrations in the material are measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS). (c) 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

  • 263.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kasic, A.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Performance of III-nitride epitaxy in a low V-to-III gas-flow ratio range under nitrogen ambient in a hot-wall MOCVD system2005Ingår i: Phys. Stat. Sol. (c), Vol. 2, 2005, Vol. 2, s. 960-963Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 264.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Stattin, M
    Chalmers.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Haglund, Å
    Chalmers.
    Larsson, A
    Chalmers.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Mg-doped Al0.85Ga0.15N layers grown by hot-wall MOCVD with low resistivity at room temperature2010Ingår i: PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, ISSN 1862-6254, Vol. 4, nr 11, s. 311-313Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on the hot-wall MOCVD growth of Mg-doped AlxGa1-xN layers with an Al content as high as x similar to 0.85. After subjecting the layers to post-growth in-situ annealing in nitrogen in the growth reactor, a room temperature resistivity of 7 k Omega cm was obtained indicating an enhanced p-type conductivity compared to published data for AlxGa1-xN layers with a lower Al content of x similar to 0.70 and a room temperature resistivity of about 10 k Omega cm. It is believed that the enhanced p-type conductivity is a result of reduced compensation by native defects through growth conditions enabled by the distinct hot-wall MOCVD system.

  • 265.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Trinh, Xuan Thang
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    The complex impact of silicon and oxygen on the n-type conductivity of high-Al-content AlGaN2013Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 102, nr 13, s. 132113-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Issues of major relevance to the n-type conductivity of Al0.77Ga0.23N associated with Si and O incorporation, their shallow donor or deep donor level behavior, and carrier compensation are elucidated by allying (i) study of Si and O incorporation kinetics at high process temperature and low growth rate, and (ii) electron paramagnetic resonance measurements. The Al0.77Ga0.23N composition correlates to that Al content for which a drastic reduction of the conductivity of AlxGa1−xN is commonly reported. We note the incorporation of carbon, the role of which for the transport properties of AlxGa1−xN has not been widely discussed.

  • 266.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Sofia University.
    Paskova, T.
    Sofia University.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Trifonova, E.P.
    Sofia University.
    Surtchev, M.
    Sofia University.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Structural properties of 6H-SiC epilayers grown by two different techniques1997Ingår i: Materials Science and Engineering B, ISSN 0921-5107, Vol. 46, nr 1-3, s. 345-348Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In the present work we investigated the structural properties of 6H-SiC homoepitaxial layers utilizing microhardness and X-ray characterization techniques. The growth was performed by chemical vapour deposition (CVD) and liquid phase epitaxy (LPE) under various growth conditions. The depth Knoop hardness profiles represent decreasing curves due to the indentation size effect. With load increasing the curves saturate reaching microhardness values comparable with the known Vickers ones. At about 0.4 μm beneath the layer surfaces the curves show small plateaus which may be attributed to structural inhomogeneity. This is suggested by X-ray diffraction spectra taken from the same samples, which contain additional peaks besides the typical ones for 6H-SiC.

  • 267.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Kasic, A.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Superior material properties of AlN on vicinal 4H-SiC2006Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 100, nr 3Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The crystal structure and optical properties of thick (>100 nm) AlN layers grown by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition are characterized by infrared spectroscopic ellipsometry, cathodoluminescence, and transmission electron microscopy. The choice of substrates among the available SiC wafer polytype modifications (4H/6H) and misorientations (on-/off-axis cut) is found to determine the AlN defect interaction, stress homogeneity, and luminescence. The growth of thick AlN layers benefits by performing the epitaxy on off-axis substrates because, due to stacking faults, the propagation of threading defects in AlN layers is stopped in a narrow interface region. © 2006 American Institute of Physics.

  • 268.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Sublimation epitaxy of AlN on SiC: Growth morphology and structural features2004Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 273, nr 1-2, s. 161-166Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In order to study the development of individual AlN crystallites, sublimation epitaxy of AlN was performed on 4H-SiC, off-axis substrates in an inductively heated setup. Growth process variables like temperature, extrinsic nitrogen pressure and time were changed in an attempt to favor the lateral growth of individual AlN crystallites and thus open possibilities to prepare continuous patterns. Scanning and transmission electron microscopy and cathodoluminescence were used to obtain plan-view and cross-sectional images of the grown patterns and to study their morphology and structural features. The growth at 1900°C/200mbar results in AlN pattern consisting of individual single wurzite AlN crystallites with plate-like shape aligned along [1 1̄ 0 0] direction. The only defects these AlN crystallites contain are threading dislocations, some of which are terminated by forming half-loops. Because of the uniform distribution of the crystallites and their high structural perfection, this AlN pattern could represent interest as a template for bulk AlN growth. Alternative growth approaches to AlN crystallite formation are possible resulting in variation of the final AlN pattern structure. From a viewpoint of obtaining continuous patterns, the more favorable growth conditions involve applying of increased extrinsic gas pressure, 700 mbar in our case. © 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 269.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Persson, P.O.A.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Birch, Jens
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Epitaxial growth of AlN layers on SiC substrates in a hot-wall MOCVD system2002Ingår i: Phys. Stat. Sol. (c), Vol. 0, Issue 1, 2002, Vol. n 1, s. 205-208Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this study we report the successful growth of AlN and AlN/GaN on SiC substrates in a MOCVD process based on a hot-wall susceptor design. Different features of AlN growth are established depending on the total reactor pressure, temperature, off-cut SiC substrate orientation and V-to-III gas-flow ratio. The feasibility of the hot-wall MOCVD concept is demonstrated by the performance of AlN/GaN structures with state-of-the-art properties with strong potential for further optimization. A narrower X-ray rocking curve over the asymmetric 10.4 than the symmetric 00.2 reflection clearly underlines the high overall crystal quality of the GaN layers on AlN buffers grown in this type of MOCVD reactor.

  • 270.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    University of Sofia.
    Trifonova, E.P.
    University of Sofia.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    MacMillan, M.F.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Microhardness of 6H-SiC epitaxial layers grown by sublimation1999Ingår i: Crystal research and technology (1981), ISSN 0232-1300, E-ISSN 1521-4079, Vol. 34, nr 8, s. 943-947Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Knoop microhardness of 6H-SiC layers grown by sublimation epitaxy was investigated. The microhardness-load curves for all of the samples were measured and then used to extract the load-independent microhardness values. The relationships of these values to the growth time and growth rate were studied. The microhardness-depth profiles indicated that the layer/substrate interface region had a microhardness value that differed significantly from that of both the epi-layer and the substrate.

  • 271.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gueorguiev, G.K.
    Departamento De Fisica Da Universidade, 3004-516 Coimbra, Portugal.
    Linnarsson, M.K.
    Solid State Electronics, Royal Institute of Technology, P.O. Box E229, S-164 40 Kista, Sweden.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kinetics of residual doping in 4H-SiC epitaxial layers grown in vacuum2002Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 240, nr 3-4, s. 501-507Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Investigation on residual Al, B, and N co-doping of 4H-SiC epitaxial layers is reported. The layers were produced by sublimation epitaxy in Ta growth cell environment at different growth temperatures and characterized by secondary ion mass spectrometry. The vapor interaction with Ta was considered through calculations of cohesive energies of several Si-, Al-, B-, and N-containing vapor molecules and also of diatomic Ta-X molecules. An analysis of kinetic mechanisms responsible for impurity incorporation is performed. Among residuals, B exhibits a stronger incorporation dependence on temperature and growth at lower temperatures can favor B decrease in the layers. Under the growth conditions in this study (Ta environment and presence of attendant Al and N), B incorporation is assisted by Si2C vapor molecule. Boron tends to occupy carbon sites at higher temperatures, i.e. higher growth rates. © 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  • 272.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Linnarsson, M.K.
    Royal Institute of Technology, PO Box E229, S-16440 Kista, Sweden.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Cathodoluminescence identification of donor-acceptor related emissions in as-grown 4H-SiC layers2002Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 91, nr 5, s. 2890-2895Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A comparative analysis of cathodoluminescence spectra in 4H-SiC layers with different N, Al, and B content is reported. The layers were produced by sublimation epitaxy and residual impurity concentrations were determined by secondary ion mass spectrometry. Epilayers doped with B in a wide concentration range, 5×1015-3×1018cm-3, were achieved. Evidence of N, Al, and B related emissions by cathodoluminescence experiments is presented. Differences in the luminescence emitted by the layers are established that are attributed to different B content and impurity cooperation. The characteristics of broad green emission, originating from B-related centers, at 4.6 K, 300 K, as well as in high temperature annealed layers are discussed. The experimental results suggest that boron is involved in more than one deep acceptor center. © 2002 American Institute of Physics.

  • 273.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Linnarsson, M.K.
    Solid State Electronics, Royal Institute of Technology, P.O. Box E229, S-16440 Kista, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Site-occupying behavior of boron in compensated p-type 4H-SiC grown by sublimation epitaxy2002Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 91, nr 5, s. 3471-3473Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Results from electrical and optical measurements of boron in compensated p-type 4H-SiC layers doped with Al, N, and B are reported. The layers were produced by sublimation epitaxy and characterized by secondary ion mass spectrometry, capacitance-voltage, and cathodoluminescence techniques. The boron-related contribution to the net acceptor concentration in the layers as well as the boron-related emission at ~505 nm are detected for various growth conditions. The effect of the concentrations of the attendant impurities Al and N, concentration ratio of Al to N atoms, and growth rate on the site-occupying behavior of boron in the layers is discussed. © 2002 American Institute of Physics.

  • 274.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Behavior of background impurities in thick 4H-SiC epitaxial layers2001Ingår i: Appl. Surf. Sci., Vol. 184, 2001, Vol. 184, nr 1-4, s. 242-246Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Behavior of background impurities in 4H-SiC layers is studied in terms of several growth process parameters. The layers were produced by sublimation epitaxy in Ta and Hf, as well as in graphite growth cell environment. Cathodoluminescence imaging and spectroscopy of cleaved samples demonstrate the impurity - thickness uniformity along thick (40-260 µm) layers. The effect of the Ta and Hf environment on the levels of residual impurities is considered through calculations of cohesive energies of Ta-X and Hf-X diatomic molecules and comparing them with those obtained for N-, Al- and B-containing vapor molecules. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  • 275.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Zhang, J
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Characteristics of boron in 4H-SiC layers produced by high-temperature techniques2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 259-262Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Characteristics of boron in as-grown 4H-SiC layers produced by fast epitaxy, i.e. sublimation and vertical hot-wall CVD, were studied by electrical and optical measurements. The boron-related contribution to the net acceptor concentration in the layers (as determined by CV on p-type residual doped sublimation epitaxy layers), the presence of deep boron centers (as indicated by DLTS) and boron-related "green" emission at similar to 505 nm (as observed by CL) are detected for various growth temperatures and C/Si ratios. The results are discussed in relation with the C vacancies in the lattice that may be affected by growth rate and input C/Si ratio in the CVD process.

  • 276.
    Kakanakova-Gueorgieva, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    High-quality AlN layers grown by hot-wall MOCVD at reduced temperatures2012Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 338, nr 1, s. 52-56Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on a growth of AlN at reduced temperatures of 1100 C and 1200 C in a horizontal-tube hot-wall metalorganic chemical vapor deposition reactor configured for operation at temperatures of up to 15001600 C and using a joint delivery of precursors. We present a simple route - as viewed in the context of the elaborate multilayer growth approaches with pulsed ammonia supply - for the AlN growth process on SiC substrates at the reduced temperature of 1200 C. The established growth conditions in conjunction with the particular in-situ intervening SiC substrate treatment are considered pertinent to the accomplishment of crystalline, relatively thin, ∼700 nm, single AlN layers of high-quality. The feedback is obtained from surface morphology, cathodoluminescence and secondary ion mass spectrometry characterization.

  • 277.
    Kakanakova-Gueorguie, Anelia
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Trinh, Xuan Thang
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Silicon and oxygen in high-Al-content AlGaN: incorporation kinetics and electron paramagnetic resonance study2014Ingår i: Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV, Trans Tech Publications Inc., 2014, Vol. 205-206, s. 441-445Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The high-Al-content AlxGa1-xN alloys, xgreater than0.70, and AlN is the fundamental wide-band-gap material system associated with the technology development of solid-state LEDs operating at the short wavelengths in the deep-UV (lambda less than 280 nm). Yet, their properties are insufficiently understood. The present study is intended to bring elucidation on the long-time debated and much speculated Si transition from shallow donor in GaN to a localized deep DX defect in AlxGa1-xN alloys with increasing Al content. For that purpose electron paramagnetic resonance is performed on a particular selection of high-Al-content epitaxial layers of Al0.77Ga0.23N, alternatively Al0.72Ga0.28N, alloy composition.

  • 278.
    Kalered, Emil
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Adsorption and surface diffusion of silicon growth species in silicon carbide chemical vapour deposition processes studied by quantum-chemical computations2013Ingår i: Theoretical Chemistry accounts, ISSN 1432-881X, E-ISSN 1432-2234, Vol. 132, nr 12Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The effect chlorine addition to the gas mixture has on the surface chemistry in the chemical vapour deposition (CVD) process for silicon carbide (SiC) epitaxial layers is studied by quantum-chemical calculations of the adsorption and diffusion of SiH2 and SiCl2 on the (000-1) 4H–SiC surface. SiH2 was found to bind more strongly to the surface than SiCl2 by approximately 100 kJ mol−1 and to have a 50 kJ mol−1 lower energy barrier for diffusion on the fully hydrogen-terminated surface. On a bare SiC surface, without hydrogen termination, the SiCl2 molecule has a somewhat lower energy barrier for diffusion. SiCl2 is found to require a higher activation energy for desorption once chemisorbed, compared to the SiH2 molecule. Gibbs free energy calculations also indicate that the SiC surface may not be fully hydrogen terminated at CVD conditions since missing neighbouring pair of surface hydrogens is found to be a likely type of defect on a hydrogen-terminated SiC surface.

  • 279.
    Kallinger, B.
    et al.
    Fraunhofer IISB, Erlangen, Germany.
    Rommel, M.
    Fraunhofer IISB, Erlangen, Germany.
    Lilja, Louise
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Booker, Ian Don
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Comparison of carrier lifetime measurements and mapping in 4H SIC using time resolved photoluminescence and μ-PCD2014Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2, Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications , 2014, Vol. 778-780, s. 301-304Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Carrier lifetime measurements and wafer mappings have been done on several different 4H SiC epiwafers to compare two different measurement techniques, time-resolved photoluminescence and microwave induced photoconductivity decay. The absolute values of the decay time differ by a factor of two, as expected from recombination and measurement theory. Variations within each wafer are comparable with the two techniques. Both techniques are shown to be sensitive to substrate quality and distribution of extended defects.

  • 280.
    Karhu, Robin
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Booker, Ian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Long Charge Carrier Lifetime in As-Grown 4H-SiC Epilayer2016Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 858, s. 125-128Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Over 150 μm thick epilayers of 4H-SiC with long carrier lifetime have been grown with a chlorinated growth process. The carrier lifetime have been determined by time resolved photoluminescence (TRPL), the lifetime varies a lot between different areas of the sample. This study investigates the origins of lifetime variations in different regions using deep level transient spectroscopy (DLTS), low temperature photoluminescence (LTPL) and a combination of KOH etching and optical microscopy. From optical microscope images it is shown that the area with the shortest carrier lifetime corresponds to an area with high density of structural defects.

  • 281.
    Karhu, Robin
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Booking, Ian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Ul Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Ivanov, Ivan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    The Role of Chlorine during High Growth Rate Epitaxy2015Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 821-823, s. 141-144Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The influence of chlorine has been investigated for high growth rates of 4H-SiC epilayers on 4o off-cut substrates. Samples were grown at a growth rate of approximately 50 and 100 μm/h and various Cl/Si ratios. The growth rate, net doping concentration and charge carrier lifetime have been studied as a function of Cl/Si ratio. This study shows some indications that a high Cl concentration in the growth cell leads to less availability of Si during the growth process.

  • 282. Kasamakova-Kolaklieva, L
    et al.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kakanakov, R
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Characteristics of Ni Schottky contacts on compensated 4H-SiC layers2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, Trans Tech Publications , 2003, Vol. 433-4, s. 709-712Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The electrical properties of Ni Schottky contacts to compensated 4H-SiC layers have been characterized by means of IN and C-V measurements and the key parameters have been determined. The measured barrier heights were between 0.90 eV and 2.90 eV depending on the conductivity type and the donor/acceptor concentration as well as the measurement techniques used. Inhomogeneties in IN characteristics of some rectifiers at lower forward-bias voltages have been observed. This may suggest enhanced trapping mechanism due to the nonuniform boron compensation of the epilayers.

  • 283.
    Kassamakova, L
    et al.
    Bulgarian Acad Sci, Inst Appl Phys, BG-4000 Plovdiv, Bulgaria Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Kakanakov, R
    Bulgarian Acad Sci, Inst Appl Phys, BG-4000 Plovdiv, Bulgaria Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Wilzén, Lars
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Effect of temperature treatment on Au/Pd Schottky contacts to 4H-SiC2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 929-932Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Au/Pd/SiC Schottky baffler contacts have been formed on n-type 4H-SiC grown by sublimation epitaxy. The effect of annealing temperature on the electrical properties of these contacts was studied using IN and C-V measurements. The barrier height was found to increase slightly from 1.14 eV for as-deposited contacts to 1.2 eV after annealing at 500 degreesC, while the more pronounced effect was observed with decrease of the ideality factor, Auger analysis was used to study the metallurgy of the annealed contacts. Strong diffusion between Au and Pd was established after 500 degreesC anneal, while the Pd/SiC interface remained almost steep, The electrical properties of annealed contacts have been study during the thermal treatment at temperatures up to 350 degreesC and prolonged ageing at 300 degreesC and 400 degreesC in nitrogen.

  • 284. Kassamakova-Kolaklieva, L.
    et al.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Contreras, S.
    Consejo, C.
    Pernot, J.
    Zielinski, M.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Temperature-Dependent Hall Effect Measurements in Low - Compensated p-Type 4H-SiC2004Ingår i: Mater. Sci. Forum, Vol. 457-460, Trans Tech Publications Inc. , 2004, s. 677-Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

      

  • 285.
    Kawahara, Koutarou
    et al.
    Kyoto University, Japan .
    Thang Trinh, Xuan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son Tien, Nguyen
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Suda, Jun
    Kyoto University, Japan .
    Kimoto, Tsunenobu
    Kyoto University, Japan .
    Investigation on origin of Z(1/2) center in SiC by deep level transient spectroscopy and electron paramagnetic resonance2013Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 102, nr 11Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The Z(1/2) center in n-type 4H-SiC epilayers-a dominant deep level limiting the carrier lifetime-has been investigated. Using capacitance versus voltage (C-V) measurements and deep level transient spectroscopy (DLTS), we show that the Z(1/2) center is responsible for the carrier compensation in n-type 4H-SiC epilayers irradiated by low-energy (250 keV) electrons. The concentration of the Z(1/2) defect obtained by C-V and DLTS correlates well with that of the carbon vacancy (V-C) determined by electron paramagnetic resonance, suggesting that the Z(1/2) deep level originates from V-C.

  • 286.
    Kawahara, Koutarou
    et al.
    Kyoto University, Japan .
    Trinh, Xuan Thang
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Suda, Jun
    Kyoto University, Japan .
    Kimoto, Tsunenobu
    Kyoto University, Japan .
    Quantitative comparison between Z1∕2 center and carbon vacancy in 4H-SiC2014Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 115, nr 14, s. 143705-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this study, to reveal the origin of the Z(1/2) center, a lifetime killer in n-type 4H-SiC, the concentrations of the Z(1/2) center and point defects are compared in the same samples, using deep level transient spectroscopy (DLTS) and electron paramagnetic resonance (EPR). The Z(1/2) concentration in the samples is varied by irradiation with 250 keV electrons with various fluences. The concentration of a single carbon vacancy (V-C) measured by EPR under light illumination can well be explained with the Z(1/2) concentration derived from C-V and DLTS irrespective of the doping concentration and the electron fluence, indicating that the Z(1/2) center originates from a single V-C.

  • 287.
    Khromov, Sergey
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Persson, Per O A
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Wang, X.
    Peking University, Peoples R China.
    Yoshikawa, A.
    Chiba University, Japan.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Rosén, Johanna
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Darakchieva, Vanya
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Correlation between switching to n-type conductivity and structural defects in highly Mg-doped InN2015Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 106, nr 23, artikel-id 232102Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The effect of Mg doping on the microstructure of InN epitaxial films in relation to their free-charge carrier properties has been investigated by transmission electron microscopy (TEM) and aberration corrected scanning TEM. We observe a direct correlation between Mg concentration and the formation of stacking faults. The threading dislocation density is found to be independent of Mg concentration. The critical Mg concentration for the on-set of stacking faults formation is determined and found to correlate with the switch from p- to n-type conductivity in InN. Potential mechanisms involving stacking faults and point defect complexes are invoked in order to explain the observed conductivity reversal. Finally, the stacking faults are structurally determined and their role in the reduction of the free electron mobility in highly doped InN: Mg is discussed. (C) 2015 AIP Publishing LLC.

  • 288. Koo, SM
    et al.
    Domeij, M
    Zetterling, CM
    Ostling, M
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Simulation and measurement of switching characteristics of 4H-SiC buried-gate JFETs2003Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Buried-gate junction field-effect transistors (JFETs) have been fabricated in 4H polytype silicon carbide (SiC). The dynamic switching characteristics of the JFETs in a circuit with inductive load have been characterized. The drain voltage rise/fall time of similar to30 ns and 25 ns have been observed for turn-off and turn-on, respectively. The results have been compared to numerical mixed-mode circuit simulations with finite element structures.

  • 289.
    Koo, SM
    et al.
    Royal Inst Technol, KTH, Dept Microelect & Informat Technol, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Lee, Sun Kyun
    Zetterling, CM
    Royal Inst Technol, KTH, Dept Microelect & Informat Technol, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Ostling, M
    Royal Inst Technol, KTH, Dept Microelect & Informat Technol, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Influence of trenching effect on the characteristics of buried-gate SiC junction field-effect transistors2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 1235-1238Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Two different structures of junction field-effect transistors in 4H-SiC, with and without trenching effect in the channel region, have been fabricated and characterized. The devices formed with metal mask show a trenching profile (>similar to0.2 mum) after dry etch in the channel groove region and exhibited static induction transistor (SIT)-like characteristics in the sub-threshold region of I-V curves as the channel thickness decreases. The devices without trenching effect have been processed by using a wet-etched oxide mask resulting in a sloped dry-etch profile (theta=similar to30degrees) in the channel, and consequently showed well-saturated drain characteristics for all the channel thicknesses. The conduction mechanisms in these JFETs are examined by the potential profiles from two dimensional numerical simulations.

  • 290.
    Kordina, Olle
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ellison, A.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Son, Nguyen Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Growth of SiC by "Hot-Wall" CVD and HTCVD1997Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 202, nr 1, s. 321-334Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A reactor concept for the growth of high-quality epitaxial SiC films has been investigated. The reactor concept is based on a hot-wall type susceptor which, due to the unique design, is very power efficient. Four different susceptors are discussed in terms of quality and uniformity of the grown material. The films are grown using the silane–propane–hydrogen system on off-axis (0001) 6H- and 4H-SiC substrates. Layers with doping levels in the low 1014 cm—3 showing strong free exciton emission in the photoluminescence spectra may readily be grown reproducibly in this system. The quality of the grown layers is also confirmed by the room temperature minority carrier lifetimes in the microsecond range and the optically detected cyclotron resonance data which give mobilities in excess of 100000 cm2/Vs at 6 K. Finally, a brief description will be given of the HTCVD technique which shows promising results in terms of high quality material grown at high growth rates.

  • 291.
    Kordina, Olle
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    SIC epitaxial growth on large area substrates: history and evolution2012Ingår i: Silicon carbide epitaxy / [ed] Francesco La Via, Kerala, Indien: Research Signpost , 2012, s. 1-25Kapitel i bok, del av antologi (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In the past decades, the commercial requirements have steered the development of SiC materials to increasing perfection in quality, size, uniformity, and reproducibility. It has indeed been intense and captivating and we have yet to see the end of this development. This brief review gives a short historic background trying to highlight the main technological achievements which have advanced the technology to the point where we stand today. The need for a high throughput has made the development of multi-wafer reactors particularly fascinating. Today there are warm-wall reactors with a capacity of 10 x 100 mm and dual chamber hot-wall reactors with a capacity of 7 x 100 mm and with auto-loading capability. The growth rate increase seen in the past decade has lead to an interesting situation as it is no longer the growth rate that limits the throughput but rather the heat- and cooldown times. At the end of this chapter a brief outlook for the future is also given.

  • 292.
    Kotamraju, Siva
    et al.
    Mississippi State University, USA .
    Krishnan, Bharat
    Mississippi State University, USA .
    Beyer, Franziska C.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Koshka, Yaroslav
    Mississippi State University, USA .
    Electrical and optical properties of high-purity epilayers grown by the low-temperature chloro-carbon growth method2012Ingår i: Materials Science Forum Vol 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 129-132Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A reduced growth pressure (down to 10 Torr) was employed for the low-temperature chloro-carbon epitaxial growth. More than two times lower H-2 flow rate became possible. The optimal input H-2/Si and C/Si ratios were also lower. A significant reduction of the net free donor concentration resulted from the use of the low pressure, delivering partially compensated epilayers with the net free donor concentration below 7 x 10(13) cm(-3). Deep levels were characterized in the low-temperature epilayers for the first time. No Z(1/2) or EH6/7 centers could be detected by DLTS. No strong D-1 photoluminescence signature was observed. The high purity of the obtained epitaxial layers made it possible to use the low-temperature chloro-carbon epitaxial growth to fabricate drift regions of Schottky diodes for the first time. Promising values of the reverse breakdown voltage and the leakage current were obtained from the fabricated devices.

  • 293.
    Lebedev, Alexander
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Davydov, DV
    Russian Acad Sci, AF Ioffe Physicotech Inst, St Petersburg 194021, Russia Linkoping Univ, S-58183 Linkoping, Sweden.
    Savkina, NS
    Russian Acad Sci, AF Ioffe Physicotech Inst, St Petersburg 194021, Russia Linkoping Univ, S-58183 Linkoping, Sweden.
    Tregubova, AS
    Russian Acad Sci, AF Ioffe Physicotech Inst, St Petersburg 194021, Russia Linkoping Univ, S-58183 Linkoping, Sweden.
    Shcheglov, MP
    Russian Acad Sci, AF Ioffe Physicotech Inst, St Petersburg 194021, Russia Linkoping Univ, S-58183 Linkoping, Sweden.
    Yakimova, Rositsa
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Structural defects and deep-level centers in 4H-SiC epilayers grown by sublimational epitaxy in vacuum2000Ingår i: Semiconductors (Woodbury, N.Y.), ISSN 1063-7826, E-ISSN 1090-6479, Vol. 34, nr 10, s. 1133-1136Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The parameters of deep-level centers in lightly doped 4H-SiC epilayers grown by sublimational epitaxy and CVD were investigated. Two deep-level centers with activation energies E-c - 0.18 eV and E-c - 0.65 eV (Z1 center) were observed and tentatively identified with structural defects of the SiC crystal lattice. The Z1 center concentration is shown to fall with decreasing uncompensated donor concentration N-d - N-a in the layers. For the same N-d - N-a, the Z1 center concentration is lower in layers with a higher dislocation density. (C) 2000 MAIK "Nauka/Interperiodica".

  • 294.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hemmingsson, Carl
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chloride-Based SiC Epitaxial Growth toward Low Temperature Bulk Growth2010Ingår i: Crystal Growth & Design, ISSN 1528-7483, E-ISSN 1528-7505, Vol. 10, nr 8, s. 3743-3751Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this study, chloride-based chemical vapor deposition (CVD) of SiC is used either to grow epitaxial layers at high growth rate and to facilitate homopolytypic growth on on-axis substrates or to grow bulk material at temperatures lower than 2000 °C. A vertical reactor configuration with an inlet of gas flow placed at the bottom of the reactor chamber and the exhaust at the top of it has been used. The chlorinated precursors have helped to eliminate or greatly reduce cluster formation, thereby allowing the deposition of thick SiC epilayers at growth rates exceeding 300 μm/h at 1700−1900 °C. Up to 1.5 mm thick homoepitaxial layers have been grown on up to 75 mm diameter 4H- or 6H-SiC wafers. Both on-axis and off-axis, Si-face and C-face polarities have been used. Our results show great promise for the realization of a high growth rate epitaxial process suitable for bulk growth at temperatures lower than those typically used. Such a process is interesting on account of the higher quality material and lower operating cost.

  • 295.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chloride-based CVD of 3C-SiC epitaxial layers on 6H(0001) SiC2010Ingår i: Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters, ISSN 1862-6270, Vol. 4, nr 11, s. 305-307Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The growth of 3C‐SiC epitaxial layers on nominally on‐axis 6H‐SiC Si‐face substrates using the chloride‐based CVD process is demonstrated. A hot‐wall CVD reactor was used and HCl was added to the standard precursors (silane and ethylene). Several growth parameters were tested: temperature, in‐situ surface preparation, C/Si ratio, Cl/Si ratio, and nitrogen addition. Each parameter had a very important effect on the polytype formation. In the case of 3C‐SiC deposition the morphology and typology of defects could change significantly depending on the different combinations of growth conditions, including the addition of nitrogen. At a growth rate of 10 μm/h, a mirror‐like surface with a single domain decorated by some parallel stripes and few epitaxial defects were obtained. The near‐band gap luminescence of high quality 3C‐SiC layers was characterized by very sharp lines. Microscope and AFM analysis showed a very smooth surface. A background doping in the low 1015 cm−3 range was achieved.

  • 296.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chloride-based CVD of 3C-SiC Epitaxial Layers on On-axis 6H (0001) SiC Substrates2010Ingår i: AIP Conference Proceedings, Vol. 1292, 2010, s. 7-10Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 297.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chlorinated precursor study in low temperature CVD of 4H-SiC2011Ingår i: Thin Solid Films, ISSN 0040-6090, E-ISSN 1879-2731, Vol. 519, nr 10, s. 3074-3080Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Low temperature chemical vapour deposition of SiC has gained interest in the last years for being less demanding in terms of reaction chamber lifetime, but also for allowing higher p-type dopant incorporation. Chloride-based CVD at low temperatures has been studied using chloromethane with tetrachlorosilane or silane, respectively and with or without controlled HCl addition. In this study we explore the use of methyltrichlorosilane (MTS) at growth temperatures significantly lower than what is commonly used for homoepitaxial growth of SiC. MTS is a molecule containing all the needed precursor atoms; its effects are compared to the standard CVD chemistry, consisting of silane, ethylene, and HCl.

    Very different chemistries between the two precursor systems are proposed; in the case of MTS, C/Si ratios higher than 1 were required, however using the standard chemistry ratios lower than 1 were needed to obtain a defect-free epitaxial layer. We also demonstrate the need of using Cl/Si ratios as high as 15 to achieve a growth rate of 13 μm/h for 8° off-axis 4H-SiC epitaxial layers at 1300 °C. Limitations due to the low growth temperature are discussed in light of the experimental evidence on the growth mechanism as determined by the morphology degradation and the limited growth rate. Finally a comparison between the epilayers morphology obtained on 4H-SiC substrates with different off-cuts are presented, confirming the importance of lower C/Si ratios for 4° off-axis material and the inevitable growth of the cubic SiC polytype on on-axis substrates.

  • 298.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Growth of smooth 4H-SiC epilayers on 4° off-axis substrates with chloride-based CVD at very high growth rate2011Ingår i: Materials research bulletin, ISSN 0025-5408, E-ISSN 1873-4227, Vol. 46, nr 8, s. 1272-1275Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    4H-SiC epilayers grown on 4º off-axis substrates at high rates usually suffer from step-bunching (very high surface roughness) or of extended triangular defects, both detrimental for device performance.

    In this study we developed a novel in situ pre-growth surface preparation based on hydrogen chloride (HCl) addition at a temperature higher than that used for the growth. This pre-growth etching procedure minimizes the density of triangular defects which usually occur at low temperatures and simultaneously enables growth at a temperature low enough to avoid stepbunching. Thanks to this surface preparation step, chloride-based CVD could be used for rapid epitaxial growth of high quality layers. In this study, layers were grown at rates of 100 μm/h yielding defect free epitaxial layers with very smooth surface (RMS value of 8.9 Å on 100x100 μm2 area).

  • 299.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    High growth rate of 4H-SiC epilayers grown on on-axis substrates with different chlorinated precursors2010Ingår i: Crystal Growth & Design, ISSN 1528-7483, E-ISSN 1528-7505, Vol. 10, nr 12, s. 5334-5340Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The epitaxial growth of 4H-SiC on on-axis substrates is a very important process to develop in order to accelerate the development and improve the performance of bipolar SiC based power devices, but until now, only relatively low growth rate processes have been demonstrated. The aim of this study is to demonstrate a high growth rate deposition process of high quality 4H-SiC epilayers on on-axis substrates, free of 3C-SiC inclusions. Previous studies showed that silicon-rich gas-phase conditions (prior to, and during the deposition process) and/or high Cl/Si ratios were vital in order to avoid 3C-SiC inclusions in the epitaxial layers when growing on on-axis substrates. This study combines the knowledge of surface pre-treatment with the chloride-based chemistry developed for off-axis growth. Two different precursor approaches were used, one adopting the standard precursors (silane and ethylene) with addition of hydrogen chloride (HCl), and the other based on the molecule methyltrichlorosilane (CH3SiCl3 or MTS). In this study we will show that using a MTS-based CVD process in combination with proper in situ silane etching and accurate optimisation of the other process parameters (temperature, C/Si and Cl/Si ratio) results in homoepitaxial growth of high purity and high quality 4H-SiC layers on on-axis Si-face substrates at a growth rate of 100 μm/h. Additionally, a higher efficiency of the MTS precursor chemistry was found and discussed.

  • 300.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Optimization of a Concentrated Chloride-Based CVD Process for 4H–SiC Epilayers2010Ingår i: Journal of the Electrochemical Society, ISSN 0013-4651, E-ISSN 1945-7111, Vol. 157, nr 10, s. H969-H979Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Concentrated homoepitaxial growths of 4H–SiC was performed using a chloride-based chemical vapor deposition (CVD) process on different off-angle substrates (on-axis, 4 and 8° off-axis toward the [110] direction). A suitable combination of gas flow and process pressure is needed to produce the gas speed that yields an optimum cracking of the precursors and a uniform gas distribution for deposition over large areas. The use of low pressure and the addition of chlorinated precursors bring the added benefit of achieving higher growth rates. A systematic study of the gas speed's effect on the growth rate, uniformity, and morphology on the 4H–SiC epitaxial layers was performed. Growth rates in excess of 50  µm/h were achieved on 50 mm diameter wafers with excellent thickness uniformity (below 2% /mean without rotation of the substrate) and smooth morphology using only 1/10 of the typical gas carrier flow and process pressure demonstrating the feasibility of a concentrated chloride-based CVD process for 4H–SiC. Thermodynamic calculations showed that the improved thickness uniformity could be due to a more uniform gas phase composition of the silicon intermediates. The concentration of the SiCl2 intermediate increases by a factor of 8 at a reduced carrier flow, while all the other hydrogenated silicon intermediates decrease.

3456789 251 - 300 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf