liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
45678910 301 - 350 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 301.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nishizawa, S.
    National Institute Adv Ind Science and Technology, Japan .
    Epitaxial growth of SiC with chlorinated precursors on different off-angle substrates2013Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 362, s. 170-173Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This study focuses on the epitaxial growth of silicon carbide (SiC) epitaxial layers, adopting the chloride-based chemical-vapor-deposition (CVD) process, which allows to achieve ten times higher growth rate compared to the standard process based on the mixture of a silicon-containing gas and a hydrocarbon. In order to improve the material quality, substrates with different off-angles were used, since low off-angle substrates result in a reduction of killer defects for specific devices. Different growth mechanisms dominate for different substrate off-cut and an accurate set up of dedicated surface preparation procedures and tuning of growth parameters are needed. This study demonstrates that silicon-rich gas inputs are favorable for lower off-angle (nominally on-axis) substrates, while carbon-rich are beneficial for higher off-angles (usually 8 degrees off-axis for 4H-SiC). Methyltrichlorosilane (MTS) is shown to be the best precursor to achieve the presented results.

  • 302.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chloride-based CVD at high growth rates on 3 vicinal off-angles SiC wafers2010Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Chloride-based growth on on-axis SiC substrates has been studied at higher temperature than typical CVD conditions. The use of chlorinated precursors allows to grow homo-polytypic layers and to achieve high growth rates for thick layers deposition. In this study a vertical reactor with the gas flow inlet at the bottom has been used to grow layers up to 1.5 mm thick. Thanks to the addition of hydrogen chloride (HCl) to the standard precursors mixture, growth rates up to 300 mu m/h have been achieved at a process temperature lower than 1900 degrees C. Very pure layers, micropipe free, and with a low background doping have been grown on 4H and 6H-SiC carbon and silicon-face, respectively, on-axis 3 diameter substrates. The results obtained indicates that this process has the potential to become a novel bulk growth technique at lower temperature than usual, which could give several advantages.

  • 303.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nishizawa, Shin-ichi
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gas-Phase Modeling of Chlorine-Based Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide2012Ingår i: Crystal Growth & Design, ISSN 1528-7483, E-ISSN 1528-7505, Vol. 12, nr 4, s. 1977-1984Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Kinetic calculations of the chemical phenomena occurring in the epitaxial growth of silicon carbide are performed in this study. The main process parameters analyzed are precursor types, growth temperature, Cl/Si ratio, and precursors concentration. The analysis of the gas-phase reactions resulted in a model which could explain most of the already reported experimental results, performed in horizontal hot-wall reactors. The effect of using different carbon or silicon precursors is discussed, by comparing the gas-phase composition and the resulting C/Si ratio inside the hot reaction chamber. Chlorinated molecules with three chlorine atoms seem to be the most efficient and resulting in a uniform C/Si ratio along the susceptor coordinate. Further complexity in the process derives from the use of low temperatures, which affects not only the gas-phase composition but also the risk of gas-phase nucleation. The Cl/Si ratio is demonstrated to be crucial not only for the prevention of silicon clusters but also for the uniformity of the gas-phase composition.

  • 304.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lin, Yuan-Chih
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska C.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chloride-Based CVD at High Rates of 4H-SiC on On-Axis Si-Face Substrates2011Ingår i: Materials Science Forum Vols. 679-680 (2011) pp 59-62, Trans Tech Publications Inc., 2011, s. 59-62Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The epitaxial growth at 100 µm/h on on-axis 4H-SiC substrates is demonstrated in this study. Chloride-based CVD, which has been shown to be a reliable process to grow SiC epitaxial layers at rates above 100 µm/h on off-cut substrates, was combined with silane in-situ etching. A proper tuning of C/Si and Cl/Si ratios and the combination of different chlorinated precursors resulted in the homoepitaxial growth of 4H-SiC on Si-face substrates at high rates. Methyltrichlorosilane, added with silane, ethylene and hydrogen chloride were employed as precursors to perform epitaxial growths resulting in very low background doping concentration and high quality material, which could be employed for power devices structure on basal-plane-dislocation-free epitaxial layers.

  • 305.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Beyer, Franziska
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Canino, Andrea
    Consiglio Nazionale delle Ricerche IMM, Catania, Italy.
    La Via, Francesco
    Consiglio Nazionale delle Ricerche IMM, Catania, Italy.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Chloride-Based CVD of 4H-SiC at High Growth Rates on Substrates with Different Off-Angles2012Ingår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 113-116Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A review of recently achieved results with the chloride-based CVD on 8 degrees and 4 degrees off-axis and nominally on-axis 4H-SiC wafers is done to clarify the epitaxial growth mechanisms on different off-angle substrates. The process conditions selected for each off-axis angle become even more difficult when running at growth rates of 100 mu m/h or more. A fine-tuning of process parameters, mainly temperature, C/Si ratio and in situ surface preparation is necessary for each Wangle. Some trends related to the surface properties and the effective C/Si ratio existing on the surface prior to and during the epitaxial growth can be observed.

  • 306.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Caracal Inc., 611 Eljer way, Ford City, PA, 16226, USA.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Homoepitaxial growth of 4H-SiC on on-axis Si-face substrates using chloride-based CVD2009Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The homoepitaxial chloride-based CVD growth is demonstrated on Si-face on-axis 4HSiC substrates. The use of chloride-based CVD has allowed growth of 100% 4H-SiC epitaxial layers with a growth rate of 20μm/h, thus about seven times higher than with standard precursors. It was also found that chlorine etches preferentially the 3C-SiC inclusions that tends to nucleate on Siface on-axis substrates. Therefore the Cl/Si ratio is a fundamental process parameter to optimize.

  • 307.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Caracal Inc., 611 Eljer way, Ford City, PA, 16226, USA.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Improved morphology for epitaxial growth on 4° off-axis 4H-SiC substrates2009Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 311, nr 12, s. 3265-3272Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A process optimization of the growth of SiC epilayers on 4° off-axis 4H-SiC substrates is reported. Process parameters such as growth temperature, C/Si-ratio and temperature ramp up conditions are optimized for the standard non-chlorinated growth in order to grow smooth epilayers without step-bunching and triangular defects. The growth of 6 μm thick n-type doped epitaxial layers on 75 mm diameter wafers is demonstrated as well as that of 20 μm thick layer. The optimized process was then transferred to a chloride-based process and a growth rate 28 μm/h was achieved without morphology degradation. A low growth temperature and a low C/Si ratio are the key parameters to reduce both the step-bunching and the formation of triangular defects.

  • 308.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Thick homoepitaxial layers grown on on-axis Si-face 6H- and 4H-SiC substrates with HCl addition2009Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 312, nr 1, s. 24-32Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The homoepitaxial growth of 6H- and 4H-SiC on on-axis substrates has been studied in order to demonstrate the growth of thick, mirror-like epitaxial layers without other polytype inclusions and basal plane dislocations. The study was done in a hot wall reactor using standard precursors silane and ethylene with hydrogen chloride (HCl) addition. The main important process parameters were studied, in particular deposition temperature, and precursor ratios such as C/Si, Cl/Si and Si/H2. The addition of chlorine in the precursor mixture was found to be the key parameter to grow layers at high rate with morphology and thickness similar to epilayers deposited on commonly used off-axis substrates. Two different process conditions were found allowing growth of low-doped (in the low 1014 cm−3 range) 100-μm-thick epitaxial layers at a growth rate of 25 μm/h, 8 times higher than what is achieved without HCl addition. A high concentration of SiCl2 in the gas phase obtained by high Cl/Si and Si/C ratios was fundamental to achieve these results.

  • 309.
    Leone, Stefano
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Rao, S.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Growth of Thick 4H-SiC Epitaxial Layers on On-axis Si-Face Substrates with HCl Addition2009Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 615-617, Trans Tech Publications , 2009, s. 93-96Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Homoepitaxial growth of 4H-SiC on on-axis Si-face substrates is reported using hydrogen chloride together with silane and ethylene. In this study, the main process parameters, such as temperature, Cl/Si ratio, C/Si ratio, Si/H2 ratio and ramp up conditions, were studied in detail to understand their effects on the growth mechanisms. Two different optimal epitaxial growth conditions were found. Silicon rich conditions and a high Cl/Si ratio were the key parameters to grow thick homoepitaxial layers with a very low background doping concentration and a growth rate higher than 20 μm/h.

  • 310.
    Li, Xun
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Bergsten, J.
    Chalmers, Sweden.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Rorsman, N.
    Chalmers, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Carbon doped GaN buffer layer using propane for high electron mobility transistor applications: Growth and device results2015Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 107, nr 26, s. 262105-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The creation of a semi insulating (SI) buffer layer in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) devices is crucial for preventing a current path beneath the two-dimensional electron gas (2DEG). In this investigation, we evaluate the use of a gaseous carbon gas precursor, propane, for creating a SI GaN buffer layer in a HEMT structure. The carbon doped profile, using propane gas, is a two stepped profile with a high carbon doping (1.5 x 10(18) cm(-3)) epitaxial layer closest to the substrate and a lower doped layer (3 x 10(16) cm(-3)) closest to the 2DEG channel. Secondary Ion Mass Spectrometry measurement shows a uniform incorporation versus depth, and no memory effect from carbon doping can be seen. The high carbon doping (1.5 x 10(18) cm(-3)) does not influence the surface morphology, and a roughness root-mean-square value of 0.43 nm is obtained from Atomic Force Microscopy. High resolution X-ray diffraction measurements show very sharp peaks and no structural degradation can be seen related to the heavy carbon doped layer. HEMTs are fabricated and show an extremely low drain induced barrier lowering value of 0.1 mV/V, demonstrating an excellent buffer isolation. The carbon doped GaN buffer layer using propane gas is compared to samples using carbon from the trimethylgallium molecule, showing equally low leakage currents, demonstrating the capability of growing highly resistive buffer layers using a gaseous carbon source. (C) 2015 AIP Publishing LLC.

  • 311.
    Li, Xun
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergsten, Johan
    Microwave Electronics Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Sweden.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Rorsman, Niklas
    Microwave Electronics Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Intentionally carbon doped GaN buffer layer for HEMT application: growth and device results2015Manuskript (preprint) (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    The creation of a semi-insulating (SI) buffer layer in AlGaN/GaN HEMT devices is crucial for preventing a current path beneath the two-dimensional electron gas (2DEG). Here we evaluate the use of a carbon precursor, propane, for creating a SI GaN buffer layer. The carbon doping profile obtained from SIMS measurement shows a very uniform incorporation versus depth and no significant memory effect from carbon doping is seen, allowing for the creation of a very abrupt profile. The high carbon doping (1.5×1018 cm-3) does not influence the surface morphology. HRXRD ω rocking curve showed a FWHM of 200 arcsec of the (0002) and 261 arcsec for (10-12) reflection of the GaN, respectively. HEMT devices were processed on the epitaxial layers. An extremely low drain induced barrier lowering value of 0.1 mV/V was measured for a HEMT with a gate length of 0.2 𝜇m. This demonstrates the capability of growing a highly resistive buffer layer using intentional carbon doping.

  • 312.
    Li, Xun
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Precursors for carbon doping of GaN in chemical vapor deposition2015Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology B, ISSN 1071-1023, E-ISSN 1520-8567, Vol. 33, nr 2, s. 021208-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Methane (CH4), ethylene (C2H4), acetylene (C2H2), propane (C3H8), iso-butane (i-C4H10), and trimethylamine [N(CH3)(3)] have been investigated as precursors for intentional carbon doping of (0001) GaN in chemical vapor deposition. The carbon precursors were studied by comparing the efficiency of carbon incorporation in GaN together with their influence on morphology and structural quality of carbon doped GaN. The unsaturated hydrocarbons C2H4 and C2H2 were found to be more suitable for carbon doping than the saturated ones, with higher carbon incorporation efficiency and a reduced effect on the quality of the GaN epitaxial layers. The results indicate that the C2H2 molecule as a direct precursor, or formed by the gas phase chemistry, is a key species for carbon doping without degrading the GaN quality; however, the CH3 species should be avoided in the carbon doping chemistry.

  • 313.
    Li, Xun
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hemmingsson, Carl
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pozina, Galia
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Optical properties of AlGaN/GaN epitaxial layers grown on free-standing Ga-face and N-face GaN substrates2015Manuskript (preprint) (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    Comparative studies have been made on AlGaN/GaN epitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition on both Ga- and N-face free-standing GaN substrates fabricated by halide vapor phase epitaxy. By time-resolved photoluminescence studies, we conclude that two-dimensional electron gas (2DEG) only appears for heterostructures grown on Ga-face. We studied the temporal behavior of the 2DEG emission, which correlates well with recombination processes in an asymmetric triangular potential well formed by an AlGaN/GaN structure grown in [0001] direction.

  • 314.
    Li, Xun
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hemmingsson, Carl
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pozina, Galia
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Properties of GaN layers grown on N-face free-standing GaN substrates2015Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 413, s. 81-85Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    GaN layers were homoepitaxially grown on N-face free-standing GaN substrates using a hot-wall metalorganic chemical vapor deposition method. By using optimized growth parameters, layers with a smooth morphology were obtained. The crystalline quality of epilayers was studied by a high resolution X-ray diffraction technique and compared to the substrates. Optical properties of the epilayers studied by low temperature time-resolved photoluminescence have shown longer recombination time for donor-bound exciton compared to the substrates. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 315.
    Li, Xun
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Homo-epitaxial growth on low-angle off cut 4H-SiC substrate2014Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2, Trans Tech Publications Inc., 2014, Vol. 778-780, s. 131-134Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The growth of 4H-SiC epilayers on 1.28 degrees off-cut substrates is reported in this study and comparison when using standard 4 degrees and 8 degrees off-cut substrates is added. Growth at high temperature is needed for the polytype stability, whereas low C/Si is requested to decrease both triangular defects density and roughness of the grown surface. An in-situ etching with Si rich ambient allows the growth of epilayers with specular surface. The formation of Si droplets can be observed on the grown surfaces when lowering the growth temperature and appears first for the high off-cut angle.

  • 316.
    Li, Xun
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Leone, Stefano
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Andersson, Sven
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    CVD Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on 4H-SiC (0001) Substrates2012Ingår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 189-192Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This study has been focused on 3C-SiC epitaxial growth on 4H-SiC (0001) on-axis substrates using the standard CVD chemistry. Several growth parameters were investigated, including growth temperature, in-situ etching process and C/Si ratio. High quality single domain 3C epilayers could be obtained around 1350 degrees C, with propane present during pre-growth etching and when the C/Si ratio was equal to 1. The best grown layer is 100% 3C-SiC and single domain. The net n-type background doping is around 2x10(16) cm(-3). The surface roughness of the layers from AFM analysis is in the 3 to 8 nm range on a 50x50 mu m(2) area.

  • 317.
    Li, Xun
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Surface preparation of 4 degrees off-axis 4H-SIC substrate for epitaxial growth2013Ingår i: Materials Science Forum (Volumes 740 - 742), Trans Tech Publications Inc., 2013, s. 225-228Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Results of surface preparation on Si-face 4° off-cut 4H-SiC substrates are presented in this paper. The influences of two types of etchants, i.e. hydrogen chloride (HCl) and only hydrogen (H2), were investigated by Nomarski microscopy and AFM. The experiments were performed in a hot wall CVD reactor using a TaC coated susceptor. Four etching temperatures, including 1580 °C, 1600 °C, 1620 °C and 1640 °C, were studied. In-situ etching with only H2 as ambient atmosphere is found to be the optimal way for the SiC surface preparation. Using HCl at temperature higher than 1620 °C could degrade the substrates surface quality.

  • 318.
    Lilja, Louise
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Don Booker, Ian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    The influence of growth conditions on carrier lifetime in 4H-SiC epilayers2013Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 381, s. 43-50Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    4H-SiC homoepitaxial layers have been grown in a horizontal hot-wall CVD (chemical vapor deposition) reactor and the measured carrier lifetimes have been correlated to the CVD growth conditions. Two different generations of reactors were compared, resulting in measured carrier lifetimes in two different orders of magnitude, from a few hundreds of ns to a few ms. The variations in measured carrier lifetime were correlated to deep level concentrations of the Z(1/2) center and the D-1 center, seen by photoluminescence. Decreasing the growth temperature clearly prolonged the carrier life time and showed lower Z(1/2) concentrations, where as lowering the growth rate only showed a small improvement of the carrier lifetime and no obvious tendencyin Z(1/2) defect concentrations, indicating that Z(1/2) is not the only defect limiting the carrier lifetime. Increasing the C/Si ratio resulted in decreasing Z(1/2) concentrations, indicating the carbon vacancy nature of the defect. However, carrier lifetime measurements showed maximum values for a C/Si ratio of 1 but otherwise an increasing tendency for increasing C/Si ratios. The reactor giving higher carrier lifetimes, correspondingly also showed lower Z(1/2) concentrations indicating the lifetime limiting property of Z(1/2). Furthermore, the D-1 defect intensity increased with growth temperature and decreased with increasing C/Si ratio, similar to the Z(1/2) concentration.

  • 319.
    Lilja, Louise
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Booker, Ian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Influence of Growth Temperature on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epilayers2013Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Carrier lifetime and formation of defects have been investigated as a function of growth temperature in n-type 4H-SiC epitaxial layers, grown by horizontal hot-wall CVD. Emphasis has been put on having fixed conditions except for the growth temperature, hence growth rate, doping and epilayer thickness were constant in all epilayers independent of growth temperature. An increasing growth temperature gave higher Z1/2 concentrations along with decreasing carrier lifetime. A correlation between growth temperature and D1 defect was also observed.

  • 320.
    Lilja, Louise
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Booker, Ian D.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    The Effect of Growth Conditions on Carrier Lifetime in n-type 4H-SiC Epitaxial Layers2012Ingår i: Materials Science Forum Vol 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 161-164Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Carrier lifetime has been studied as a function of C/Si ratio and growth rate during epitaxial growth of n-type 4H-SiC using horizontal hot-wall CVD. Effort has been put on keeping all growth parameters constant with the exception of the parameter that is intended to vary. The carrier lifetime is found to decrease with increasing growth rate and the highest carrier lifetime is found for a C/Si ratio of 1. The surface roughness was correlated with epitaxial growth conditions with AFM analysis.

  • 321.
    Lilja, Louise
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Improved Epilayer Surface Morphology on 2 degrees off-cut 4H-SiC Substrates2014Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2, Trans Tech Publications , 2014, Vol. 778-780, s. 206-209Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Homoepitaxial layers of 4H-SiC were grown with horizontal hot-wall CVD on 2 degrees off-cut substrates, with the purpose of improving the surface morphology of the epilayers and reducing the density of surface morphological defects. In-situ etching conditions in either pure hydrogen or in a mixture of silane and hydrogen prior to the growth were compared as well as C/Si ratios in the range 0.8 to 1.0 during growth. The smoothest epilayer surface, together with lowest defect density, was achieved with growth at a C/Si ratio of 0.9 after an in-situ etching in pure hydrogen atmosphere.

  • 322.
    Lilja, Louise
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    In-grown stacking-faults in 4H-SiC epilayers grown on 2 degrees off-cut substrates2015Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 252, nr 6, s. 1319-1324Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    4H-SiC epilayers were grown on 2 degrees off-cut substrates using standard silane/propane chemistry, with the aim of characterizing in-grown stacking faults. The stacking faults were analyzed with low temperature photoluminescence spectroscopy, room temperature photoluminescence mappings, room temperature cathodoluminescence and synchrotron white beam X-ray topography. At least three different types of in-grown stacking faults were observed, including double Shockley stacking faults, triple Shockley stacking faults and bar-shaped stacking faults. Those stacking faults are all previously found in 4 degrees and 8 degrees off-cut epilayers; however, the geometrical size is larger in epilayers grown on 2 degrees off-cut substrates due to lower off-cut angle. The stacking faults were formed close to the epilayer/substrate interface during the epitaxial growth. (C) 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH and Co. KGaA, Weinheim

  • 323.
    Lilja, Louise
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska fakulteten.
    Smooth 4H-SiC epilayers grown with high growth rates with silane/propane chemistry using 4° off-cut substrates2016Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2015 / [ed] Fabrizio Roccaforte, Francesco La Via, Roberta Nipoti, Danilo Crippa, Filippo Giannazzo and Mario Saggio, Trans Tech Publications, 2016, Vol. 858, s. 209-212Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    4H-SiC epilayers with very smooth surfaces were grown with high growth rates on 4° off-cut substrates using standard silane/propane chemistry. Specular surfaces with RMS values below 0.2 nm are presented for epilayers grown with growth rates up to 30 μm/h using horizontal hot-wall chemical vapor deposition, with up to 100 μm thickness. Optimization of in-situ etching conditions and C/Si ratio are presented.

  • 324.
    Linnarsson, M.
    et al.
    Royal Institute of Technology.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kleverman, M.
    University of Lund.
    Thilderkvist, A.
    University of Lund.
    Electronic structure of the GaAs:MnGa center1997Ingår i: Physical Review B Condensed Matter, ISSN 0163-1829, E-ISSN 1095-3795, Vol. 55, nr 11, s. 6938-6944Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

      n/a

     

  • 325.
    Linnarsson, MK
    et al.
    Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Stockholm, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Univ Oslo, Dept Phys, NO-0316 Oslo, Norway.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Jensen, Mona
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Svensson, BG
    Incorporation of hydrogen (1H and 2H) into 4H-SiC during epitaxial growth2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 565-568Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The hydrogen depth distribution in 4H-SiC after epitaxial growth at 1600 degreesC has been studied in detail with secondary ion mass spectrometry. Both H-1 and H-2 have been employed as carrier gas to trace the origin of the incorporated hydrogen. In particular the substrate as a prospective hydrogen source has been considered. After growth H-2 is detected throughout the whole substrate (similar to400 mum) and a considerable quantity remains after annealing at 1500 degreesC for 15 minutes.

  • 326. Linnarsson, M.K.
    et al.
    Janson, M.S.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    In-diffusion, trapping and out-diffusion of deuterium in 4H-SiC substrates2006Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 527-529, 2006, s. 637-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 327.
    Linnarsson, M.K.
    et al.
    Royal Institute of Technology, Lab. of Mat./Semiconduct. Physics, P.O.B. Electrum 229, SE-164 40 Kista, Sweden.
    Janson, M.S.
    Royal Institute of Technology, Lab. of Mat./Semiconduct. Physics, P.O.B. Electrum 229, SE-164 40 Kista, Sweden, Institute of Applied Physics, University of Hamburg, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg, Germany.
    Zhang, J.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Svensson, B.G.
    Physical Electronics, Department of Physics, Oslo University, P.O.B. 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway.
    Self-diffusion of 12C and 13C in intrinsic 4H-SiC2004Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 95, nr 12, s. 8469-8471Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The study of self-diffusion of carbon (12C and 13C) in low-doped (intrinsic) 4H-SiC using secondary ion mass spectroscopy (SIMS) was presented. A two layer 13C enriched structure with 13C/12C ratios of 0.01 and 0.1, respectively, was prepared by using vapor phase epitaxy. The subsequent anneals were carried out in Ar atmosphere in a rf heated furnace between 2100 and 2350°C for 15 min-40 h. A small variation in the enriched 13C concentration and in the layer thickness over the wafer was also presented.

  • 328.
    Lisesivdin, S. B.
    et al.
    Gazi University, Turkey .
    Atmaca, G.
    Gazi University, Turkey .
    Arslan, E.
    Bilkent University, Turkey .
    Cakmakyapan, S.
    Bilkent University, Turkey .
    Kazar, O.
    Bilkent University, Turkey .
    Butun, S.
    Bilkent University, Turkey Northwestern University, IL 60208 USA .
    ul-Hassan, Jawad
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ozbay, E.
    Bilkent University, Turkey Bilkent University, Turkey Bilkent University, Turkey .
    Extraction and scattering analyses of 2D and bulk carriers in epitaxial graphene-on-SiC structure2014Ingår i: Physica. E, Low-Dimensional systems and nanostructures, ISSN 1386-9477, E-ISSN 1873-1759, Vol. 63, s. 87-92Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Hall effect measurements of a graphene-on-SiC system were carried out as a function of temperature (1.8-200 K) at a static magnetic field (0.51) With the analysis of temperature dependent single-field Hall data with the Simple Parallel Conduction Extraction Method (SPCEM), bulk and two-dimensional (2D) carrier densities and mobilities were extracted successfully. Bulk carrier is attributed to SIC substrate and 2D carrier is attributed to the graphene layer. For each SPCEM extracted carrier data, relevant three-dimensional or 2D scattering analyses were performed. Each SPCEM extracted carrier data were explained with the related scattering analyses. A temperature independent mobility component, which may related to an interaction between graphene and SIC, was observed for both scattering analyses with the same mobility limiting value. With the SPCEM, effective ionized impurity concentration of SiC substrate, extracted 2D-mobility, and sheet carrier density of the graphene layer are calculated with using temperature dependent static magnetic field Hall data.

  • 329.
    Lundqvist, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Raad, Peter
    Department of Mechanical Engineering, Southern Methodist University, Dallas, Texas, USA.
    Yazdanfar, Milan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Stenberg, Pontus
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Liljedahl, Rickard
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Komarov, Pavel
    TMX Scientific, Dallas, Texas, USA.
    Rorsman, Niklas
    Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden.
    Ager III, J.
    Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California, USA.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Thermal Conductivity of Isotopically Enriched Silicon Carbide2013Ingår i: Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 2013, IEEE , 2013, s. 58-61Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Since the semiconductor silicon carbide presents attractive opportunities for the fabrication of novel electronic devices, there is significant interest in improving its material quality. Shrinking component sizes and high demands for efficiency and reliability make the capability to release excess heat an important factor for further development. Experience from Si and Diamond tells us that isotopic enrichment is a possible way to increase the thermal conductivity. We have produced samples of 4H-SiC that contain Si-28 and C-12 to a purity of 99.5%. The thermal conductivity in the c-direction of these samples has been measured by a transient thermoreflectance method. An improvement due to enrichment of at least 18% was found. The result is valid for a temperature of 45K above room temperature. A preliminary study of the temperature dependence of the thermal conductivity demonstrates a strong temperature dependence in agreement with earlier reports for 4H.

  • 330.
    Lundskog, Anders
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Morphology control of hot-wall MOCVD selective area -grown hexagonal GaN pyramids2012Ingår i: Crystal Growth & Design, ISSN 1528-7483, E-ISSN 1528-7505, Vol. 12, nr 11, s. 5491-5496Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Morphological variations of gallium polar (0001) oriented hexagonal GaN pyramids grown by hotwall metal organic chemical vapor deposition under various growth conditions are investigated. The stability of the semi-polar {1102} and non-polar {1100} facets are particularly discussed. The presence of the {1102} facets near the apex of the pyramid was found to be controllable by tuning the absolute flow rate of ammonia during the growth. Vertical non-polar {1100} facets appeared ingallium rich-conditions which automatically were created when the growth time was prolonged beyond pyramid completion. The result was attributed to a gallium passivation of the {1100} surface.

  • 331.
    Lundskog, Anders
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ciechonski, Rafal
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Darakchieva, Vanya
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Fagerlind, M.
    Shiu, J-Y.
    Rorsman, N.
    Highly Uniform Hot-Wall MOCVD Growth of High-Quality AlGaN/GaN HEMT-Structures on 100 mm Semi-Insulating 4H-SiC Substrates2007Ingår i: ICNS-7,2007, 2007Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

       

  • 332.
    Lundskog, Anders
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hsu, Chih-Wei
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, K. Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Amloy, Supaluck
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Department of Physics, Faculty of Science, Thaksin University, Thailand.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Direct generation of linearly-polarized photon emission with designated orientations from site-controlled InGaN quantum dots2014Ingår i: Light: Science & Applications, ISSN 2095-5545, Vol. 3, artikel-id e139Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Semiconductor quantum dots (QDs) have been demonstrated viable for the emission of single photons on demand during the past decade. However, the synthesis of QDs emitting photons with pre-defined and deterministic polarization vectors has proven arduous. The access of linearly-polarized photons is essential for various applications. In this report, a novel concept to directly generate linearly-polarized photons is presented. This concept is based on InGaN QDs grown on top of elongated GaN hexagonal pyramids, by which predefined orientations herald the polarization vectors of the emitted photons from the QDs. This growth scheme should allow fabrication of ultracompact arrays of photon emitters, with a controlled polarization direction for each individual QD emitter.

  • 333.
    Lundskog, Anders
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hsu, Chih-Wei
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, K Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Polarization-controlled photon emission from site-controlled InGaN quantum dotsManuskript (preprint) (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    The optical polarization properties of hot-wall MOCVD grown of InGaN quantum dots (QDs) located at the apex of elongated hexagonal GaN pyramids are presented. The QDs showed spectrally narrow and strongly linearly polarized emission lines with average polarization ratios above 0.8 in the microphoto-luminescence spectra. By a comprehensive statistical analysis including more than 1000 InGaN QDs it was concluded that the polarization direction of the QDs follows the spatial elongation of the underlying GaN pyramids when elongated in the <2110> directions.

  • 334.
    Lundskog, Anders
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hsu, Chih-Wei
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, K Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Controlled growth of hexagonal GaN pyramids by hot-wall MOCVD2013Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 363, s. 287-293Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Hexagonal GaN pyramids have been fabricated by hot-wall metal organic chemical vapor deposition (hot-wall MOCVD) and the growth evolution have been studied. It was concluded that the pyramid growth can be divided into two regimes separated by the adsorption kinetics of the {1101} surfaces of the pyramids. In the adsorption regime, the pyramids grow simultaneously in the <1101> and [0001] -directions. In the zero-adsorption regime the pyramids grow only in the [0001] direction. Thus the pyramid growth ceases when the (0001) facet growth has been terminated. Large arrays consisting of highly uniform pyramids with apex radii of 3 nm or less were achieved in the zeroadsorption regime. The growth-regime type was concluded to have a large impact on the uniformity degradation of the pyramids, and their optical properties. The impacts of threading dislocations which enter the pyramid from underneath are also discussed.

  • 335.
    Lundskog, Anders
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hsu, Chih-Wei
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Palisaitis, Justinas
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, K Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Unexpected behavior of InGaN quantum dot emission energy located at apices of hexagonal GaN pyramidsManuskript (preprint) (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    InGaN quantum dots (QDs) have been grown at the apices of hexagonal GaN pyramids. The pyramids were selectively grown on a (0001) oriented GaN template through circular apertures in a SiN mask positioned in square arrays. The emission of the InGaN QDs was shifted towards higher energies when the center-to-center distance of the pyramids was increased, while the emission from InGaN quantum wells located on the {1101} facets of the pyramids was energetically shifted towards lower energies. No energy shift was observed for (0001) truncated pyramids with truncation diameters larger than 100 nm.

  • 336.
    Lundskog, Anders
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Palisaitis, Justinas
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hsu, Chih-Wei
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Martin
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Karlsson, Fredrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Persson, Per
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Holtz, Per-Olof
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    InGaN quantum dot formation mechanism on hexagonal GaN/InGaN/GaN pyramids2012Ingår i: Nanotechnology, ISSN 0957-4484, E-ISSN 1361-6528, Vol. 23, nr 30, s. 305708-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Growing InGaN quantum dots (QDs) at the apex of hexagonal GaN pyramids is an elegant approach to achieve a deterministic positioning of QDs. Despite similar synthesis procedures by metal–organic chemical vapor deposition, the optical properties of the QDs reported in the literature vary drastically. The QDs tend to exhibit either narrow or broad emission lines in the micro-photoluminescence spectra. By coupled microstructural and optical investigations, the QDs giving rise to narrow emission lines were concluded to nucleate in association with a (0001) facet at the apex of the GaN pyramid.

  • 337.
    MacMillan, Mike F.
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Persson, P.O.Å.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hultman, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Infrared Reflectance of Extremely Thin AlN Epi Films Deposited on SiC Substrates1998Ingår i: Materials Science Forum Vols. 264-268, 1998, Vol. 264-268, s. 649-652Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The room temperature reflectance of thin (£ 1000Å) AlN epi-films deposited on n type 6H SiC has been measure. These epi-films are too thin to produce interference fringes, from which epi-films thickness is often extracted, within the measured spectral region. However, features from the AlN reststrahl reflectance band can be clearly seen for AlN epi-films as thin as 250Å. Thicknesses are extracted from the measured spectra by comparing them directly to calculated spectra with the epi-film thickness being the only fitting parameter. The accuracy of these thickness determinations is confirmed by comparing them to thickness measured on samples studied by cross sectional TEM.

  • 338.
    Magnusson, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Aavikko, R.
    Saarinen, K.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Optical Studies of Deep Centers in Semi-Insulating SiC2006Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 527-529, 2006, s. 455-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 339.
    Magnusson, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, JP
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Time-resolved photoluminescence of deep centers in semi-insulating 4H-SiC2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 301-304Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Deep levels (V, Cr, UD-1 and UD-3) have been studied with time resolved photoluminescence. The decay time is determined as 193 ns, 58 mus, 247 ns and 51.5 mus for the V, Cr, UD-1 and UD-3 centers, respectively, at low temperature (2 K). The relatively long decay times indicate that the radiative recombination is dominant at low temperatures. By fitting the temperature dependence of the decay time, the activation energies of the V and UD-1 centers are determined as 160 meV and 50 meV respectively.

  • 340.
    Magnusson, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Okmet AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Carlsson, Fredrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Nguyen, Tien Son
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    As-grown and process-induced intrinsic deep-level luminescence in 4H SiC2001Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356, Trans Tech Publications Inc., 2001, Vol. 353-356, s. 365-368Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A deep level in 4H SiC is studied by photoluminescence (PL) for different annealing temperatures. The luminescence consists of four no-phonon lines between 1.09 and 1.15 eV and their phonon assisted spectra. No splitting or shifting of the lines could be observed in a magnetic field up to 5T. The defect can be introduced in the material by either ion implantation or irradiation, but may also be present in as-grown samples. The PL intensity increases with annealing up to 1000 degreesC, thereafter decreases and vanishes at 1300 degreesC. We tentatively ascribe this deep level defect to a silicon vacancy related complex.

  • 341.
    Magnusson, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Okmetic AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Properties of the UD-1 deep-level center in 4H-SiC2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 505-508Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Results from absorption measurements in semi-insulating 4H-SiC HTCVD-grown substrates show that the infrared absorption spectra is dominated by the UD-1 defect. The UD-1 spectrum has two sharp lines around I eV. The activation energy of the T-dependence of the resistivity in the semi-insulating material, which has a strong absorption by the UD-1 defect, is determined to be 1.4 eV. Photo-induced absorption measurements show that the absorption of the UD-1 defect increases when the sample is illuminated with 1.4 eV. When the energy of the exciting light reaches 1.85 eV the absorption intensity starts to decrease. In this way we have been able to correlate the electrical behavior (with a thermal activation energy of 1.4 eV) of the HTCVD 4H-SiC material with the UD-1 defect which we observe in luminescence and absorption measurements.

  • 342.
    Magnusson, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ellison, A.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Deep-level luminescence at 1.0 eV in 6H SiC2001Ingår i: Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 640, 2001Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Results from photoluminescence (PL) and Zeeman effect measurements of a PL center, labeled UD-1, in 6H SiC are presented. The spectrum consists of three no phonon-lines (NPLs) at 0.9952, 1.0015 and 1.0020 eV. The luminescence starts decreasing in intensity above 40 K and is completely quenched at 80 K. The observed Zeeman splitting reveals a spin one half of the ground state of the two highest energy lines. No splitting of the 0.9952 eV line is detected. The g-value for the 1.0015 eV and 1.0020 e lines are g = 1:4 and g = 1:7, respectively. For both lines, g = 0. The C3v symmetry indicates that the UD-1 center is either a substitutional defect or a complex with its constituents lying along the c-axis of the lattice.

  • 343.
    Magnusson, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ellison, A.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Infrared absorption and annealing behavior of semi-insulating 4H SiC HTCVD substrates2001Ingår i: Proc. of the MRS Spring Meeting (2001), Vol. 680E, 2001, s. E5.11-Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 344.
    Magnusson, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Optical Characterization of Deep Level Defects in SiC2005Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 483-485 / [ed] Roberta Nipoti, Antonella Poggi and Andrea Scorzoni, 2005, Vol. 483-485, s. 341-346Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Deep levels in 4H- and 6H-SiC are characterized by FTIR spectroscopy. Vanadium, chromium and the silicon vacancy related center are listed together with the unidentified defects with emission and absorption in the near IR region. We suggest the UD-1, UD-3 and I-1 to be impurity related while the UD-2 and UD-4 to be intrinsic defects based on annealing behavior and the possibility to create the defect with irradiation. We have also tentatively assigned a new defect center around 1.0 eV to the carbon vacancy-antisite pair instead of the earlier assignment to the UD- 2 defect in 4H-SiC. We have shown that to get more information about the SiC samples a combination of absorption and luminescence techniques are very useful. Further, the use of below bandgap selective excitation is necessary to obtain more information about the defects present in the sample. FTIR absorption and luminescence measurements are useful tools to characterize deep levels important for both semi-insulating material as well as low doped conducting material where the free carrier lifetime is limited by deep levels.

  • 345.
    Magnusson, Björn
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Wagner, Matthias
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nguyen, Tien Son
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Vanadium-related center in 4H silicon carbide2000Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 338-343, 2000, Vol. 338-342, s. 631-634Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The V4+ (3d(1)) center in 4H SiC is investigated using photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE). The energy position of the ground state of the defect is determined to be 2.1 +/- 0.1 eV below the conduction band for both the hexagonal and the quasi-cubic site. A broad peak in the PLE spectrum is tentatively ascribed to the excited A(1) state, previously believed to be located in the conduction band.

  • 346. Malinauskas, T.
    et al.
    Aleksiejunas, R.
    Jarasiunas, K.
    Beaumont, B.
    Gibart, P.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Gogova, Daniela
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Monemar, Bo
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Heuken, M.
    All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN2007Ingår i: Journal of Crystal Growth, Vol. 300, 2007, Vol. 300, nr 1, s. 223-227Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The metrological capability of the picosecond four-wave mixing (FWM) technique for evaluation of the photoelectrical properties of GaN heterostructures grown on sapphire, silicon carbide, and silicon substrates as well as of free-standing GaN films is demonstrated. Carrier recombination and transport features have been studied in a wide excitation, temperature, and dislocation density (from ∼1010 to 106 cm-2) range, exploring non-resonant refractive index modulation by a free carrier plasma. The studies allowed to establish the correlations between the dislocation density and the carrier lifetime, diffusion length, and stimulated emission threshold, to reveal a competition between the bimolecular and nonradiative recombination, and to verify the temperature dependence of bimolecular recombination coefficient in the 10-300 K temperature range. It was shown that the FWM technique is more advantageous than the time-resolved photoluminescence technique for determination of carrier lifetimes in high quality thick III-nitride layers. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 347.
    Mastropaolo, Enrico
    et al.
    Univ Edinburgh, Sch Engn, Scottish Microelect Ctr, Edinburgh EH9 3JF, Midlothian, Scotland.
    Cheung, Rebecca
    Univ Edinburgh, Sch Engn, Scottish Microelect Ctr, Edinburgh EH9 3JF, Midlothian, Scotland.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Electrothermal actuation of silicon carbide ring resonators2009Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology B, ISSN 1071-1023, E-ISSN 1520-8567, Vol. 27, nr 6, s. 3109-3114Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Silicon carbide (SiC) ring resonators have been designed, simulated, and fabricated in order to achieve higher resonant frequency compared to beam resonators. The resonant frequency as a function of the ring radius and central hole radius, as well as the influence of the electrode design on the actuation efficiency have been investigated. Aluminum (Al) electrodes have been fabricated on top of the structures in order to study the electrothermal actuation of the structures. The bimorph Al/SiC ring resonators have been constructed by etching the SiC in inductively coupled plasma. The release of the Si sacrificial layer has been performed with a XeF2 chemical etching. The radial release and area release have been characterized as a function of the central hole dimension at chamber pressure of 1 and 2 Torr, whereby the release rates have been found to increase as the hole dimensions and the etching pressure increases. In addition, the release process has shown to be governed by aperture effects. The rings fabricated with different dimensions have been actuated mechanically and electrothermally, and the resonant frequency detected optically. The resonant frequency has been shown to increase as the ring radius decreases and the hole radius increases, both theoretically and experimentally.

  • 348.
    Mastropaolo, Enrico
    et al.
    University of Edinburgh.
    Cheung, Rebecca
    University of Edinburgh.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Fabrication of beam resonators from hot-wall chemical vapour deposited SiC2009Ingår i: Microelectronic Engineering, Vol. 86, 2009, Vol. 86, nr 4-6, s. 1194-1196Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Single crystal and polycrystalline 3C-SiC have been grown in a hot-wall chemical vapour deposition reactor on 100 mm diameter p-type boron-doped (100) Si wafer. The crystal structure of the films has been determined by X-ray diffraction. Moreover, cantilever resonators have been fabricated from the two grown 3C-SiC films using a one-step dry etch and release process. The designed beam length has been varied between 50 and 200 mu m. Resonant frequencies in the range between 110 kHz-1.5 MHz and 50-750 kHz have been obtained for single crystal and polycrystalline Sic devices, respectively. Furthermore, the experimental resonance frequencies have been used to calculate Youngs Modulus E for both types of SiC. The single crystal Sic has shown a relatively high Youngs Modulus (446 GPa) and should be an optimal material for RF-MEMS applications. (c) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

  • 349. Meyer, B. K.
    et al.
    Hofmann, D. M.
    Volm, D.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bandstructure and transport properties of 4H- and 6H-SiC: optically detected cyclotron resonance investigations2000Ingår i: Materials Science Forum, Vol. 338 - 342, Trans Tech Publications , 2000, s. 559-562Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 350. Meyer, B. K.
    et al.
    Hofmann, D. M.
    Volm, D.
    Chen, Weimin
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Optically detected cyclotron resonance investigations on 4H and 6H SiC: Band-structure and transport properties2000Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 61, nr 7, s. 4844-4849Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We present experimental data on the band-structure and high-mobility transport properties of 6H and 4H-SiC epitaxial films based on optically detected cyclotron resonance investigations. From the orientational dependence of the electron effective mass in 6H-SiC we obtain direct evidence for the camels back nature of the conduction band between the M and L points. The broadening of the resonance signal in 4H-SiC as a function of temperature is used to extract information on electron mobilities and to conclude on the role of the different scattering mechanisms. Under high microwave powers an enhancement of the electron effective mass is found which is explained by a coupling of the electrons with longitudinal optical phonons. ⌐2000 The American Physical Society.

45678910 301 - 350 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf