liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
12 51 - 56 av 56
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 51. Petersson, L.-G.
    et al.
    Dannetun, Helen
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Water production on palladium in hydrogen-oxygen atmospheres1985Ingår i: Surface Science, ISSN 0039-6028, E-ISSN 1879-2758, Vol. 163, s. 273-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We have studied the water production on Pd in various oxygen-hydrogen atmospheres in combination with work function measurements, photoelectron spectroscopy and hydrogen sensitive measurements on a Pd---SiO2---Si structure. The existence of a critical oxygen to hydrogen pressure ratio is confirmed. Above the critical ratio, the water production rate decreases with increasing oxygen pressure and increases with increasing hydrogen pressure. Below the critical ratio, the water production rate is proportional to the oxygen pressure and independent of the hydrogen pressure. These features, together with the variations in oxygen and hydrogen coverage, are described by a simple Langmuir-Hinshelwood model, assuming that hydrogen has a large lateral mobility and that both hydrogen and oxygen adsorption-dissociation is blocked by adsorbed oxygen.

  • 52.
    Petersson, L.-G.
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Fogelberg, J.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Dannetun, Helen
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Lundström, Ingemar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Oxygen coverage dependence in the water forming reaction from ammonia and hydrogen on a palladium surface1986Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 53.
    Salomonsson, Anette
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Mats
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Dannetun, Helen
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    HDO formation studied on Pd- and Pt-MIS devices2003Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 54.
    Salomonsson, Anette
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Mats
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Dannetun, Helen
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hydrogen Interaction with Platinum and Palladium Metal Insulator Semiconductor devices2005Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, Vol. 98, nr 1, s. 14505-14514Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Hydrogen-sensitivePd–SiO2–Si and Pt–SiO2–Si metal–insulator–semiconductor (MIS) devices have been studied inultrahigh vacuum in the temperature range of 223–523  K. Adsorption/absorption ofhydrogen occurs at the metal surface, in the metal bulk,and at the metal–insulator interface. The sensor signal, caused byhydrogen adsorption at the interface, shows a logarithmic dependence onthe applied hydrogen pressure. The Pt-MIS device, which is fullyfunctional at atmospheric pressures, is sensitive to changes in hydrogenpressure down to the 10–12-Torr scale. We propose that theinterface adsorption follows a so-called Temkin isotherm with an interfaceheat of adsorption that varies with hydrogen coverage as Hi0(1–a).The initial heat of adsorption Hi0 is determined to 0.78  eV/hydrogenatom. The adsorption potential at the external Pt surface isfound to be 0.45  eV/hydrogen atom. These values were obtained bymodeling the hydrogen interaction with the MIS devices and fittingthe model to a number of experimental results. Also studiesof Pd-based devices were performed and compared with Pt. Thehydrogen adsorption on the metal surface, previously treated as afirst-order process on Pd, is shown to follow a second-orderprocess. Qualitatively the results from the Pd- and Pt-MIS devicesagree. Quantitatively there are differences. The hydrogen sensitivity of thePt-MIS device is only approximately one-third compared to that ofthe Pd-MIS structure. This agrees with the result that theconcentration of available hydrogen adsorption sites at the Pt–SiO2 interfaceis approximately 7×1017 m–2 whereas the concentrations of sites at thePd–SiO2 interface is roughly three times larger (2×1018 m–2). An estimateof the size of the dipole moments (0.6–0.7  D) implies thatthe interface hydrogen atoms are strongly polarized. Differences are alsoobserved in the microstructure of the metal films. Atomic forcemicroscopy results show that the Pd surface reconstructs during H2–O2exposures, while the Pt surface shows no such change atthese temperatures.

  • 55.
    Salomonsson, Anette
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Mats
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Dannetun, Helen
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hydrogen interaction with Pt- and PdMIS devices2005Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 98, nr 1Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Hydrogen-sensitive Pd–SiO2–Si and Pt–SiO2–Si metal–insulator–semiconductor (MIS) devices have been studied in ultrahigh vacuum in the temperature range of 223–523 K. Adsorption/absorption of hydrogen occurs at the metal surface, in the metal bulk, and at the metal–insulator interface. The sensor signal, caused by hydrogen adsorption at the interface, shows a logarithmic dependence on the applied hydrogen pressure. The Pt-MIS device, which is fully functional at atmospheric pressures, is sensitive to changes in hydrogen pressure down to the 10−12-Torr scale. We propose that the interface adsorption follows a so-called Temkin isotherm with an interface heat of adsorption that varies with hydrogen coverage as ΔHi0(1−aθ). The initial heat of adsorption ΔHi0 is determined to 0.78 eV/hydrogen atom. The adsorption potential at the external Pt surface is found to be 0.45 eV/hydrogen atom. These values were obtained by modeling the hydrogen interaction with the MIS devices and fitting the model to a number of experimental results. Also studies of Pd-based devices were performed and compared with Pt. The hydrogen adsorption on the metal surface, previously treated as a first-order process on Pd, is shown to follow a second-order process. Qualitatively the results from the Pd- and Pt-MIS devices agree. Quantitatively there are differences. The hydrogen sensitivity of the Pt-MIS device is only approximately one-third compared to that of the Pd-MIS structure. This agrees with the result that the concentration of available hydrogen adsorption sites at the Pt–SiO2 interface is approximately 7×1017 m−2 whereas the concentrations of sites at the Pd–SiO2 interface is roughly three times larger (2×1018 m−2). An estimate of the size of the dipole moments (0.6–0.7 D) implies that the interface hydrogen atoms are strongly polarized. Differences are also observed in the microstructure of the metal films. Atomic force microscopy results show that the Pd surface reconstructs during H2–O2 exposures, while the Pt surface shows no such change at these temperatures.

  • 56.
    Salomonsson, Anette
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Eriksson, Mats
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ekedahl, Lars-Gunnar
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Dannetun, Helen
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Hydrogen ad- and absorption on Pt-SiO2-Si structures2001Konferensbidrag (Refereegranskat)
12 51 - 56 av 56
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf