liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
9101112 551 - 575 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 551.
    Yakimova, Rositsa
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Iakimov, Tihomir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Jacobsson, Henrik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Raback, R
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden Okmet AB, S-17824 Ekero, Sweden Ctr Comp Sci, FIN-02101 Espoo, Finland Okmet Ltd, FIN-01301 Vantaa, Finland.
    Vehanen, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden Okmet AB, S-17824 Ekero, Sweden Ctr Comp Sci, FIN-02101 Espoo, Finland Okmet Ltd, FIN-01301 Vantaa, Finland.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Polytype stability in seeded sublimation growth of 4H-SiC boules2000Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 217, nr 3, s. 255-262Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Process conditions for stable single polytype growth of 4H-SiC boules via a seeded sublimation technique have been developed. Reproducible results can be obtained in a narrow temperature interval around 2350 degrees C and on the C-face of 4H-SiC seeds. Evidence is presented that during the initial stage of growth, morphological instabilities may occur resulting in structural defects. A solution is proposed based on the experimental findings, i.e. the first regions of growth ought to be carried out at a low supersaturation (growth rate similar to 100 mu m/h) until a proper growth front has developed. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  • 552.
    Yakimova, Rositsa
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Iakimov, Tihomir
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Okunev, AO
    Udal'tsov, VE
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Orientation-dependent defect formation in silicon carbide epitaxial layers2003Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 281-284Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Thick SiC epitaxial layers have been grown by sublimation on different initial surfaces in the range of 1800-2200degreesC. Evidences have been obtained that independently of the polytype and the surface polarity, there exists a transition region between the substrate and the epilayer in which the crystal structure is highly disturbed either by formation of misfit dislocations, predominantly in growth on vicinal (off-axis) surfaces or by domain boundaries and polytype transformation during growth on atomically flat (on-axis) surfaces. The transition layer thickness may vary from 15 to 50 mum and it seems to depend on the growth rate.

  • 553.
    Yakimova, Rositsa
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Jacobson, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för samhälls- och välfärdsstudier. Linköpings universitet, Utbildningsvetenskap.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Some aspects of extended defects formation and their reduction in silicon carbide crystals2003Ingår i: Recent research developments in materials science & engineering. Vol. 1, pt. 1 / [ed] S. G. Pandalai, Kerala, India: Trans Research Network , 2003, 1, s. 619-646Kapitel i bok, del av antologi (Övrigt vetenskapligt)
  • 554.
    Yakimova, Rositsa
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Jacobsson, H
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Rendakova, S
    Dmitriev, V
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Defect evolution in SiC sublimation epitaxy layers grown on LPE buffers with reduced micropipe density2001Ingår i: Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol. 640, 2001, s. H2.1.1-H2.1.6Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 555.
    Yakimova, Rositsa
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kakanakova-Georgieva, Anelia
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Stress related morphological defects in SiC epitaxial layers2001Ingår i: Diam. Relat. Mater., Vol. 10, 2001, Vol. 10, nr 3-7, s. 1246-1250Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Morphological defects have been studied on thick 4H-SiC layers being grown with high growth rate (100 µm/h) by sublimation epitaxy. While the surface morphology of such layers is generally specular and featureless, extended defects are observed to emanate from some obstacles. The length of the defects can vary between 60 and 950 µm and the defect can occur at different stages of growth. Evidence shows that these defects occur due to localised stress present during the epitaxial growth. The causes for the defects can be greatly reduced by improving the structural quality of the substrate material. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  • 556.
    Yakimova, Rositsa
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pons, M.
    Institut National Polytechnique de Grenoble.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Influence of gravity on defect formation in homoepitaxial layers of SiC grown by sublimation2001Ingår i: ESA SP-454, 2001, s. 381-Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    4H-SiC homoepitaxial growth has been performed by sublimation process. The basic transport mechanism and dynamics of the growth has been studied. Both, experiment and numerical modelling have been performed. It has been shown that high growth rate (0.1 mm/hour) can be obtained when the overall structural quality is very good and the surface morphology is excellent. However, deep level defects associated with impurities have been observed. Evidence has been obtained that the impurity incorporation may be influenced by gravity-induced growth instabilities. At this stage, numerical modelling of the growth process has been performed considering only macroscopic features. For the present experimental configuration, preliminary results reveal that the influence of microgravity is low. The macroscopic transfer phenomena leading to the growth of the crystal are mainly diffusive. The future is to design specific experiments involving higher temperature difference between source and seed, as well as to consider microscopic growth phenomena.

  • 557.
    Yakimova, Rositsa
    et al.
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Syväjärvi, Mikael
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Rendakova, S
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden TDI Inc, Gaithersburg, MD 20877 USA Howard Univ, MSRCE, Washington, DC 20059 USA.
    Dimitriev, VA
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden TDI Inc, Gaithersburg, MD 20877 USA Howard Univ, MSRCE, Washington, DC 20059 USA.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Micropipe healing in liquid phase epitaxial growth of SiC2000Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 338-342, Trans Tech Publications Inc., 2000, Vol. 338-3, s. 237-240Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this study we demonstrate the feasibility of micropipe reduction in SiC commercial wafers by using liquid phase epitaxial (LPE) growth. We have studied the stability of the micropipe healing by performing hot KOH etching and growing thick (40-50 mum) layer with sublimation epitaxy at temperature higher than that used for the LPE growth. Experimental evidences have been collected by means of different techniques and a phenomenological model for micropipe healing is proposed.

  • 558.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Finding the Optimum Chloride-Based Chemistry for Chemical Vapor Deposition of SiC2014Ingår i: ECS Journal of Solid State Science and Technology, ISSN 2162-8769, E-ISSN 2162-8777, Vol. 3, nr 10, s. P320-P323Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Chemical vapor deposition of silicon carbide with a chloride-based chemistry can be done using several different silicon and carbon precursors. Here, we present a comparative study of SiCl4, SiHCl3, SiH4+HCl, C3H8, C2H4 and CH4 in an attempt to find the optimal precursor combination. We find that while the chlorinated silanes SiCl4 and especially SiHCl3 give higher growth rate than natural silane and HCl, SiH4+HCl gives better morphology at C/Si around 1 and SiCl4 gives the best morphology at low C/Si. Our study shows no effect on doping incorporation with precursor chemistry. We suggest that these results can be explained by the number of reaction steps in the gas phase chemical reaction mechanisms for producing SiCl2, which is the most important Si species, and by formation of organosilicons in the gas phase. As carbon precursor, C3H8 or C2H4 are more or less equal in performance with a slight advantage for C3H8, CH4 is however not a carbon precursor that should be used unless extraordinary growth conditions are needed.

  • 559.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gueorguiev Ivanov, Ivan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Reduction of structural defects in thick 4H-SiC epitaxial layers grown on 4° off-axis substrates2013Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 113, nr 22Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    By carefully controlling the surface chemistry of the chemical vapor deposition process for silicon carbide (SiC), 100 μm thick epitaxial layers with excellent morphology were grown on 4° off-axis SiC substrates at growth rates exceeding 100 μm/h. In order to reduce the formation of step bunching and structural defects, mainly triangular defects, the effect of varying parameters such as growth temperature, C/Si ratio, Cl/Si ratio, Si/H2 ratio, and in situ pre-growth surface etching time are studied. It was found that an in-situ pre growth etch at growth temperature and pressure using 0.6% HCl in hydrogen for 12 min reduced the structural defects by etching preferentially on surface damages of the substrate surface. By then applying a slightly lower growth temperature of 1575 °C, a C/Si ratio of 0.8, and a Cl/Si ratio of 5, 100 μm thick, step-bunch free epitaxial layer with a minimum triangular defect density and excellent morphology could be grown, thus enabling SiC power device structures to be grown on 4° off axis SiC substrates.

  • 560.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kalered, Emil
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Nilsson, Daniel
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ojamäe, Lars
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Brominated chemistry for chemical vapor deposition of electronic grade SiC2015Ingår i: Chemistry of Materials, ISSN 0897-4756, E-ISSN 1520-5002, Vol. 27, nr 3, s. 793-801Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Chlorinated chemical vapor deposition (CVD) chemistry for growth of homoepitaxial layers of silicon carbide (SiC) has paved the way for very thick epitaxial layers in short deposition time as well as novel crystal growth processes for SiC. Here, we explore the possibility to also use a brominated chemistry for SiC CVD by using HBr as additive to the standard SiC CVD precursors. We find that brominated chemistry leads to the same high material quality and control of material properties during deposition as chlorinated chemistry and that the growth rate is on average 10 % higher for a brominated chemistry compared to chlorinated chemistry. Brominated and chlorinated SiC CVD also show very similar gas phase chemistries in thermochemical modelling. This study thus argues that brominated chemistry is a strong alternative for SiC CVD since the deposition rate can be increased with preserved material quality. The thermochemical modelling also suggest that the currently used chemical mechanism for halogenated SiC CVD might need to be revised.

  • 561.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Leone, Stefano
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Carrot defect control in chloride-based CVD through optimized ramp up conditions2012Ingår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 109-112Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Epitaxial growth of 4H-SiC on 8 degrees off-axis substrates has been performed under different condition during the temperature ramp up in order to study the effect on the carrot defect. The study was done in a hot wall chemical vapor deposition reactor using the single molecule precursor methyltrichlorosilane (MTS). During the temperature ramp up, a small flow of HCl or C2H4 was added to the H-2 ambient to study different surface etching conditions. The best result was obtained when HCl was added from 1175 to 1520 degrees C during the ramp up to growth temperature (1575 degrees C).

  • 562.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Effect of process parameters on dislocation density in thick 4H-SiC epitaxial layers grown by chloride-based CVD on 4 degrees off-axis substrates2014Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2, Trans Tech Publications , 2014, Vol. 778-780, s. 159-162Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The effect of process parameters such as growth temperature, C/Si ratio, etching time, and Si/H2 ratio on dislocation density was investigated by performing KOH etching on 100 mu m thick epitaxial layers grown on 4 degrees off axis 4H-SiC substrates at various growth conditions by a chemical vapor deposition (CVD) process using a chloride-based chemistry to achieve growth rates exceeding 100 mu m/h. We observe that the growth temperature and the growth rate have no significant influence on the dislocation density in the grown epitaxial layers. A low C/Si ratio increases the density of threading screw dislocations (TSD) markedly. The basal plane dislocation (BPD) density was reduced by using a proper in-situ etch prior to growth.

  • 563.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Sukkaew, Pitsiri
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ivanov, Ivan Gueorguiev
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    On the use of methane as a carbon precursor in Chemical Vapor Deposition of silicon carbide2014Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 390, s. 24-29Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    It is generally considered that methane is not a suitable carbon precursor for growth of silicon carbide (SiC) epitaxial layers by Chemical Vapor Deposition (CVD) since its use renders epitaxial layers with very high surface roughness. In this work we demonstrate that in fact SiC epitaxial layers with high-quality morphology can be grown using methane. It is shown that a key factor in obtaining high-quality material is tuning the C/Si ratio of the process gas mixture to a region where the growth is limited neither by carbon nor by silicon supplies. From the growth characteristics presented here, we argue that the reactivity of methane with the SiC surface is much higher than generally assumed in SiC CVD modeling today.

  • 564.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Stenberg, Pontus
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Don Booker, Ian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gueorguiev Ivanov, Ivan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Process stability and morphology optimization of very thick 4H-SiC epitaxial layers grown by chloride-based CVD2013Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 380, s. 55-60Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The development of a chemical vapor deposition (CVD) process for very thick silicon carbide (SiC) epitaxial layers suitable for high power devices is demonstrated by epitaxial growth of 200 nm thick, low doped 4H-SiC layers with excellent morphology at growth rates exceeding 100 nm/h. The process development was done in a hot wall CVD reactor without rotation using both SiCl4 and SiH4+HCl precursor approaches to chloride based growth chemistry. A C/Si ratio andlt;1 and an optimized in-situ etch are shown to be the key parameters to achieve 200 nm thick, low doped epitaxial layers with excellent morphology.

  • 565.
    Yazdanfar, Milan
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Stenberg, Pontus
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Don Booker, Ian
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Gueorguiev Ivanov, Ivan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Pedersen, Henrik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Kemi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Morphology optimization of very thick 4H-SiC epitaxial layers2013Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012, Trans Tech Publications , 2013, Vol. 740-742, s. 251-254Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Epitaxial growth of about 200 gm thick, low doped 4H-SiC layers grown on n-type 8 degrees off-axis Si-face substrates at growth rates around 100 mu m/h has been done in order to realize thick epitaxial layers with excellent morphology suitable for high power devices. The study was done in a hot wall chemical vapor deposition reactor without rotation. The growth of such thick layers required favorable pre-growth conditions and in-situ etch. The growth of 190 gm thick, low doped epitaxial layers with excellent morphology was possible when the C/Si ratio was below 0.9. A low C/Si ratio and a favorable in-situ etch are shown to be the key parameters to achieve 190 gm thick epitaxial layers with excellent morphology.

  • 566. Zhang, J
    et al.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Okmet AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Danielsson, O
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Epitaxial growth of 4H-SiC in a vertical hot-wall CVD reactor: Comparison between up- and down-flow orientations2001Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356, Trans Tech Publications , 2001, Vol. 353-3, s. 91-94Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The effect of reactor orientation on the CVD growth of JH SIC is investigated. Compared with the up-flow orientation (the chimney reactor), the down-flow orientation (the inverted chimney) shows similar growth rate dependencies on C/Si ratio and pressure. The activation energy of the growth rate in the inverted chimney is Lower than that in the chimney. The inverted chimney also produces epilayers with high growth rates (10 - 30 mum/h) and low residual doping (low 10(16) down to mid 10(13) cm(-3)). The epilayer morphology is comparable with that of the chimney samples. A qualitative analysis is performed on the heat transfer mechanisms in these two reactor orientations in terms of dimensionless flow numbers.

  • 567. Zhang, J.
    et al.
    Ellison, A.
    Henry, A.
    Henry, A..
    Linnarsson, M.K.
    Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, P.O. Box E229, S-164 40 Stockholm, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Nitrogen incorporation during 4H-SiC epitaxy in a chimney CVD reactor2001Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 226, nr 2-3, s. 267-276Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Nitrogen incorporation is studied during epitaxial chemical vapour deposition (CVD) of 4H-SiC in a vertical, hot-wall CVD reactor. The nitrogen doping dependencies on input C/Si ratio, growth temperature and process pressure are investigated under the process conditions leading to growth rates in the range of 15-30µm/h. The nitrogen incorporation is observed to be a thermally activated process with a higher apparent activation energy for the Si-face than for the C-face. The site-competition principle is well followed at C/Si ratios higher than 0.3, whereas the nitrogen doping becomes less sensitive to the C/Si ratio on both the Si- and the C-faces at C/Si ratios below 0.3. The pressure has a strong effect on the nitrogen incorporation efficiency, allowing lower doping at the lower pressure. The influence of the growth parameters on the nitrogen incorporation is closely related both to the epitaxial growth mechanisms and to the surface kinetics on the different polarity SiC faces. The doping mechanisms are analysed taking into account the gas-phase chemistry and the surface kinetics. © 2001 Elsevier Science B.V.

  • 568. Zhang, J
    et al.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Morphology control for growth of thick epitaxial 4H SiC layers2000Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 338-343, Scientific.Net , 2000, Vol. 338-3, s. 137-140Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A study of morphology control is conducted on 4H SiC Si- and C-face epilayers grown in a chimney CVD reactor. The macroscopic step-bunching and the defect evolution processes with increasing epilayer thickness are investigated in order to achieve smooth surface morphology for thick epilayers of 30 - 120 mum. The growth temperature and input precursor concentrations are observed to have strong impact on the surface morphology.

  • 569. Zhang, J.
    et al.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Isacson, M.
    Ellison, A.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Kordina, O.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
    Growth characteristics of SiC in a hot-wall CVD reactor with rotation2002Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 241, nr 4, s. 431-438Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A version of the hot-wall reactor, where rotation has been added is investigated for the growth of SiC. The capacity of the reactor is 2 in wafers. The rotation is realized by gas foil levitation of a single plate carrying all three wafers. Uniformities of thickness and doping below 1% and 5%, respectively have been obtained. The run to run reproducibility of n-type doping is within ±10%. The morphology is studied and greatly improved through a modification of the hot-zone, which however made the thickness uniformity marginally worse. © 2002 Published by Elsevier Science B.V.

  • 570. Zhang, J
    et al.
    Forsberg, Urban
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Isacson, M
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Okmetic AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Okmetic AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Kordina, Olle
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Okmetic AB, SE-58330 Linkoping, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Growth characteristics of SiC in a hot-wall CVD reactor with rotation2002Ingår i: Materials Science Forum(ISSN 0255-5476) Volume 389-3, 2002, Vol. 389-3, s. 191-194Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    SiC epitaxy has been studied in a horizontal hot-wall CVD reactor with rotation by gas foil levitation. A capacity of three 2 inch wafers has been realized, and the thickness uniformity over a 2 inch wafer is below 1% and the n-doping uniformity over a 35mm wafer, below 10%. Both n- and p-type doping is readily achieved with no memory effect. The layer morphology has been investigated and a featureless surface has been obtained through process optimization and a modification of the hot zone.

  • 571. Zhang, J
    et al.
    Kordina, Olle
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ellison, A
    Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    In situ etching of 4H-SiC in H-2 with addition of HCl for epitaxial CVD growth2002Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 239-242Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We have investigated in situ etching of 4H SiC in a horizontal hot-wall CVD reactor. A small amount of HCl is introduced together with the major etching gas, H-2. The etch rate is found to increase with temperature and decrease with pressure. An increased H-2 flow proportionally increases the etch rate. The etch mechanism is proposed from the etch rate dependencies on the etch parameters. The morphology both after the etch and after the subsequent growth is investigated and the optimized etch conditions for good morphology are established. The correlation between the morphology and the etch mechanism is pointed out.

  • 572. Zhang, J.
    et al.
    Storasta, Liutauras
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Bergman, Peder
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Nguyen, Tien Son
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Electrically active defects in n-type 4H-silicon carbide grown in a vertical hot-wall reactor2003Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 93, nr 8, s. 4708-4714Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The intrinsic and impurity related defects in silicon carbide (SiC), grown in a vertical hot wall reactor using chemical vapor deposition, were discussed. Low concentrations of hole traps and electron traps were detected using capacitance transient techniques. The correlation with the carrier lifetime of the investigated epilayers showed that the Z1/2 and EH6/7 centers are the limiting defects.

  • 573.
    Zhang, Jie
    et al.
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Ellison, Alexandre
    Okmetic AB, Linköping, Sweden.
    Danielsson, Örjan
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Linnarsson, M. K.
    Royal Institute of Technology ( KTH), Stockholm, Sweden.
    Henry, Anne
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
    Epitaxial growth of 4H SiC in a vertical hot-wall CVD reactor: Comparison between up- and down-flow orientations2002Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 241, nr 4, s. 421-430Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The CVD growth of 4H SiC is investigated in a vertical hot-wall reactor in both up-flow (the chimney reactor) and down-flow (the inverted chimney) orientations. The growth rate and the nitrogen doping are studied for comparison. Under the investigated process conditions the growth mechanism is shown to be similar in these two reactor orientations. Only slight difference is observed in the temperature effect depending on the flow direction. Both reactor types have produced epilayers with high growth rates (10–35 μm/h) and low residual n-type doping (low 1016 down to mid 1013 cm−3) with comparable morphology. Dimensionless flow numbers are used to provide a qualitative analysis of the flow and heat transfer mechanisms in the vertical hot-wall system. Two-dimensional numerical simulation in a cylindrical geometry is conducted to demonstrate the flow and temperature profile with selected process parameters. Comparison of the experimental results in the chimney and the inverted chimney is performed to give insight into the fast epitaxial hot-wall growth.

  • 574. Zolnai, Z
    et al.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Annealing behavior of the carbon vacancy in electron-irradiated 4H-SiC2004Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 96, nr 4, s. 2406-2408Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The annealing behavior of the positively charged carbon vacancy in electron-irradiated 4H-SiC was studied. Electron paramagnetic resonance was used for the purpose of analysis. It was found that around 1000 °C, the EPR signal of the defect starts decreasing. Clear ligand hyperfine structure was also observed after annealing at 1350 °C. Results show that the EI6 center may be the positively charged carbon vacancy at the hexagonal lattice site of 4H-SiC.

  • 575. Zolnai, Z.
    et al.
    Nguyen, Son Tien
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Magnusson, Björn
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Hallin, Christer
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
    Janzén, Erik
    Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
    Annealing behaviour of vacancy- and antisite-related defects in electron-irradiated 4H-SiC2004Ingår i: Mater. Sci. Forum, Vol. 457-460, Trans Tech Publications Inc. , 2004, s. 473-Konferensbidrag (Refereegranskat)
9101112 551 - 575 av 575
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf