Artificial superlattices with their exceptional properties have been popular in a broad range of applications such as electronic, magnetic, optical, and hard coating. Another potential application for single crystal artificial superlattices is highly efficient interference neutron optics, owing to an ultimate interface width of just ±½ atomic layer. Moreover, studies of superlattices have been instrumental in understanding the hardening mechanisms in transition metal nitrides and carbides while such studies on transition metal diborides are lacking, despite extensive studies on monolithic transition metal diboride thin films.

This thesis describes a logical series of studies solving a range of fundamental issues which enabled epitaxial growth of high quality CrB₂/TiB₂ (0001) diboride superlattices onto Al₂O₃ (0001) and 4H-SiC (0001) substrates by direct current magnetron sputter epitaxy. This involved implementation of several different strategies; sputtering from compound diboride targets, co-sputtering from separate metal and compound targets, sputtering from titanium boride (Ti:B = 1:1) and chromium diboride targets, monolayer-control of growth kinetics by Ar-ion assistance, as well as choice of low lattice mismatch substrate. Effects on the structural and interface quality of the superlattices are studied with respect to substrate temperature, B stoichiometry (B/TM ratio), modulation period Λ = D_CrB2 + D_TiB2, layer thickness ratio Γ = D_TiB2/(D_CrB2+ D_TiB2), ion-assistance energies, use of interfacial protective buffer layers, as well as choice of Al₂O₃ or 4H-SiC substrates. X-ray diffraction, X-ray reflectivity, Neutron reflectivity, time of flight elastic recoil detection analysis, reciprocal space map, scanning transmission electron microscopy, electron energy loss spectroscopy, selected area electron diffraction, and nano-indentation are used for characterization.

For all experimental conditions, it is found that the highest structural quality of the superlattices are obtained for the layer thickness ratio Γ ≈ 0.3. Using Al₂O₃ substrates and compound targets, an optimum sputter gas pressure of p_Ar = 4 mTorr and a substrate temperature of 600 °C, it is found that superlattices with modulation period Λ = 6 nm and Γ in the range of 0.2-0.4 exhibit the highest structural quality. However, B segregation in over-stoichiometric TiB_y layers (y > 2), grown from TiB₂ compound target, results in narrow epitaxial superlattice columnar growth with structurally distorted B-rich boundaries.

By co-sputtering from Ti and TiB₂ targets, y can be tailored in the range 0.9 to 3.3 in TiB_y layers through controlling the relative applied target powers. Co-sputtered TiB_2.3 single layers exhibit 10x larger epitaxial domains than non-co-sputtered films and high quality close-to-stoichiometric CrB_1.7/TiB_2.3 superlattices are obtained at a higher growth temperature of 750 °C. The individual CrB_1.7 layers grow in a 2D-fashion leading to smooth surfaces and atomically abrupt interfaces when TiB_2.3 is grown on top. In contrast, TiB_2.3 layers exhibit rough interfaces where CrB_1.7 is grown on top which indicate kinetically limited 3D growth of the TiB_2.3. The difference in growth mode between CrB_1.7 and TiB_2.3 is attributed to a 1100 K difference in melting temperatures. Introducing the use of a titanium boride target, close-to-stoichiometric continuous TiB_1.8 single layers of high crystal quality are achieved directly, which relaxes any process constraints imposed by the need of balanced fluxes from Ti and TiB₂ targets. Moreover, ion-assisted epitaxial growth is implemented by concurrent low energy Ar-ion extracted from the sputtering plasma, to stimulate the mobility of the adatoms, in particular for TiB_1.8 which has the highest melting temperature. CrB_1.9/TiB_1.8 superlattices with single crystal quality and superlattice layer definition exceeding any of the previously obtained superlattices is obtained using TiB target combined with Ar-ion energies of 31 eV and 60 eV for CrB_1.9 and TiB_1.8, respectively, at a growth temperature of 1173 K. Further enhancement of interface abruptness is obtained by commencing the growth of each individual layer without ion-assistance for one unit cell, forming a buffer layer protecting the just formed interfaces from ion-induced intermixing during the ion-assisted growth of the remaining parts of the layers.

The benefits of using a lattice matched substrate are demonstrated by using 4H-SiC which exhibit only -1.29 % lattice mismatch as compared to -26 % for Al₂O₃ which is used in the earlier experiments in this work. The SiC allows for growing high quality single crystal superlattices also with thickness ratios Γ = 0.5 and Γ = 0.7. This is attributed to few misfit dislocations generated due to substrate misfit which lead to a strained layer superlattice growth. The superlattices exhibit less structural crystal defects, smoother initial growth, and smaller interface roughness when using SiC substrates.

Konstgjorda supergitter med sina exceptionella egenskaper har varit populära i ett brett spektrum av användningsområden såsom elektroniska, magnetiska, optiska och hårda beläggningar. En annan potentiell tillämpning för enkristallsupergitter är högeffektiv interferensneutronoptik, tack vare att gränssnitten mellan lagren kan vara så tunna som endast ±½ atomlager. Studier av supergitter har även varit avgörande för att förstå härdnings-mekanismerna i övergångsmetall-nitrider och -karbider medan sådana studier på övergångsmetalldiborider saknas, trots omfattande studier av monolitiska tunna filmer.

Denna avhandling beskriver en logisk serie av studier som löser en rad grundläggande problem som möjliggjort epitaxiell tillväxt av högkvalitativa CrB₂/TiB₂-diboridsupergitter på substrat av enkristallin safir och kiselkarbid genom magnetronsputtring. Detta innebar implementering av flera olika strategier; sputtring från diboridkällor, samsputtring från separata metall- och diboridkällor, sputtring från titanmonoborid- och kromdiboridkällor, kontroll av tillväxt-kinetiken på atomlagernivå genom argonjon-assisterad epitaxi samt val av substrat med liten gittermissanpassning. Effekter på supergittrens kristallstruktur och gränssnittskvalitet studeras med avseende på substrattemperatur, borstökiometri (B/metall-förhållande), modulerings-period Λ = D_CrB2 + D_TiB2, skikttjockleksförhållande Γ = D_TiB2/(D_CrB2 + D_TiB2), jonassistans-energi, användning av gränssnittsskyddande buffertlager, samt val av safir- eller kiselkarbid-substrat. Röntgendiffraktion, röntgenreflektivitet, neutronreflektivitet, jonstråleanalys, transmissionselektronmikroskopi, elektronenergiförlustspektroskopi, elektron-diffraktion och nanoindentation används för karakterisering.

För alla experimentella förhållanden har det visat sig att den högsta strukturella kvaliteten hos supergittren erhålls för skikttjockleksförhållandet Γ ≈ 0,3. Vid användning av safirsubstrat och sputtring från Cr- och Ti-diboridkällor med ett optimalt sputtergastryck p_Ar = 4 mTorr och en substrattemperatur på 600 °C, har vi funnit att supergitter med moduleringsperiod Λ = 6 nm och Γ i intervallet 0,2-0,4 uppvisar den högsta strukturella kvaliteten. Emellertid resulterar överstökiometriska TiB_y-skikt (y > 2) i segregering av bor som i sin tur leder till tillväxt av supergitter i smala kolumnära epitaxiella domäner med strukturellt förvrängda borrika gränser.

Genom att samsputtra från en Ti- och en TiB₂-källa, och välja det rätta effektförhållandet till sputterkällorna, kan y skräddarsys i intervallet 0,9 till 3,3 i TiB_y-lagren. Samsputtrade TiB_2,3 enkellager uppvisar 10x större epitaxiella domäner än icke-samsamsputtrade filmer, samt ger högkvalitativa, nära stökiometriska, CrB_1,7/TiB_2,3 supergitter vid en högre tillväxttemperatur på 750 °C. De individuella CrB_1.7-skikten växer på ett tvådimensionellt sätt vilket leder till släta ytor och atomärt abrupta gränssnitt när TiB_2,3 odlas ovanpå. Däremot uppvisar TiB_2,3-skikt ojämna gränssnitt då CrB_1,7 odlas ovanpå vilket tyder på en kinetiskt begränsad tredimensionell tillväxtmod av TiB_2,3. Skillnaden i tillväxtsätt mellan CrB_1,7 och TiB_2,3 tillskrivs en 1100 K skillnad i smälttemperaturer. Genom att introducera användningen av en sputterkälla av titanmonoborid uppnås kontinuerliga och nästan stökiometriska TiB_1,8-epilager av hög kristallkvalitet, vilket lättar på alla processbegränsningar tack vare behovet av balanserade flöden från Ti- och TiB₂-källorna. Samtidigt implementeras jonassisterad epitaxiell tillväxt, genom lågenergetiska Ar-joner som extraheras från sputterplasmat, för att stimulera rörligheten hos adatomerna, särskilt för TiB_1,8 som har den högsta smälttemperaturen. De bästa supergittren erhålls genom användningen av en TiB-källa kombinerat med Ar-jonenergier på 31 eV och 60 eV för CrB_1,9 respektive TiB_1,8, vid en tillväxttemperatur på 1173 K. CrB_1,9/TiB_1,8 supergitter med enkristallkvalitet och supergitterskiktsdefinition som överstiger något av de tidigare erhållna supergittren. Ytterligare förbättring av gränssnittems abrupthet erhålls genom att påbörja tillväxten av varje enskilt skikt med ett atomlager utan jonassistans, som bildar skyddande buffertskikt på de nyss bildade lagergränsytorna, vilka hindrar joninducerad intermixning av av atomer mellan skikten under den följande jonassisterade tillväxten av återstoden av varje lager.

Fördelarna med att använda ett gitteranpassat substrat påvisas genom att använda kiselkarbid (4H-SiC) som endast uppvisar -1,29 % gittermissanpassning mot supergittren jämfört med -26 % för safir (Al₂O₃) som använts i de tidigare experimenten i detta arbete. SiC möjliggör odling av högkvalitativa enkristallsupergitter även med tjockleksförhållanden Γ = 0,5 och Γ = 0,7. Detta tillskrivs supergittertillväxt med töjda lager och mindre relaxering av gitterspänningar under kylningen efter tillväxt.